IV Всероссийская конференция
ФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО–ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
(с участием иностранных учёных)
и международная молодёжная конференция
РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ И ПРОЦЕССЫ В НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ
Новосибирск, 23-26 октября 2012 года
Новости
26.10.2012 Фотоотчет.
23.07.2012 Размещена предварительная программа конференции.
11.05.2012 ВНИМАНИЕ! Срок регистрации и подачи тезисов продлен до 01 июня 2012г.!
28.02.2012 Добро пожаловать на сайт конференции
Контакты
Факс: (383)333-27-71
E-mail:
Антонова Ирина Вениаминовна - ученый секретарь конференции
Тел.: (383)333-06-99
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: (383)333-24-88
Адрес
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
НАПРАВЛЕНИЯ КОНФЕРЕНЦИИ

На предстоящей конференции предполагается рассмотреть доклады и сообщения по следующим основным направлениям:

  • Общие физические и физико-химические проблемы ионной имплантации и радиационной физики твердого тела, физические явления в электрических и тепловых полях.

  • Физические проблемы ионной имплантации в полупроводники.

  • Физические проблемы ионной имплантации в неполупроводниковые материалы.

  • Ионно-лучевое формирование наноструктур, объектов спинтроники и их свойства.

  • Физические явления дальнодействия при ионном облучении и смежные вопросы.

  • Физические проблемы технологии ионной имплантации и сфокусированных ионных пучков.

  • Применение радиационно-термических процессов в нанотехнологии.

  • Методы исследования радиационно-термической модификации свойств материалов.

Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Список приглашенных докладов.
Организаторы конференции
Публикация докладов в журнале "Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского".
Конференцию поддерживают
 
© ИФП СО РАН, 2012. Webmaster: Sambur Nadezhda, webmaster@isp.nsc.ru