Приглашенные доклады
Новости
07.10.2020 В связи со сложившейся эпидемиологической обстановкой конференция не состоится
21.09.2020 Даты проведения конференции 19-23 октября 2020 года
06.03.2020 Размещена Программа конференции
14.01.2020 Добро пожаловать на сайт Международной конференции "Физика полупроводниковых структур", посвященной 100-летию со дня рождения академика А.В. Ржанова!

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Hole spin relaxation in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells
Pusep Yurii,
University of Sāo Paulo, Sāo Carlos, SP, Brazil
Probing light-matter interaction and confinement/surface-induced effects via Raman microscopy of group-IV nanostructures
Poborchii Vladimir,
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan
Антипересечение атомных ступеней на поверхности кристаллов
Альперович Виталий Львович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Дополнительное встраивание атомов сурьмы и олова в слои кремния при ионно-активированной молекулярно-лучевой эпитаксии
Ашуров Хатам Бахронович,
Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент
Плазмоны и магнитоплазмоны в 2D электронных системах с затвором конечных размеров.
Волков Владимир Александрович,
ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва.
Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур
Гайслер Владимир Анатольевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Фундаментальные аспекты формирования нанокристаллов β-FeSi2 и GaSb в матрице кремния для интегральной кремниевой фотоники: атомная структура и механизмы формирования.
Гутаковский Антон Константинович, Латышев А.В.,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Наноструктуры на основе кремния для элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем.
Двуреченский Анатолий Васильевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Перспективы развития мощных pHEMT СВЧ-транзисторов
Журавлев Константин Сергеевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Исследование электростатических полевых экранирующих эффектов на полупроводниковых поверхностях методами АСМ
Торхов Н.А., Новиков В.А., Ивонин Иван Варфоломеевич,
ТГУ, Томск
Топологические изоляторы на основе HgTe
Квон Зе Дон,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Нелинейный долинный транспорт в двумерных нецентросимметричных системах
Ковалев Вадим Михайлович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Плазмон-усиленная эмиссия света полупроводниковыми нанокристаллами
Милёхин Александр Германович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическими и фононными волноводами
Морозов Сергей Вячеславович,
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Молекулярно-лучевая эпитаксия напряженных наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы
Никифоров Александр Иванович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Химическая модификация углеродных наноструктур и их электронные свойства
Окотруб Александр Владимирович,
ИНХ СО РАН, Новосибирск
Квантовый транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах
Погосов Артур Григорьевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Многослойные структуры полупроводник-диэлектрик для наноразмерных, нейросетевых, фотонных и СВЧ интегральных схем
Попов Владимир Павлович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Молекулярно-лучевая эпитаксия согласованных и метаморфных гетероструктур на основе соединений AIIIBV
Преображенский Валерий Владимирович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Наноприборы и наноматериалы с фазовым переходом полупроводник-металл: физика и технология, совместимая с кремниевой технологией
Принц Виктор Яковлевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Атомные и фотоэлектронные процессы на интерфейсах с эффективным отрицательным электронным сродством
Терехов Александр Сергеевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Криогенная электроника и спинтроника на основе кристаллического топологического изолятора Pb1-хSnхTe
Терещенко Олег Евгеньевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Моделирование осцилляций Шубникова-де Гааза и квантового эффекта Холла при слабом беспорядке в малых структурах
Ткаченко О.А.1, Ткаченко Виталий Анатольевич1, Сушков О.П.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2University of New South Wales, Sydney, Australia
Структура и оптические свойства дислокаций в алмазоподобных полупроводниках
Федина Людмила Ивановна, Гутаковский Антон Константинович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Двумерные экситонные и экситон-электронные структуры
Чаплик Александр Владимирович,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Особенности отжига и формирования наноструктур AIIIBV
Шварц Наталья Львовна,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Электронная, спиновая структура и магнитные свойства систем с Дираковским конусом электронных состояний на основе магнитных топологических изоляторов и их возможное применение
Шикин Александр Михайлович
Санкт-Петербургский Государственный университет (СПбГУ), Санкт-Петербург
Несмачиваемость поверхностей Si и SiO2 слоями Ge
Шкляев Александр Андреевич, Латышев А.В.,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Новосибирский государственный университет, Новосибирск
От процессов самоорганизации моноатомных ступеней на поверхности кремния к субнанометровой метрологии
Щеглов Дмитрий Владимирович, Ситников С.В., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Рогило Д.И., Кожухов А.С., Латышев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Особенности квантового эффекта Холла в квазидвумерных структурах с нетривиальным энергетическим спектром на основе HgTe
Якунин Михаил Викторович
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург
Молекулярно-лучевая эпитаксия теллуридов кадмия и ртути на альтернативных подложках: результаты и перспективы
Якушев Максим Витальевич,
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
 
© ИФП СО РАН, 2020. webmaster@isp.nsc.ru