| 9:00 |
| 9:30 |
| 10:00 |
| 10:30 |
| 11:00 |
| 11:30 |
| 12:00 |
| 12:30 |
| 13:00 |
| 13:30 |
| 14:00 |
| 14:30 |
| 15:00 |
| 15:30 |
| 16:00 |
| 16:30 |
| 17:00 |
| 17:30 |
| 18:00 |
|
| Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки |
Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрики |
| Перерыв |
| Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки |
Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрики |
| Обед |
| Атомные процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, тонкие пленки |
Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений |
| Перерыв |
| Моделирование процессов роста кремния, структур на его основе, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения |
Нанотехнологии кремниевой электроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику |
|
| Стендовая секция |
|