Блошкин Алексей Александрович Младший научный сотрудник

Научная деятельность:

• квантовые точки
• математическое моделирование
• гетероструктуры Ge-Si
• поглощение света в полупроводниках

Образование:

• ФФ НГУ
• аспирантура НГУ

Трудовая деятельность:

• с 2003г. в ИФП СО РАН

Избранные публикации:

Журнальные статьи

1. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ 77, вып. 7, 445-449 (2003).
2. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 1, № 1, 51-54 (2004).
3. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Г.М. Миньков, А.А. Шерстобитов, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Прыжковая проводимость и кулоновские корреляции в двумерных массивах квантовых точек Ge/Si. – ЖЭТФ 127, вып. 4, 817-826 (2005).
4. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, N.P. Stepina, J.P. Let?o, N.P. Sobolev, L. Pereira, M.C. do Carmo. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 3, № 2, 296-299 (2006).
5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, А.В. Ненашев. Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. – Письма в ЖЭТФ 83, вып. 4, 189-194 (2006).
6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, A.V. Nenashev, V.A. Volodin. Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy. – Phys. Rev. B 73, № 11, 115333 (2006).
7. A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in multilayer structure. – Phys. Stat. Solid 4, № 2, p. 442-444 (2007).
8. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots. – Appl. Phys. Lett., v. 93, 132105 (2008).
9. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii. Asymetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dot. – Phys. Rev. B, 78, 165310 (2008).
10. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii. Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots. - Microelectronics Journal, 2009, v. 40, p. 785-787.
11. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin and A. V. Dvurechenskii. Bonding- antibonding ground state transition in coupled Ge/Si quantum dots. – Semiconductor Science and Technology, 34, 095002 (2009).
12. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ, 90, №8, с 621-625 (2009).

Тезисы конференций

1. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. И. Никифоров. Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек Ge/Si. – VI Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докл., Санкт-Петербург, 2003, с. 175.
2. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, and A. I. Nikiforov. Phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. - 10th Conference on Hopping and related phenomena: Miramare – Trieste, Italy, 2003.
3. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G. M. Min’kov, A. A. Sherstobitov, A. I. Nikiforov and A. A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology: 12th Intern. Symp. St. Petersburg, Russia, Ioffe Institute, St. Petersburg, 2004. – p. 306.
4. А. А. Блошкин. Электронные состояния в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками II-го типа. – Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докл., Санкт-Петербург, Россия, 2005, с.43
5. A. I. Yakimov, A. V. Dvurecheskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin. Capacitance spectroscopy of electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment. - Nanostructures: Physics and Technology: 13th Intern. Symp., St. Petersburg, Russia, Ioffe Institute, St. Petersburg, 2005. - p. 394.
6. A. I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots. – 11th Conference on Transport in Interacting and Disordered Systems, Egmond aan Zee, The Netherlands, 2005.
7. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev. Localization of Electrons in Type-II Ge/Si Quantum Dots Stacked in a Multilayer Structure. – International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, Istanbul, Turkey, 2006. - p. 285.
8. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov and A. A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in multilayer structure. - Nanostructures: Physics and Technology: 15th Intern. Symp., Novosibirsk, Russia, 2007. - p. 251.
9. A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin and A. V. Dvurechenskii. Bonding- antibonding ground state transition in coupled Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology: 17th Intern. Symp., Minsk, Belorus 2009. – p.218.
10. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, А. А. Землянов, Г. М. Цепелев. Наноструктуры Ge/Si с квантовыми точками для фотодетекторов 1.3-1.5 мкм. Кремний – 2009: VI международная конференция и V школа молодых ученых и специалистов, тезисы доклада, Новосибирск, Россия, 7-10 июля 2009 г.
11. А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si II-го типа. – Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, тезисы доклада Новосибирск-Томск, Россия, 28 сентября – 3 октября 2009 г., с 147
12. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, В. А. Донченко, А. А. Землянов, Г. М. Цепелев. Быстрые фотодетекторы на гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками. – Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, тезисы доклада. Новосибирск-Томск, Россия, 28 сентября – 3 октября 2009 г. с 296.