Международная конференция "Физика полупроводниковых структур"


22-24 апреля 2024 г., Новосибирск

Программа

Место проведения

Контакты

Новости

15.03.2024 Размещена Программа конференции

04.03.2024 Добро пожаловать
на сайт «Международной конференции по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур»!

Программа конференции

Понедельник, 22 апреля 2024 г.
1-е заседание Председатель – Двуреченский А.В.
9³⁰ – 9⁴⁵	Открытие конференции. Вступительное слово. Академик РАН Латышев Александр Васильевич

9⁴⁵ – 10¹⁰	В.М. Ковалев Фотоэлектрические эффекты в квантовых низкоразмерных структурах
10¹⁰ – 10³⁵	О.Е. Терещенко Физика и технология гетероструктур применительно к твердотельной и вакуумной спинтронике и оптоэлектронике
10³⁵-11⁰⁰	В.П. Попов, М.С. Тарков, И.Е. Тысченко, A.В. Мяконьких, K.В. Руденко Нанометровые слои и структуры в кремниевой электронике
11⁰⁰ – 11²⁰	Кофе-брейк
2-е заседание Председатель – Милёхин А.Г.
11²⁰ – 11⁴⁵	М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.В. Вишняков, С.А. Дворецкий, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, Д.В. Марин, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, В.Г.Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, А.В. Латышев Десять лет технологии наногетероэпитаксиальных структур HgCdTe. Рост, квантовые эффекты и устройства
11⁴⁵ – 12¹⁰	А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.А. Тимофеев, К.Б. Фрицлер Синтез наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы методом молекулярно-лучевой эпитаксии
12¹⁰ – 12³⁵	И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.С. Аксенов, И.И. Рябцев, В.В. Преображенский, А.В. Латышев Лавинный фотодиод на основе гетероструктуры InP/InGaAs/InP для счетчика фотонов в системах оптоволоконных квантовых коммуникаций
12³⁵ – 14³⁰	Обед
3-е заседание Председатель - Якушев М.В.
14³⁰ – 14⁵⁵	О.В. Наумова Разработка элементов сенсорных систем кремниевой электроники и фотоники
14⁵⁵ – 15²⁰	З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.Д. Дворецкий Новые квантовые эффекты в низкоразмерных электронных системах на основе HgTe
15²⁰-15⁴⁵	В.А. Ткаченко, А.С. Ярошевич, З.Д. Квон, Н.С. Кузьмин, О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, И.В. Марчишин, А.К. Бакаров, Е.Е. Родякина, В.А. Антонов, В.П. Попов, А.В. Латышев Высокая чувствительность мезоскопических наносистем к микроволнам
15⁴⁵– 16⁰⁰	Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий, С.М. Дзядух, Р.В. Меньшиков, В.Г. Ремесник, Г.Ю. Сидоров, И.Н. Ужаков Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
16⁰⁰ – 16²⁰	Кофе-брейк
4-е заседание Председатель –Терещенко О.Е.
16²⁰ – 16³⁵	В.А. Селезнев, В.С. Тумашев, Б.В. Волошин Технологии формирования массивов наноструктур, основанные на методах штамповой литографии и атомно-слоевого осаждения пленок оксидов ванадия
16³⁵ – 16⁵⁰	А.Г. Милёхин, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Е.Е. Родякина, И.А. Милёхин. А.В. Латышев Ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур
Вторник, 23 апреля 2024 г.
5-е заседание Председатель – Попов В.П.
9⁰⁰ – 9²⁵	А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф. Зиновьева, В.А. Володин, А.Г. Погосов, Н.П. Степина, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина, В.В. Кириенко, Д. А. Похабов, А.А. Шевырин, Е.Ю. Жданов Управление функциональными характеристиками компонент наноэлектроники и нанофотоники на основе полупроводниковых наноструктур
9²⁵ – 9⁵⁰	Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, Д.И. Рогило, Е.Е. Родякина, С.В. Ситников, А.К. Гутаковский, Е.В. Сысоев, А.В. Латышев Атомно-силовая микроскопия в полупроводниковых нанотехнологиях: диагностика, метрология и литография
9⁵⁰ – 10¹⁵	И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.Н. Ашкарин Применение высоковозбужденных ридберговских атомов в квантовых вычислениях и квантовых сенсорах
10¹⁵ – 10⁴⁰	К.С. Журавлев, А.И. Торопов, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.М. Гилинский, Д.В. Гуляев Молекулярно-лучевая эпитаксия приборных гетероструктур
10⁴⁰ – 11⁰⁵	С.М. Чурилов Развитие технологий и приборов оптического, инфракрасного и миллиметрового диапазона в Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ»
11⁰⁵ – 11³⁰	Кофе-брейк
6-е заседание Председатель – Милёхин А.Г.
11³⁰ – 11⁴⁵	М.С. Аксенов, К.С. Журавлев, В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, М.А. Путято, И.Ю. Гензе, М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, Е.Р. Закиров, М.А. Суханов Разработка основ технологии создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A₃B₅
11⁴⁵ – 12⁰⁰	Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, И.В. Осинных, Я.Е. Майдэбура, Д.Д. Башкатов Аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
12¹⁵ – 12³⁰	A.S. Esbergenova, U.A. Shaislamov Effect of Fe and Cu impurity induced donor and acceptor levels on the photocatalytic activity of ZnO.
12⁴⁵ – 13⁰⁰	Д.А. Колосовский, Д.В. Бекреева, Т.М. Залялов, С.А. Пономарев, Ю.Г. Шухов, А.А. Морозов, С.В. Старинский Синтез пленок золота на подложках кремния и кварца наносекундными лазерными импульсами.
13⁰⁰ – 13¹⁵	В.В. Дирко, О.И. Кукенов, К.А. Лозовой, А.П. Коханенко Влияние температуры подложки на процессы эпитаксиального роста Ge на Si (001).
13¹⁵ – 13³⁰	Закрытие конференции

Время для выступления:

приглашенные доклады: 25 мин., включая ответы на вопросы
устные доклады: 15 мин., включая ответы на вопросы.

Докладчикам будет предоставлено необходимое оборудование: мультимедийный проектор, микрофон, пульт управления/указка. Авторы могут обратиться в оргкомитет для предварительного тестирования демонстрационных файлов.

Тезисы