| Стимулированное излучение на переходах между лестницами Ванье-Штарка в полупроводниковых сверхрешетках |
| А.А. Андронов, Е.П. Додин, Ю.Н. Ноздрин, Д.И. Зинченко1; М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица2; В.А. Беляков, И.В. Ладенков, А.Г. Фефелов3 |
1ИФМ РАН, Н.Новгород
2ФГУП «Салют», Н.Новгород
3«Сигм-Плюс», Москва |
| Космическая фотосенсорика |
| И.Д. Бурлаков1,2, В.П. Пономаренко1,3, А.М. Филачев1,2 |
1АО «НПО «Орион», Москва
2МГТУ МИРЭА, Москва
3МФТИ (ГУ), Москва |
| Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe |
| А.В. Войцеховский1, Н.Х. Талипов2 |
1Томский государственный университет, Томск
2Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва |
| Эффекты гигантского магнитосопротивления в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник, индуцированные оптическим излучением |
| Н.В. Волков |
| Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск |
| Лазеры дальнего ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников и гетероструктур с квантовыми ямами |
| В.И. Гавриленко |
| Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
| Разработка неклассических излучателей на основе полупроводниковых квантовых точек |
| В.А. Гайслер |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| Перспективы коллоидной оптоэлектроники |
| С.В. Гапоненко |
| Институт физики им. Б.И.Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
| Фотоприемные устройства на основе гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути |
| Брунев Д.В., Васильев В.В., Варавин В.С., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В., А.В. Латышев |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| Асимметричные барьерные слои и их применение в полупроводниковых лазеров |
| А.Е. Жуков1, М.В. Макисмов1,2, Ю.М. Шерняков2,1, Н.В. Крыжановская1, Ф.И. Зубов1, А.С Паюсов1,2, Ю.В. Кудашова1, Е.С. Семенова3, Л.В. Асрян4 |
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, Denmark
4Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA |
| Terahertz Detectors Based on Plasma Oscillations in Nanometer Field Effect Transistors |
| W. Knap1,2, D. But1, N. Dyakonova1, D. Coquillat1, M. Vitiello3, S.D. Ganichev4, M.Sypek5 |
1Charles Coulomb Laboratory, CNRS &Montpellier University, Montpellier (France)
2High Pressure Institute Polish Academy of Sciences Warsaw (Poland)
3NEST, Istituto Nanoscienze - CNR and Scuola Normale Superiore Pisa (Italy)
4Terahertz Center, University of Regensburg, Regensburg, 93040, (Germany)
5Optical Information Processing Laboratory, Warsaw University of Technology, (Poland) |
| Матричные болометрические приемники в исследованиях на терагерцовом лазере на свободных электронах |
| Б.А. Князев1,2, В.В. Герасимов1,2, М.А. Демьяненко3, Д.Г. Есаев3, И.В. Марчишин3, А.А. Никитин2, Ю.Ю. Чопорова1,2 |
1Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
2Новосибирский государственный университет
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
|
| Потенциальные возможности Новосибирского лазера на свободных электронах для исследований в области длин волн (270 – 5) микрон |
| Г.Н. Кулипанов |
| Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск |
| Лазерная нанолитография |
| Ю.Н. Кульчин |
| Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток |
| Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для устройств и систем радиофотоники |
| С.А. Малышев, А.Л. Чиж, К.Б. Микитчук, А.А. Тептеев, А.С. Шуленков |
| Институт физики НАН Беларуси, Минск |
| Комбинационное рассеяние света и инфракрасное поглощение полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах |
| А.Г. Милёхин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякинa1, С.А. Кузнецов2, V.M. Dzhagan3, А.В. Латышев1, D.R.T. Zahn3 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный университет, Новосибирск
3Semiconductor Physics, Technische Universität Chemnitz, Chemnitz, Germany |
| Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe |
| К.Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов1, Н.Н. Михайлов3, М.В. Якушев3, В.С. Варавин3, С.А. Дворецкий3 |
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| Status of mid and long infrared detectors at Vigo System |
| A. Piotrowski |
| VIGO System S.A., Ożarów Mazowiecki (Poland) |
| Высокоскоростные оптические модуляторы на основе нелинейно-оптических полимеров |
| А.И. Плеханов |
| Институт автоматики и электрометрии СО РАН |
| Информационное обеспечение систем наблюдения распределенных роботизированных комплексов |
| С.М. Борзов1, А.В. Голицын2, Б.С. Долговесов1, О.И. Потатуркин1, М.Н. Филиппов1 |
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ», Новосибирск
|
| Проблемы создания высокоэффективных солнечных преобразователей для космических аппаратов |
| О.П. Пчеляков |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| Формирование лазерных пучков терагерцового диапазона на основе применения дифракционной компьютерной оптики |
| В.С. Павельев1,2, А.Н. Агафонов1, Н.А. Винокуров3,4, Б.О. Володкин1, Б.А. Князев3,4, Г.Н. Кулипанов3, В.А. Сойфер1,2, К.Н. Тукмаков1, Ю.Ю. Чопорова3,4 |
1Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)
2Институт систем обработки изображений РАН
3Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН
2Новосибирский государственный университет
|
| Оптические свойства кирально-модулированных фотонных структур |
| С.Г. Тиходеев |
| Институт общей физики им. А.М. Прохорова, Москва |
| Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры |
| В.М. Устинов |
| Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург |
| Терагерцовое зондирование поверхностных состояний в топологических изоляторах |
| Д.Р. Хохлов |
| Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва |
| Высокоорганизованные J-агрегаты полиметиновых красителей как сенсоры в фотоэлектронике |
| Б.И.Шапиро |
| Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова |
Список приглашенных докладов будет дополняться на основании отбора из представленных тезисов.
