КОНФЕРЕНЦИЯ И ШКОЛА МОЛОДЫХ УЧЁНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ
ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
(с участием иностранных учёных)
посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН
15-18 сентября 2014 г., Новосибирск
Новости
27.08.2014 Размещена программа конференции.
22.08.2014 Размещена предварительная программа конференции.
14.04.2014 Добро пожаловать на сайт конференции
Контакты
Факс: (383)333-27-71
E-mail:
Каламейцев Александр Владимирович - ученый секретарь конференции
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: (383)333-24-88
Адрес
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия

В 2014 году ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН отмечает 50-летний юбилей. Институт был создан на сибирской земле в период бурного развития новосибирского Академгородка в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР. За эти годы ИФП СО РАН превратился в междисциплинарный исследовательский центр, совмещающий в себе академическую науку, направленную на фундаментальные исследования, практическую реализацию востребованных высокотехнологических инновационных разработок для современной электроники и подготовку высококвалифицированных научных исследователей и инженерно-технических специалистов.

Институт занимает ведущие позиции в области физики полупроводников, физики конденсированного состояния, физики и технологии низкоразмерных систем для опто-, нано- и акустоэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники. Основные фундаментальные достижения Института связаны с исследованием атомных процессов и электронных явлений на поверхности полупроводников и границах раздела полупроводниковых структур, квантовых эффектов в структурах пониженной размерности, в том числе, в эпитаксиальных сверхрешетках и гетероструктурах с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками. На основе полученных результатов реализованы приборные разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона для устройств ночного видения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов и наносенсоров. Основой успехов научных исследований Института являются разработки оборудования и развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации, электронной и штамповой литографии, которые стали основой современных технологий для полупроводниковой электроники, а также разработки методов и оборудования на основе эллипсометрии, электронной, туннельной и атомно-силовой микроскопии, лазеров для диагностики и модификации материалов и структур.

Юбилейные мероприятия, посвященные празднованию 50-летия Института, пройдут с 15 по 18 сентября 2014 г.

Для участия в конференции в срок до 1 июня 2014 года следует зарегистрироваться ONLINE и разместить тезисы доклада.

Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Организаторы конференции
 
© ИФП СО РАН, 2014. webmaster@isp.nsc.ru