| Лавинные фотодиоды планарных и меза конструкций на основе InGaAs/InP и InGaAs/InAlAs/InP гетероструктур для систем лазерной связи |
| М.С. Аксенов |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Интегральные микрокриогенные системы охлаждения роторного типа для фотоэлектроники |
| Д.Д. Бабенко |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| Основные направления развития оптоэлектронных изделий до 2030 года |
| А.С. Башкатов |
| ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники", г. Мытищи, МО, Россия |
|
| Применение методов и устройств адаптивной голографической интерферометрии для исследований эффектов и явлений в фоторефрактивных пьезокристаллах |
| Н.И. Буримов, С.М. Шандаров, А.О. Злобин, С.С. Шмаков |
| Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, г Томск, Россия |
|
| Атомарно-тонкие кристаллы AIIBVI для фотоники: от химии поверхности к контролю 2D экситонов |
| Р.Б. Васильев |
| Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия |
|
| Сверхпроводниковый однофотонный детектор - ключевой элемент квантовых фотонных интегральных схем |
| Г.Н. Гольцман |
| Московский педагогический государственный университет, г. Москва, Россия |
|
| Электронная компонентная база на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем связи и радиофотоники |
| Д.В. Гуляев, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.В. Царев, Е.А. Колосовский, М.С. Аксенов |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Нелинейная микроскопия для неинвазивного исследования электрохимических процессов на водных интерфейсах |
| М.Ю. Еремчев |
| Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, г. Москва, Россия |
|
| Матричные ФПУ с повышенной кадровой частотой и перспективы их развития |
| В.В. Карпов |
| АО "Московский завод Сапфир", г. Москва, Россия |
|
| Линейка оборудования проекционной литографии для технологий интегральной фотоники SiON, SiOGe, SOI |
| А.А. Ковалев |
| АО "Зеленоградский нанотехнологический центр", г. Зеленоград, Россия |
|
| Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений для оптоэлектронных применений |
| В.С. Кривобок, А.В. Клековкин, Г.Н. Ерошенко, С.И. Ченцов, Д.А. Пашкеев, К.А. Савин, И.И. Минаев, С.Н. Николаев, Д.Ф. Аминев |
| Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, г. Москва, Россия |
|
| Перспективы объединения интегральной фотоники и волоконной оптики в сенсорике и метрологии |
| И.А. Лобач, М.П. Гаськов, В.А. Симонов, В.С. Терентьев, А.Ю. Ткаченко, С.И. Каблуков |
| Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Применение инфракрасных кадмий-ртуть-теллуровых фотоприемников в фурье-спектрометрах нового поколения |
| А.Н. Морозов |
| Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, г. Москва, Россия |
|
| РОС-лазер на основе КЯ HgCdTe с длиной волны генерации 13.5 мкм с вертикальным выводом излучения при накачке 8 мкм ИК ККЛ |
| С.В. Морозов, В.В. Уточкин, В.В. Румянцев, М.А. Фадеев, А.А. Разова, К.А. Мажукина, А.А Янцер, Я.Н. Паулкина, В.И. Гавриленко, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Морозова, Н.С. Гусев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.Р. Барышев, Н.С Гинзбург, Г.С. Соколовский |
| Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия |
|
| Физика и технология пространственных фазовых модуляторов света на жидких кристаллах |
| С.В. Мутилин |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge на Si для интегральной кремниевой фотоники |
| А.И. Никифоров |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Светоизлучающие диоды и транзисторы с Ge(Si)/КНИ самоформирующимися наноостровками, встроенными в фотонные кристаллы |
| А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, В.Е. Захаров, Е.В. Демидов, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник, С.А. Дьяков, А.Н. Михаилов, Д.И. Тетельбаум, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина |
| Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия |
|
| Твердотельная фотоэлектроника коротковолнового ИК диапазона спектра |
| А.В. Полесский |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| Матричные фотоприемные устройства на основе коллоидных квантовых точек |
| В.С. Попов |
| АО «Научно-производственная организация «Орион», г. Москва, Россия |
|
| КНИ структуры с двумя функциональными слоями кремния для фотонных интегральных схем |
| В.П. Попов |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Квантовые сенсоры на основе холодных атомов для фундаментальных и практических приложений |
| О.Н. Прудников, А.Н. Гончаров А.Н., А.В. Тайченачев, В.И. Юдин, Д.В. Бражников |
| Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Лазеры на основе квантовых ям CdHgTe/HgCdTe при различных режимах оптической накачки |
| В.В. Румянцев |
| Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия |
|
| Трехфотонное лазерное возбуждение одиночных атомов Rb для применений в квантовой информатике |
| И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Н.Н. Безуглов, K. Miculis, A. Cinins, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Г. Сулиман, П.И. Бетлени |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Электронно-оптические преобразователи от рентгеновского до ИК диапазона |
| О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, К.В. Меркулин, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, А.Ю. Демин |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия |
|
| Нитевидные нанокристаллы для оптоэлектронных приложений |
| Г.Э. Цырлин |
| СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, г. Санкт-Петербург, Россия |
|
| Двумерные материалы для приложений в области фотоники и оптоэлектроники |
| А.И. Чернов |
| Московский физико-технический институт Сколково, г. Долгопрудный, Россия |
|
|