Hole spin relaxation in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells |
Pusep Yurii, University of Sāo Paulo, Sāo Carlos, SP, Brazil |
|
Probing light-matter interaction and confinement/surface-induced effects via Raman microscopy of group-IV nanostructures |
Poborchii Vladimir, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan |
|
Антипересечение атомных ступеней на поверхности кристаллов |
Альперович Виталий Львович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Дополнительное встраивание атомов сурьмы и олова в слои кремния при ионно-активированной молекулярно-лучевой эпитаксии |
Ашуров Хатам Бахронович, Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент |
|
Плазмоны и магнитоплазмоны в 2D электронных системах с затвором конечных размеров. |
Волков Владимир Александрович, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва. |
|
Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур |
Гайслер Владимир Анатольевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Фундаментальные аспекты формирования нанокристаллов β-FeSi2 и GaSb в матрице кремния для интегральной кремниевой фотоники: атомная структура и механизмы формирования. |
Гутаковский Антон Константинович, Латышев А.В., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Наноструктуры на основе кремния для элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем. |
Двуреченский Анатолий Васильевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Перспективы развития мощных pHEMT СВЧ-транзисторов |
Журавлев Константин Сергеевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Исследование электростатических полевых экранирующих эффектов на полупроводниковых поверхностях методами АСМ |
Торхов Н.А., Новиков В.А., Ивонин Иван Варфоломеевич, ТГУ, Томск |
|
Топологические изоляторы на основе HgTe |
Квон Зе Дон, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Нелинейный долинный транспорт в двумерных нецентросимметричных системах |
Ковалев Вадим Михайлович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Плазмон-усиленная эмиссия света полупроводниковыми нанокристаллами |
Милёхин Александр Германович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическими и фононными волноводами |
Морозов Сергей Вячеславович, Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия напряженных наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы |
Никифоров Александр Иванович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Химическая модификация углеродных наноструктур и их электронные свойства |
Окотруб Александр Владимирович, ИНХ СО РАН, Новосибирск |
|
Квантовый транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах |
Погосов Артур Григорьевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Многослойные структуры полупроводник-диэлектрик для наноразмерных, нейросетевых, фотонных и СВЧ интегральных схем |
Попов Владимир Павлович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия согласованных и метаморфных гетероструктур на основе соединений AIIIBV |
Преображенский Валерий Владимирович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Наноприборы и наноматериалы с фазовым переходом полупроводник-металл: физика и технология, совместимая с кремниевой технологией |
Принц Виктор Яковлевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Атомные и фотоэлектронные процессы на интерфейсах с эффективным отрицательным электронным сродством |
Терехов Александр Сергеевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Криогенная электроника и спинтроника на основе кристаллического топологического изолятора Pb1-хSnхTe |
Терещенко Олег Евгеньевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Моделирование осцилляций Шубникова-де Гааза и квантового эффекта Холла при слабом беспорядке в малых структурах |
Ткаченко О.А.1, Ткаченко Виталий Анатольевич1, Сушков О.П.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2University of New South Wales, Sydney, Australia |
|
Структура и оптические свойства дислокаций в алмазоподобных полупроводниках |
Федина Людмила Ивановна, Гутаковский Антон Константинович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Двумерные экситонные и экситон-электронные структуры |
Чаплик Александр Владимирович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Особенности отжига и формирования наноструктур AIIIBV |
Шварц Наталья Львовна, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Электронная, спиновая структура и магнитные свойства систем с Дираковским конусом электронных состояний на основе магнитных топологических изоляторов и их возможное применение |
Шикин Александр Михайлович Санкт-Петербургский Государственный университет (СПбГУ), Санкт-Петербург |
|
Несмачиваемость поверхностей Si и SiO2 слоями Ge |
Шкляев Александр Андреевич, Латышев А.В., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Новосибирский государственный университет, Новосибирск |
|
От процессов самоорганизации моноатомных ступеней на поверхности кремния к субнанометровой метрологии |
Щеглов Дмитрий Владимирович, Ситников С.В., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Рогило Д.И., Кожухов А.С., Латышев А.В. Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Особенности квантового эффекта Холла в квазидвумерных структурах с нетривиальным энергетическим спектром на основе HgTe |
Якунин Михаил Викторович Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия теллуридов кадмия и ртути на альтернативных подложках: результаты и перспективы |
Якушев Максим Витальевич, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|