XIV Международная конференция
и XIII Школа молодых ученых и специалистов
по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния,
нанометровых структур и приборов на его основе
26-30 сентября 2022 г., Новосибирск
 
Общая информация
Новости
21.06.2022 Продлён срок подачи тезисов до 27 июня 2022 г.
20.05.2022 Добро пожаловать на сайт конференции "КРЕМНИЙ 2022"!

XIV Международная конференция «Кремний-2022» является продолжением серии научных конференций, ведущих свою историю от общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе.

За эти годы мероприятие превратилось в основной форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность РФ и стран зарубежья, обсуждают актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему в себя получение металлургического и поликристаллического кремния, рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе.

В рамках Школы для молодых ученых и студентов будут прочитаны лекции, призванные ознакомить будущих ученых с наиболее важными и интересными проблемами в области получения кремния и создания современных приборов на его основе.

На конференции будут представлены приглашенные доклады ведущих ученых, работающих в области материаловедения кремния и его применений, и представителей предприятий электронной промышленности, а также устные и стендовые доклады.

Конференция будет проходить в Новосибирском Академгородке на базе Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Основные научные направления конференции:

  • Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
  • Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
  • Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки.
  • Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрики.
  • Двумерные, одномерные и нульмерные структуры на основе кремния.
  • Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, нанофотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений на основе спиновых кубитов.
  • Квантовые технологии на основе кремниевых структур, квантовые сенсоры.
  • Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
  • Моделирование процессов роста кремния и структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
  • Кремниевая электронная компонентная база для наноэлектроники, нанофотоники, силовой электроники, солнечной энергетики.
  • Кремниевые метаматериалы для управления функциональными характеристиками структур и приборов на их основе.
 
© ИФП СО РАН, 2022. webmaster@isp.nsc.ru