Л.С. Смирнов - специалист в области физики полупроводников и полупроводниковой элеткроники. Основные направления исследований Л.С. Смирнова: действие излучений на полупроводники, ионная имплантация и импульсный отжиг.Комплексное изучение в облученных полупроводниках процессов, включающих образование радиационных дефектов, их свойства, взаимодействие дефектов с примесями, дислокациями, термоэффектами, границами раздела привело к формированию физических основ и разработке методов радиационной технологии и повышения радиационной стойкости элементов полупроводниковой электроники. (1954-1984гг.).
Проведенные исследования по физике ионного легирования кремния и бинарных соединений, в частности, процессов дефектообразования и поведения примесей в зависимости от условий имплантации и режимов термообработки, радиационно-ускоренной диффузии, ионного синтеза стимулировали внедрение ионно-лучевой технологии в промышленное производство (1964-1984гг).
Предложен и реализован метод импульсного нагрева тонких слоев полупроводников мощними световыми или электронными лучами, позволяющий получать сверхтонкие легированные м пересыщенные прмесью слои без изменения свойств матрицы, разработано соответствующее оборудование. С помощью импульсного метода можно создавать монокристаллические полупроводниковые слои на аморфных диэлектриках, что открывает путь к многослойной электонике (1974-1984гг.).
Л.С.Смирнов подготовил 21 кандидата и 2-х докторов наук.
Автор 19 изобретений.
