Ненашев Алексей Владимирович старший научный сотрудник , кандидат физико-математических наук

Научная деятельность:

Компьютерное моделирование электронных процессов в полупроводниковых структурах с квантовыми точками.

Образование:

• физический факультет НГУ (выпуск 1999 г.),
• аспирантура НГУ.

Трудовая деятельность:

• с 1999 г. по настоящее время – инженер, научный сотрудник, старший научный сотрудник ИФП СО РАН;
• с 2003 г. по настоящее время – ассистент НГУ.

Избранные публикации:

1. A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots // Nanotechnology, 2002, v. 13, No. 1, pp. 75-80.
2. A. F. Zinovieva, А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Hole spin relaxation during the tunneling between coupled quantum dots // Phys. Rev. B, 2005, v. 71, 033310.
3. A. V. Nenashev, F. Jansson, S. D. Baranovskii, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii, and F. Gebhard. Hopping conduction in strong electric fields: Negative differential conductivity // Phys. Rev. B, 2008, v. 78, 165207.