Нанометровые слои и структуры в кремниевой электронике |
В.П. Попов, М.С. Тарков, И.Е. Тысченко, A.В. Мяконьких, K.В. Руденко |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия приборных гетероструктур |
К.С.Журавлев, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, Д.В.Дмитриев, А.М.Гилинский, Д.В.Гуляев |
|
Развитие технологий и приборов оптического, инфракрасного и миллиметрового диапазона в Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» |
С.М.Чурилов |
|
Синтез наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.А. Тимофеев, К.Б. Фрицлер |
|
Физика и технология гетероструктур применительно к твердотельной и вакуумной спинтронике и оптоэлектронике |
О.Е.Терещенко |
|
Новые квантовые эффекты в низкоразмерных электронных системах на основе HgTe |
З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.Д. Дворецкий |
|
Фотоэлектрические эффекты в квантовых низкоразмерных структурах |
В.М. Ковалев |
|
Применение высоковозбужденных ридберговских атомов в квантовых вычислениях и квантовых сенсорах |
И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.Н. Ашкарин |
|
Десять лет технологии наногетероэпитаксиальных структур HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и устройства |
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.В. Вишняков, С.А. Дворецкий, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, Д.В. Марин, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, А.В. Латышев |
|
Лавинный фотодиод на основе гетероструктуры InP/InGaAs/InP для счетчика фотонов в системах оптоволоконных квантовых коммуникаций |
И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.С. Аксенов, И.И. Рябцев, В.В. Преображенский, А.В. Латышев |
|
Атомно-силовая микроскопия в полупроводниковых нанотехнологиях: диагностика, метрология и литография |
Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, Д.И. Рогило, Е.Е. Родякина, С.В. Ситников, А.К. Гутаковский, Е.В. Сысоев, А.В. Латышев |
|
Разработка элементов сенсорных систем кремниевой электроники и фотоники |
О.В. Наумова |
|
Управление функциональными характеристиками компонент наноэлектроники и нанофотоники на основе полупроводниковых наноструктур |
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф. Зиновьева, В.А. Володин, А.Г. Погосов, Н.П. Степина, В.А. Зиновьев , Ж.В. Смагина, В.В. Кириенко, Д.А. Похабов, А.А. Шевырин, Е.Ю. Жданов |
|