ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
630090, пр. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, Россия
ТЕЗИСЫ
Тезисы докладов, подготовленные в соответствии с Инструкцией, должны быть представлены вместе со сканом Экспертного заключения на опубликование в открытой печати не позднее 26 июня 2015 г.: