Выездная сессия Научного Совета РАН по проблеме
«РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА»
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
24-28 ноября 2014 г., Новосибирск
Контакты
Тысченко Ида Евгеньевна
E-mail:
Тел.: 8-383-333-24-93;
8-383-333-25-37
Адрес
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
600090, пр. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, Россия
НАУЧНЫЕ ДОКЛАДЫ

Формирование, свойства и применение NV-центров в облученном алмазе
В.П. Попов
Применение фокусированных ионных пучков для создания функциональных твердотельных структур
С.С. Косолобов
Ионно-лучевой синтез структур на основе кремния
(по материалам докторской диссертации)
И.Е. Тысченко
Пассивация дефектов в структурах Si/Ge с квантовыми точками
В.В. Кириенко
Формирование наноструктурированной поверхности Si с использованием ионной имплантации
Ж.В. Смагина
Атомная диффузия и рост на структурированной поверхности Si (моделирование)
П.Л. Новиков
Эффекты, стимулированные ионами высоких энергий, в диэлектрических слоях с нанокристаллами кремния и германия
И.В. Антонова

Организаторы конференции
 
© ИФП СО РАН, 2014. webmaster@isp.nsc.ru