События

Во вторник, 14 мая, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится защита диссертации...

Веб-трансляция

В среду, 24 апреля 2024 г., в 14-00 в актовом зале админ. корпуса состоится
Торжественное заседание Ученого совета, посвященное 60-летию Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
04.04.24
Конкурс научных работ ИФП 2024 года будет проходить 8 и 9 апреля в конференц зале АК
В понедельник, 1 апреля 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
15 марта 2024 года.
В понедельник, 4 марта 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

Во вторник, 12.03.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

Во вторник, 20.02.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 14.02.2024 в 15 ч.
состоится открытый онлайн-семинар ИФП СО РАН, на котором будет представлен обзорный доклад В. Д. Лахно “ДНК-нанотехнологии и нанобиоэлектроника”.

В четверг, 1.02.2024 в 15 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 24.01.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

27.12 в 15:00 в конференционном зале ТК планируется семинар лаб.№3.
В понедельник, 11 сентября, в 10 часов актовом зале Административного корпуса состоится Институтский семинар.
Административный корпус 11 сентября 2017 г.
Конференц-зал Понедельник, 10 часов

Prof. Yakov Roizin
(TowerJazz Company)

Sensors in semiconductor technologies targeting IoT applications

Краткая аннотация:

Being the elements for gathering and outputting the key data, semiconductor sensors are in the center of the incredible growth of the Internet of Things(IoT). IoT sensor market is expected to reach ~40 billion of USD by 2022. Demands to technological platforms for fabrication and integration of different sensors are summarized in the presentation. Examples of sensors (in mass production and in R&D stage in TowerJazz) are reviewed with the focus on their operation physics and related technological challenges. In particular, (i) quasi-nanowire temperature and gas sensors fabricated on SOI with thin device layers, (ii) original sensors based on integrated in CMOS MTJ (magnetic tunnel junctions) and (iii) sensors based on GaN on silicon technology are presented. As an example of sensor platforms enablers, production ReRAM technology based on tantalum oxide is discussed with the emphasis on NVM device physics and materials.