Приглашенные доклады
Новости
08.09.2023 Добавлены фотографии
04.09.2023 На сайте ИФП СО РАН размещён сборник тезисов.
14.08.2023 Размещена Программа конференции.
09.06.2023 Размещены Приглашенные доклады
09.06.2021 Продлён срок подачи тезисов до 20 июня 2023 г.
04.04.2023 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2023"!

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Гибридные электронно-оптические преобразователи от УФ до ТГц диапазона
О.Е. Терещенко
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Состояние и перспективы развития охлаждаемых фотоприемных устройств на основе сложных гетероструктур узкозонных полупроводников
М.В. Якушев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Электрооптические модуляторы C-диапазона на основе InP
Д.В. Гуляев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Малошумящие лавинные фотодиоды для систем связи
И.Б. Чистохин
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Особенности применения метода импульсной терагерцовой спектроскопии для изучения полупроводниковых материалов и метаструктур
Н.А. Николаев, С.А. Кузнецов, О.Н. Шевченко, А.А. Рыбак, Ф.А. Минаков, Л.В. Максимов, В.Д. Анцыгин
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
Особенности и перспективы развития отечественной технологической платформы фосфида индия для радиофотонной компонентной базы
И.С. Васильевский
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия
Источники стимулированного и лазерного излучения на структурах HgCdTe
С.В. Морозов
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных структур с наноостровками Ge(Si)
М.В. Степихова
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Оптические эффекты в композитных магнитоплазмонных наноструктурах
И.А. Колмычек
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия
Магнитопоглощение в гетероструктурах на основе CdHgTe с двойными квантовыми ямами
А.В. Иконников
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия
Исследование динамики носителей заряда в гибридных структурах InGaAs «Квантовые Яма-Точки» методом ап-конверсии фотолюминесценции
А.М. Надточий
Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Москва, Россия
Гетероструктурные фотопреобразователи солнечного и лазерного излучения
М.З. Шварц, В.М. Андреев, С.А. Левина, Н.А.Калюжный
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Быстродействующие кремниевые фотоприемники от ближнего ИК диапазона до жесткого рентгена
В.В. Забродский
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2D-GaN/AlN monolayer quantum disks for mid-ultraviolet emitters
В.Н. Жмерик
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Киральные пленочные структуры на основе массивов кобальтовых наноспиралей, получаемые методом наклонного напыления
О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Р.А. Гайдукасов, А.В. Мяконьких
Ярославский Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института имени К.А. Валиева Российской академии наук, Ярославль, Россия
Вертикально-излучающие лазеры телекоммуникационных диапазонов 1310 и 1550 нм на основе сверхрешеток: принципы создания, технология изготовления, характеристики
А.Ю. Егоров
ООО «Коннектор Оптикс», Санкт-Петербург, Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук», Санкт-Петербург, Россия
Состояние работ и перспективы матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия
Болтарь К.О.1,2, Бурлаков И.Д.1,3, Власов П.В.1, Ерошенков В.В.1, Лопухин А.А.1, Яковлева Н.И.1
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ
3МИРЭА, Москва, РФ
Алгоритмы и аппаратно-программные решения формирования и обработки изображений для современных отечественных матричных ИК ФПУ
Полесский А.В.1,2, Болтарь К.О.1,2, Бурлаков И.Д.1,3, Драгунов Д.Э.1, Лазарев П.С.1, Ляпустин М.Ю.1, В.В. Старцев1
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ
3МИРЭА, Москва, РФ
Фотоприемные устройства на основе наноструктурных материалов с ограниченной размерностью
Попов В.С.1,2, Иванов В.В.2, Пономаренко В.И.1,2, Разумов В.Ф.2
1АО «НПО «Орион», Москва, РФ
2МФТИ, Долгопрудный, РФ
Фотоприемники и фотоприемные устройства ИК-диапазона спектра для оптико-электронных систем космического базирования
В.В. Карпов
АО "Московский завод Сапфир", г. Москва, Россия
Состояние и перспективы развития фотонных интегральных схем
К.Э. Певчих
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", г Москва, г. Зеленоград
Атомарно-тонкие органо-неорганические наноструктуры AIIBVI с энантиомерными лигандами: от синтеза к хиральным 2D экситонам
Д.А.Куртина, В.П.Графова, А.И.Лебедев, Р.Б.Васильев
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова», Москва, Россия
Xe лазерная плазма как эффективный источник рабочего излучения для нанолитографии с длиной волны вблизи 11 нм
С. Г. Калмыков, П. С. Буторин, М. Э. Сасин.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
 
© ИФП СО РАН, 2023