| Электронная и ионная литография: наноструктурирование |
| А.Л.Асеев, А.В.Латышев |
| ИФП СО РАН, Новосибирск |
| Ионно-стимулированная молекулярно-лучевая эпитаксия.Импульсный отжиг наноструктур. |
| А.В.Двуреченский |
| ИФП СО РАН, Новосибирск |
| Алмазные структуры для оптоэлектроники и квантовых компьютеров: ионная имплантация и отжиг под давлением |
| В.П.Попов, Л.Н.Сафронов |
| ИФП СО РАН, Новосибирск |
| Методы управления реакциями с участием радиационных дефектов в Si при ионной имплантации |
| В.Н.Мордкович |
| ИПТМ РАН, Черноголовка |
| Ионный синтез наносилицидов |
| Н.Н.Герасименко |
| МИЭТ, Зеленоград |
| Дефекты, аморфизация и диффузия при ионной имплантации |
| Д.И.Тетельбаум |
| ННГУ, Нижний Новгород |
| Модифицирование полупроводников пучками протонов |
| В.В.Козловский |
| СПбГПУ, Санкт-Петербург |
| Инженерия структурных дефектов и люминесцентных центров в имплантационной технологии Si светодиодов |
| Н.А.Соболев |
| ФТИ, Санкт-Петербург |
| Ионная имплантация в КРТ |
| А.В.Войцеховский |
| ТГУ, Томск |
|
Модификация металлических нанокристаллов быстрыми тяжелыми ионами
|
| Ф.Джурабекова
|
| Университет, Хельсинки
|
| Сфокусированные ионные пучки для формирования <алмазных> наноструктур
|
| С.Рубанов
|
| Университет, Мельбурн |
| Radiation Effects in Si-Ge Quantum Size Structures
|
| N.A.Sobolev |
| Университет Авейро, Португалия |
| Геммологические аспекты ионной имплантации в минералы и их синтетические
аналоги
|
| Р.И.Хайбуллин, В.И.Нуждин, О.Н.Лопатин, А.Г.Николаев |
| ФТИ, Казань |
| Быстрые термические обработки в кремниевой микроэлектронике |
| Р.М.Баязитов |
| КФТИ КазНЦ РАН, Казань |
| Direct mapping of strain depth distributions with a nanometer spatial resolution in ion implanted Si using Dark-Field Electron Holohraphy |
| N.Cherkashin1, S.Reboh1, A.Lubk1, P.Pochet2, A.Claverie1 and M.J.Hÿtch1
|
1CEMES-CNRS, Toulouse, France
2CEA-INAC, Grenoble, France
|
| Изменение свойств GaN при облучении ускоренными ионами |
| П.А.Карасёв |
| Кафедра физической электроники, СПбГПУ, Санкт-Петербург
|
|
Ионные источники и ускорители для ядерного легирования и
бор-нейтронозахватной терапии |
| А.А.Иванов, А.В.Бурдаков, В.И.Давыденко |
| ИЯФ СО РАН, Новосибирск |
|
Primary state of damage in irradiated Si and GaN nanowires |
| K.Nordlund, R.Wei, E.Holmstram, F.Djurabekova and A.Kuronen |
| Department of Physics, University of Helsinki
|
| Эволюция электронной подсистемы неметаллических материалов под воздействием
жесткой радиации: электронные свойства облученных полупроводников
|
| В.Н.Брудный |
| ТГУ, Томск |
| Наноструктурирование титана и ионная имплантация |
| Ю.П.Шаркеев |
| ИФПМ СО РАН, Томск |
| Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А3В5 в кремнии и диоксиде кремния |
| Ф.Ф.Комаров |
| НИИПФП им. А.Н.Севченко БГУ, Минск |
| Формирование сверхузких p-n переходов в кремнии ионной имплантацией |
| А.Ф.Вяткин |
| ИПТМ РАН, Черноголовка |
|
Плазменно-иммерсионная ионная имплантация и ее перспективные применения в технологиях наноэлектроники и наноструктур
|
| К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский |
|
ФТИАН, Москва |
Список приглашенных докладов будет дополняться.
