ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

Буданцев Максим Владимирович

Старший научный сотрудник

к.ф.-м.н.

Научная деятельность:

    Буданцев М.В. занимается исследованием фундаментальных вопросов квантового электронного транспорта в наноструктурированных полупроводниковых системах. В частности, он впервые обнаружил, что двумерная решетка связанных биллиардов Синая сохраняет металлическое поведение в состоянии, когда величина ее проводимости существенно меньше критической, определяемой критерием Йоффе-Регеля.
    К одним из приоритетным направлениям современной физики наноструктур относится работа М.В. Буданцева по изучению транспорта низкоразмерных электронов и фононов в подвешенных кулоновско-блокадных квантовых точках, изготовленных на основе полупроводниковых мембран, оторванных от подложки. Кроме того, М. В. Буданцев  занимается экспериментальным исследованием магнетоиндуцированного ферромагнитного фазового перехода, наблюдающегося в двумерном электронном газе в режиме квантового эффекта Холла.

Образование:

  • Новосибирский Государственный Университет, 1992
  • В 1999 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Трудовая деятельность:

    работает в институте с 1992

Педагогическая деятельность:

    В рамках преподавательской деятельности М.В. Буданцев руководит дипломными и курсовыми работами студентов НГУ (Новосибирск). За высокий уровень подготовки школьников – победителей и призеров областной и всероссийской олимпиад по физике в рамках приоритетного национального проекта «Образование» неоднократно награждался грамотами губернатора новосибирской области.

Премии и награды:

    Буданцев М. В. является руководителем трех проектов РФФИ, гранта Президента РФ в рамках программы «Молодые ученые – кандидаты наук», был ключевым исполнителем в ряде международных и российских проектов. Результаты его работ отмечены государственной стипендией молодым ученым, стипендией молодым ученым ИФП СО РАН имени академика А. В. Ржанова, международными стипендиями. М.В.  Буданцев награжден почетной грамотой СО РАН за личный вклад в развитие отечественной науки, плодотворный и добросовествный труд в СО РАН.
    В 2005 г. Его активная научно-организационная работа отмечена памятным знаком в честь 110-летия Новосибирску «За труд на благо города».

Общественная деятельность:

    М. В. Буданцев успешно сочетает научную работу c организационной и преподавательской деятельностью.
  • С 2003 по 2006 гг. являлся председателем Совета молодых ученых, руководил работой семинара молодых ученых Института.
  • С 2003 г. по настоящее время является членом Ученого Совета ИФП СО РАН.

Избранные публикации:

    Буданцев М.В. является автором 45 публикаций, из них 13 опубликованы в с 2003 гг по настоящее время. Основные научные труды М. В. Буданцева представлены в журналах Письма в ЖЭТФ (Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла, т. 86, стр. 294, 2007; Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе, т. 87, стр 176. 2008) и Physical Review B Rapid Communication (Thermopower of a multiprobe ballistic conductor», v. 66, 201303, 2002).

 

Последнее обновление: 05.07.2010

© www.isp.nsc.ru/24