| Получение высокочистого поликристаллического кремния из моносилана. |
| О.С. Аношин. |
| АО «НПП «Салют», Нижний Новгород, Россия. |
|
| Синтез наночастиц кремния для применения в изготовлении анода литий-ионого аккумулятора. |
| Р.Х. Ашуров, У.Ф. Бердиев, М.М. Адилов, Х.Б. Ашуров. |
| Институт ионно-плазменных и лазерных технологий имени У.А. Арифова Академии Наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан. |
|
| Особенности атомно-слоевого осаждения и свойств тонких слоев диоксида и нитрида кремния для применения в микроэлектронике. |
| В.Ю. Васильев. |
| Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия. |
|
| Электронные свойства кислородных преципитатов в кремнии. |
| О. Ф. Вывенко1,МД. В. Данилов1, А. С. Лошаченко1, Н. А. Маслова1, Н. А. Соболев2. |
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия,
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия. |
|
| Полупроводниковые и полуметаллические силициды кальция на кремнии для солнечной энергетики. |
| Н.Г. Галкин, К.Н. Галкин, О.В. Кропачев, Д.Л. Горошко, А.М. Маслов. |
| Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия. |
|
| Кремниевые наночастицы для биофотоники, формируемые с помощью лазерной абляции и фрагментации. |
| Л.А. Головань. |
| Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Москва, Россия. |
|
| Транспорт заряда и природа ловушек в приборах сегнетооэлектрической памяти на кремнии. |
| В.А. Гриценко. |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| SiC (карбида кремния). От роста слитка до готовой структуры. |
| А. А. Жилин. |
| Акционерное общество «Чебоксарский электроаппаратный завод», Чебоксары, Россия. |
|
| UMG кремний для солнечной энергетики. |
| А.И.Непомнящих, Р.В.Пресняков, И.А.Елисеев. |
| Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия. |
|
| Диэлектрические резонаторы на SiGe гетероструктурах для кремниевой фотоники. |
| А. В. Новиков. |
| Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия. |
|
| Эффекты термооптической нелинейности в резонансных полупроводниковых наноструктурах. |
| М. И. Петров. |
| Физико-технический факультет Университета ИТМО, Санкт-Петербург, Россия. |
|
| КНИ и КНС структуры для экстремальной электроники. |
| В.П. Попов, И.Е. Тысченко. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Процессы на поверхности кремния: от исследования диффузии атомов до управления макрорельефом. |
| И.Д. Рогило. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Атомно-слоевое осаждение (ALD) и атомно-слоевое травление (ALE) для кремниевой наноэлектроники с проектными нормами 45 нм и менее. |
| К. В. Руденко, А. В. Мяконьких. |
| Физико-технологический институт имени К.А. Валиева РАН, Москва, Россия. |
|
| Методы получения и оптические свойства фотонно-кристаллических структур со встроенными в них массивами упорядоченных квантовых точек GeSi. |
| Ж.В. Смагина. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Высокоэффективные гетероструктурные солнечные элементы на кремнии. |
| Е.И. Теруков1,2. |
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,
2Общество с ограниченной ответственностью «НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике», Санкт-Петербург, Россия. |
|
| Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si. |
| Д.И. Тетельбаум, Д.А. Павлов, Д.С. Королев, А.А Никольская. |
| Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия. |
|
| Наногетероструктуры и устройства фотоники на основе материалов IV группы Ge-Si-Sn. |
| В.А. Тимофеев. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Гексагональный кремний в структуре {113} дефектов как результат совместной кластеризации вакансий и междоузельных атомов. |
| Л.И. Федина, Р.А. Жачук. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Квантовые регистры на основе зарядовых кубитов в кремнии. |
| Л.Е. Федичкин, В.В. Вьюрков, А.А. Мельников, В.Ф. Лукичев. |
| Физико-технологический институт имени К.А. Валиева РАН, Москва, Россия. |
|
| Резонансные оптические свойства покрытий из частиц германия и кремния субволнового размера. |
| А.А. Шкляев1,2. |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия. |
|
| От процессов самоорганизации на поверхности кремния к субнанометровой метрологии. |
| Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, С.В. Ситников, Д.И. Рогило, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, А.В. Латышев. |
| ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия. |
|
| Структуры с барьерами Шоттки PtSi/поли-Si для болометрических ИК приемников: исследование процессов формирования и разработка метода изготовления. |
| В.А. Юрьев, К.В. Чиж, Л.В. Арапкина, В.П. Дубков, Д.Б. Ставровский. |
| ФГБУН ФИЦ Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, Москва, Россия. |
|
| Исследование протяженных дефектов в кремнии методом наведенного тока. |
| Е.Б Якимов. |
| Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка, Россия. |
|
| Медь и никель в кремнии: электрически активные и латентные комплексы. |
| Н. А. Ярыкин. |
| Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка, Россия. |
|