| Интегральные микрокриогенные системы охлаждения роторного типа для фотоэлектроники |
| Д.Д. Бабенко |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| Основные направления развития оптоэлектронных изделий до 2030 года |
| А.С. Башкатов |
| ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники", г. Мытищи, МО, Россия |
|
| Атомарно-тонкие кристаллы AIIBVI для фотоники: от химии поверхности к контролю 2D экситонов |
| Р.Б. Васильев |
| Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия |
|
| Нелинейная микроскопия для неинвазивного исследования электрохимических процессов на водных интерфейсах |
| М.Ю. Еремчев |
| Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, г. Москва, Россия |
|
| Компонентная база на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем связи и радиофотоники |
| Д.В. Гуляев, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.В. Царев, Е.А. Колосовский, М.С. Аксенов |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Матричные ФПУ с повышенной кадровой частотой и перспективы их развития |
| В.В. Карпов |
| АО "Московский завод Сапфир", г. Москва, Россия |
|
| Многослойные гетероструктуры на основе соединений А3В5, содержащих сурьму, для оптоэлектронных применений |
| В.С. Кривобок |
| Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, г. Москва, Россия |
|
| Применение инфракрасных кадмий-ртуть-теллуровых фотоприемников в фурье-спектрометрах нового поколения |
| А.Н. Морозов |
| Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, г. Москва, Россия |
|
| Пространственная модуляция света с помощью жидкокристаллических ячеек на отражение на основе сверхбольших интегральных схем |
| С.В. Мутилин |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge на Si для интегральной кремниевой фотоники |
| А.И. Никифоров |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
| Твердотельная фотоэлектроника коротковолнового ИК диапазона спектра |
| А.В. Полесский |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| Матричные фотоприемные устройства на основе коллоидных квантовых точек |
| В.С. Попов |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| КНИ структуры с двумя функциональными слоями кремния для фотонных интегральных схем |
| В.П. Попов |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Лазеры на основе квантовых ям CdHgTe/HgCdTe при различных режимах оптической накачки |
| В.В. Румянцев |
| Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия |
|
| Трехфотонное лазерное возбуждение одиночных атомов Rb для применений в квантовой информатике |
| И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Н.Н. Безуглов, K. Miculis, A. Cinins, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Г. Сулиман, П.И. Бетлени |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Нитевидные нанокристаллы для оптоэлектронных приложений |
| Г.Э. Цырлин |
| СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, г. Санкт-Петербург, Россия |
|
|