15 мая прошёл первый день конкурса научных работ Института физики полупроводников.

Фоторепортаж

15 мая прошёл первый день конкурса научных работ Института физики полупроводников.

На открытии конкурса с приветственным словом выступил директор ИФП академик А.В. Латышев.

Конкурсная комиссия

Первым был заслушан доклад победителей конкурса 2016 года О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, О.П. Сушков, И.С. Терехов «Затворно-индуцированные графеноподобные решетки: экранировка и критический беспорядок».

Доклады конкурсантов 2017 года:

• С.А. Рожков, В.В. Бакин, Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов «Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум» (рецензенты Л.С. Брагинский, К.С. Журавлев)
• Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.С. Кожухов, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Терехов, А.В. Латышев «Выглаживание и разупорядочение поверхности полупроводников: эксперимент на GaAs и Монте-Карло моделирование» (рецензенты А.И. Торопов, А.А. Шкляев)
• С.А. Тийс «Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани Si(133)-6 × 2» (рецензенты Л.В. Соколов, А.А. Шкляев)
• Р.А.Жачук, С.А. Тийс «Атомная структура поверхности Si(331)-12×1» (рецензенты В.А. Гриценко, Н.Л. Шварц)
• Д.И. Рогило, Л.И Федина, С.С. Косолобов, Б.С. Рангелов, А.В. Латышев «Зарождение 2D островков Si на поверхности Si(111) на начальных и поздних стадиях роста: роль проницаемости ступеней при пирамидальном росте» (рецензенты А.И. Торопов, А.И. Никифоров)
• С.В. Ситников, А.В. Латышев, С.С. Косолобов «Кинетика движения атомных ступеней и зарождение вакансионных островков на ультра-широких террасах Si(111)» (рецензенты Н.Л. Шварц, Л.И. Федина)

Доклады вызвали активное обсуждение научных проблем.

В перерыве между секциями