Цель данной конференции – обсудить современное состояние работ, проблемы и дальнейшие пути развития в области полупроводниковой микро- и наноэлектроники и физики полупроводников, представить обзорные лекции для молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводников и по научному наследию академика А.В. Ржанова, отметить огромную роль А.В.Ржанова в создании и становлении ИФП СО РАН, в развитии полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников в России.

Основные научные направления конференции:

1. Электрические и оптические свойства, высокочастотные (СВЧ и терагерцовый диапазон) явления в полупроводниках
2. Эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, процессы формирования (самоорганизации) на поверхности и границе раздела, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля
3. Структурные, электронные, магнитные и оптические свойства в системах с пониженной размерностью (2D, 1D, 0D)
4. Углеродные и графеноподобные наноматериалы, молекулярные системы
5. Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника и плазмоника
6. Технология и методы исследования полупроводниковых приборов и устройств

Конференция приурочена 100-летию со дня рождения выдающегося советского и российского учёного и организатора науки, специалиста в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников, директора Института физики полупроводников с 1964 по 1990 гг., академика АН СССР и РАН Анатолия Васильевича Ржанова.

Предполагается участие в конференции ведущих российских ученых, работающих в областях экспериментального и теоретического исследования традиционных полупроводников, квантовых систем и квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений. Планируется заслушать доклады ведущих специалистов в области физики и технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройств - фотоприемных устройств, светодиодов, лазеров, СВЧ – транзисторов, оптоэлектронных устройств и приборов мощной СВЧ электроники, а фотоэлектронных и оптоэлектронных систем.