Российская конференция и школа молодых ученых
по актуальным проблемам
полупроводниковой фотоэлектроники
(с участием иностранных ученых)
27-31 мая 2019 г., Новосибирск
 
Приглашенные доклады
Новости
21.03.2019 Размещена Программа конференции.
19.02.2019 Продлён срок подачи тезисов до 1 марта 2019 г.
10.01.2019 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2019"!

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Требования, предъявляемые к современным матричным фотоприёмникам наземных оптико-электронных систем
В.Д. Шаргородский1, А.Б. Александров1, А.А. Бабаев2
1Акционерное общество «Научно-производственная корпорация «Системы прецизионного приборостроения», Москва
2Филиал акционерного общества «Научно-производственная корпорация «Системы прецизионного приборостроения», Великий Новгород
Микро- и наноструктурирование оптических материалов с помощью фемтосекундного ИК излучения
С.А. Бабин, А.В. Достовалов, А. Вольф
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Основные тенденции развития оптоэлектронной техники до 2030 года
А.С. Башкатов, Д.Н. Мещерова
Мытищинский научно-исследовательский институт радиоизмерительных приборов, г. Мытищи, Московская область
Коллоидные атомно-тонкие квантовые ямы на основе соединений А2В6
Р.Б. Васильев
Факультет наук о материалах, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
Излучатели терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур
В.И. Гавриленко
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Основные тенденции и перспективы развития оптико-электронных систем в авиационном приборостроении
Е.В. Гаврилов
АО "НПК ПЕЛЕНГАТОР", Санкт-Петербург
Неклассические излучатели света на основе селективно-позиционированных гибридных микрорезонаторов и (111)In(Ga)As квантовых точек
И.А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм
А.Ю. Егоров
ООО «Коннектор Оптикс», Санкт-Петербург
Быстродействующие температурно-стабильные микролазеры
А.Е. Жуков
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, Санкт-Петербург
Приборы радиофотоники на основе фосфида индия
К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Фотоника среднего УФ диапазона на основе AlGaN наногетероструктур
С.В. Иванов, В.Н. Жмерик
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Текущее состояние и актуальные направления развития космической фотоэнергетики
С.Г. Кочура, С.И. Опенько, М.В. Нестеришин, П.А. Крючков, Е.О. Воронцова
АО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва», г. Железногорск Красноярского края
Первый российский 40 Гбит/с BPSK- модулятор на основе волоконного интерферометра Маха-Цендера и его применение для решения задач передачи и обработки аналогового сигнала
И.А. Копаев, Р.З. Ибрагимов
ООО «Т8», Москва
Конкуренция излучательной и оже-рекомбинации в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазонах
С.В. Морозов1, В.В. Румянцев1, В.В. Уточкин1, Н.С. Куликов1, М.С. Жолудев1, М.А. Фадеев1, В.Я. Алёшкин1, Н.Н. Михайлов2, В.И. Гавриленко1
1Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Новые материалы для фотоэлектронники на основе двумерных наноструктур
В.П. Пономаренко, В.С. Попов, Е.Л. Чепурнов
НПО «Орион», г. Москва
Требования к перспективным ИК фотоприемным устройствам космического применения
Е.С. Постников, Ю.И. Белоусов
Филиал АО "Корпорация "Комета" НПЦ "ОЭКН", Санкт-Петербург
Комплексная мульти- и гиперспектральная обработка изображений видимого и ИК диапазонов в задачах обнаружения и классификации объектов на неоднородном фоне
О.И. Потатуркин, С.М. Борзов
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
Прикладные вопросы проектирования и изготовления фотонных компонентов для приборов и систем
В.К. Струк
НИИ радиофотоники и оптоэлектроники ПАО ПНППК, г. Пермь
Оптическое детектирование спиновой поляризации свободных электронов в полупроводниковых гетероструктурах с пространственным разрешением
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, В.С. Русецкий, Н.С. Назаров, А.В. Миронов, В.В. Аксенов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров
В.М. Устинов
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург
Цифровые методы повышения качества изображения в тепловизионных приборах
А.В. Голицын, И.И. Кремис, А.О. Лебедев, Б.Н. Новгородов, А.Г. Паулиш, В.Н. Федоринин, П.И. Шапор, К.П. Шатунов
Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», г. Новосибирск
РТ-симметрия терагерцовой фотопроводимости в структурах на основе Hg1-xCdxTe с инверсным спектром
А.В. Галеева1), А.С. Казаков1), А.И. Артамкин1), Л.И. Рябова2), С.А. Дворецкий3), Н.Н. Михайлов3), М.И. Банников4), С.Н. Данилов5), С.Д. Ганичев5), Д.Р. Хохлов1,4)
1 Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
2 Химический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
5 University of Regensburg, Regensburg, Germany
Нелинейная ТГц фотоника жидкостей
А.П. Шкуринов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
Опыт проектирования и создания радиофотонного Радиолокатора Х диапазона с фотонным гетеродином и другими элементами радиофотоники. Опыт создания и результаты испытаний радиофотонных АЦП - Х диапазона. Общее состояние и перспективы развития радиофотоники в России
С.Д. Сапрыкин, А.Н. Шулунов, В.В. Валуев, А. Гаврюшин, И.Н. Крикунов, Д. Фофанов, С. Головин
АО «НПК «НИИДАР», Москва
Поверхностные плазмонные волны в гибридных фотодетекторах Ge/Si с металлическими субволновыми решетками
А.И. Якимов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Матричные ИК фотоприемники на основе гетероструктур узкозонных полупроводников
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
 
© ИФП СО РАН, 2019. webmaster@isp.nsc.ru