Гибридные электронно-оптические преобразователи от УФ до ТГц диапазона |
О.Е. Терещенко |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Состояние и перспективы развития охлаждаемых фотоприемных устройств на основе сложных гетероструктур узкозонных полупроводников |
М.В. Якушев |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Электрооптические модуляторы C-диапазона на основе InP |
Д.В. Гуляев |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Малошумящие лавинные фотодиоды для систем связи |
И.Б. Чистохин |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Особенности применения метода импульсной терагерцовой спектроскопии для изучения полупроводниковых материалов и метаструктур |
Н.А. Николаев, С.А. Кузнецов, О.Н. Шевченко, А.А. Рыбак, Ф.А. Минаков, Л.В. Максимов, В.Д. Анцыгин |
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Особенности и перспективы развития отечественной технологической платформы фосфида индия для радиофотонной компонентной базы |
И.С. Васильевский |
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия |
|
Источники стимулированного и лазерного излучения на структурах HgCdTe |
С.В. Морозов |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия |
|
Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных структур с наноостровками Ge(Si) |
М.В. Степихова |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия |
|
Оптические эффекты в композитных магнитоплазмонных наноструктурах |
И.А. Колмычек |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия |
Магнитопоглощение в гетероструктурах на основе CdHgTe с двойными квантовыми ямами |
А.В. Иконников |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия |
|
Исследование динамики носителей заряда в гибридных структурах InGaAs «Квантовые Яма-Точки» методом ап-конверсии фотолюминесценции |
А.М. Надточий |
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия |
|
Гетероструктурные фотопреобразователи солнечного и лазерного излучения |
М.З. Шварц, В.М. Андреев, С.А. Левина, Н.А.Калюжный |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия |
|
Быстродействующие кремниевые фотоприемники от ближнего ИК диапазона до жесткого рентгена |
В.В. Забродский |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия |
|
2D-GaN/AlN monolayer quantum disks for mid-ultraviolet emitters |
В.Н. Жмерик |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия |
|
Киральные пленочные структуры на основе массивов кобальтовых наноспиралей, получаемые методом наклонного напыления |
О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Р.А. Гайдукасов, А.В. Мяконьких |
Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института имени К.А. Валиева Российской академии наук, Ярославль, Россия |
|
Вертикально-излучающие лазеры телекоммуникационных диапазонов 1310 и 1550 нм на основе сверхрешеток: принципы создания, технология изготовления, характеристики |
А.Ю. Егоров
|
ООО «Коннектор Оптикс», Санкт-Петербург, Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук», Санкт-Петербург, Россия
|
|
Состояние работ и перспективы матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия |
Болтарь К.О.1,2, Бурлаков И.Д.1,3, Власов П.В.1, Ерошенков В.В.1, Лопухин А.А.1, Яковлева Н.И.1 |
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ
3МИРЭА, Москва, РФ |
|
Алгоритмы и аппаратно-программные решения формирования и обработки изображений для современных отечественных матричных ИК ФПУ |
Полесский А.В.1,2, Болтарь К.О.1,2, Бурлаков И.Д.1,3, Драгунов Д.Э.1, Лазарев П.С.1, Ляпустин М.Ю.1, В.В. Старцев1 |
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ
3МИРЭА, Москва, РФ |
|
Фотоприемные устройства на основе наноструктурных материалов с ограниченной размерностью |
Попов В.С.1,2, Иванов В.В.2, Пономаренко В.И.1,2, Разумов В.Ф.2 |
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ |
|
Фотоприемники и фотоприемные устройства ИК-диапазона спектра для оптико-электронных систем космического базирования |
В.В. Карпов |
АО "Московский завод Сапфир", г. Москва, Россия
|
|
Состояние и перспективы развития фотонных интегральных схем |
К.Э. Певчих |
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", г Москва, г. Зеленоград
|
|
Атомарно-тонкие органо-неорганические наноструктуры AIIBVI с энантиомерными лигандами: от синтеза к хиральным 2D экситонам |
Д.А.Куртина, В.П.Графова, А.И.Лебедев, Р.Б.Васильев |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия
|
Xe лазерная плазма как эффективный источник рабочего излучения для нанолитографии с длиной волны вблизи 11 нм |
С. Г. Калмыков, П. С. Буторин, М. Э. Сасин. |
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
|
|