Смагина Жанна Викторовна научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук

Научная деятельность:

Молекулярно-лучевая эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, способы управления процессами эпитаксии, радиационные явления, электронные явления в полупроводниках.

Образование:

• 1994 г. – окончила Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники по специальности «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»;
• 2003 г. – закончила аспирантуру в ИФП СО РАН;
• 2008 г. – защитила кандидатскую диссертацию «Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si»

Трудовая деятельность:

• 1994- Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, г. Томск;
• 1999 г. - ИФП СО РАН (1999-2001 в должности инженера, с 2001 г. – научный сотрудник)

Избранные публикации:

1. Двуреченский А. В., Зиновьев В. А., Кудрявцев В. А., Смагина Ж. В. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. – Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 72, вып. 3, с. 190-194.
2. Двуреченский А. В., Зиновьев В. А., Смагина Ж. В. Эффекты самоорганизации ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. – Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, вып. 5, с. 296-299.
3. Двуреченский А. В., Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Армбристер В. А., Володин В. А., Ефремов М. Д. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 79, вып. 7, с. 411-415.
4. Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В. Армбристер В. А., Тийс С. А. Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100). – ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593.