Российское совещание по актуальным проблемам
полупроводниковой фотоэлектроники

ФОТОНИКА 2008

Новосибирск
19-23 августа 2008

ГЛАВНАЯ
ТЕМАТИКА СОВЕЩАНИЯ
ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ
ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТ
КОНТАКТЫ
РЕГИСТРАЦИОННАЯ ФОРМА
ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ
ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ ВЗНОС
ПРОГРАММА
ТРАНСПОРТ

РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ 19 АВГУСТА В 9:00.

Вторник, 19 августа
1-е заседание Председатель – А.Л.Асеев
15:00-15:15Открытие совещания. Вступительное слово Председателя СО РАН, директора ИФП СО РАН А.Л.Асеева.
15:15-15:40Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Е.В. Дегтярев, С.А. Дворецкий, П.П. Добровольский, Т. И. Захарьяш, А.Г. Клименко, А.Д. Крайлюк, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков, М.В. Якушев, А.Л. Асеев. Инфракрасные фотоприемные устройства второго поколения на основе оптимизированных ГЭС КРТ МЛЭ.
15:40-16:05А.А.Борисов, Е.В.Дегтярев, А.А.Солодков. Приоритеты развития фотоэлектронной компонентной базы специального назначения до 2020 года.
16:05-16:30М.А.Демьяненко, Д.Г.Есаев, В.Н.Овсюк, Б.И.Фомин, А.Л.Асеев, Б.А.Князев, Г.Н.Кулипанов, Н.А.Винокуров. Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов.
ПЕРЕРЫВ 15 мин
2-е заседание Председатель – А.М.Филачев
16:45-17:10Б.Г.Васильев, Ю.А.Кузнецов, А.С.Скрылёв. Интегрированная компонентная база фотоэлектроники, разрабатываемая в ФГУП «НПП «Пульсар».
17:10-17:25Д.А.Гиндин, В.П.Ежов, В.В.Карпов, В.С.Крашенинников, Н.С.Кузнецов, В.И.Петренко. Унифицированные вакуумные криостаты для матричных и субматричных ФПУ.
17:25-17:40К.О.Болтарь, И.Д.Бурлаков, А.М.Филачев, Н.И.Яковлева Модуль формирования тепловизионного видеосигнала на основе МФПУ формата 256х256 элементов.
17:40-17:55М.С. Никитин, Г.В. Чеканова, А.А. Комов, И.Ю. Ларцев, Н.Х. Талипов. Анализ характеристик фоторезисторов, SPRITE-фотоприемников и фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ, изготовленных в промышленных условиях. Проблемы сертификации структур, однородности и стабильности параметров структур и приборов.
17:55-18:10T.В.Бланк, Ю.А.Гольдберг. Селективные фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе широкозонных полупроводников.
19:00Фуршет
Среда, 20 августа
3-е заседание Председатель – А.В.Двуреченский
09:00-09:25Ю.П.Яковлев. Быстродействующие GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона чувствительности 1,6-4,0 мкм.
09:25-09:50Ф.Ф.Сизов. Полупроводниковые приемники излучения: от ИК до микроволнового диапазонов.
09:50-10:05П.Д.Гиндин, В.С.Кондратенко. Новые технологии в производстве приборов опто- и наноэлектроники.
10:05-10:20Е.Ю.Задиранов, И.С.Котоусова, Б.В.Пушный, Н.С.Савкина, А.А.Ситникова. Рост и исследование наноструктур карбида кремния, выращенных на подложках кремния.
ПЕРЕРЫВ 15 мин
4-е заседание Председатель – В.Н.Шумский
10:35-11:00А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Полупроводниковые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазона.
11:00-11:25А.В.Антонов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, К.Е.Кудрявцев, О.А.Кузнецов, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, М.В.Шалеев, Д.В.Шенгуров, В.Б.Шмагин, А.Н.Яблонский, N.D.Zakharov, P.Werner. Электролюминесценция и фотопроводимость наногетероструктур с самоформирующимися Ge(Si) островками.
11:25-11:50И.С.Тарасов. Мощные полупроводниковые лазеры (0.8-1.1 мкм) на базе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения.
11:50-12:05В.Я. Алёшкин, В.И. Гавриленко, А.А. Дубинов, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, А.А. Бирюков, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Н.Н. Семенов, А.А. Белянин, В.В. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский. Генерация разностной частоты в среднем ИК диапазоне в «двухчиповых» полупроводниковых лазерах GaAs/InGaAs/InGaP.
12:05-12:20Е.В.Сусов, Н.М.Акимова, А.В.Гусаров, В.В.Карпов, В.В.Крапухин, А.В.Филатов, В.И.Шаевич. Долговременная стабильность фоторезисторов из ГЭС КРТ МЛЭ спектрального диапазона 8-12 мкм.
12:20-14:00ОБЕД
14:00-15:00Стендовая сессия (доклады 1-25, 63).
5-е заседание Председатель – А.В.Латышев
15:00-15:25И.И. Ижнин. Ионное травление в технологии создания фотоприемников на основе CdxHg1-xTe.
15:25-15:40И.А. Денисов, Ю.Б.Андрусов, Н.А.Смирнова, Н.И.Шматов, А.А.Шленский. Современное состояние и перспективы развития производства ЭС КРТ методом ЖФЭ в ФГУП «ГИРЕДМЕТ».
15:40-15:55В.А.Володин, А.В.Двуреченский, Е.И.Гацкевич, Г.Д.Ивлев, А.И.Никифоров, А.И.Якимов. Лазерная модификация квантовых точек в Ge/Si гетероструктурах.
15:55-16:10Л.В. Арапкина, К.В. Чиж, В.М. Шевлюга, В.А. Юрьев. Управляемое формирование массивов плотноупакованных нанокластеров Ge на поверхности кремния Si(001) методом сверхвысоковакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии.
16:10-16:25Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Д.И. Крыжков, Г.Д. Ивлев, П.И. Гайдук. Наноимпульсное воздействие лазерного/ионного пучков на слои Si←Er+
16:25-16:40П.Н. Мелентьев, Д.А. Лапшин, В.И. Балыкин Ю.В. Агафонов, А.Ф. Вяткин А.В. Заблоцкий, А.С. Батурин. Нанолитография методами атомной оптики.
ПЕРЕРЫВ 15 мин
6-е заседание Председатель – З.Ф.Красильник
16:55-17:20А.И.Непомнящих. Мультикристаллический кремний для солнечной энергетики
17:20-17:35С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, А.Л. Асеев. Перспективный материал для ИК фотоприемников - наноструктуры на основе CdхHg1-хTe.
17:35-17:50Ю.Н.Долганин, В.В.Карпов, В.П.Корольков, М.А.Савченко, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров. Фотоприёмники с барьерными нанослоями в системах теплового контроля нового поколения для РЖД.
17:50-18:05Р.В. Лёвин, Б.В. Пушный, В.П.Хвостиков, М.Н. Мизеров, В.М. Андреев Термофото-преобразователи на основе антимонида галлия.
Четверг, 21 августа
7-е заседание Председатель – Ф.Ф.Сизов
09:00-09:25Г.Л.Курышев. Разработка и применение оптоэлектронных приборов на основе МДП-ИК ФПУ на арсениде индия. (Термография, ИК-микроскопия, ИК-спектроскопия).
09:25-09:50А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы.
09:50-10:05Е.С.Жукова, Б.П.Горшунов., В.А.Караванский, А.С.Прохоров. Терагерцовая и инфракрасная спектроскопия нанопористого кремния
10:05-10:20Е.В.Берегулин, П.Г.Кашерининов, А.А.Томасов. Быстрые оптические регистрирующие среды на полупроводниковых наноструктурах (GaAs, CdTe) для корреляторов изображений с параллельной обработкой информации.
10:20-10:35Ю.Р.Винецкий, В.В.Карпов, В.П.Астахов, Д.В.Бородин, В.Ф.Чишко. ВЗН субматрицы ИК-диапазона с разреженной структурой (РС ВЗН): концепция, технология, приборная реализация.
10:35-10:50В.В.Васильев, А.В.Предеин, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, В.П.Рева, Ю.Г.Сидоров, Ф.Ф.Сизов, А.О.Сусляков, А.Л.Асеев. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом ВЗН.
ПЕРЕРЫВ 15 мин.
8-е заседание Председатель – А.Г.Васильев
11:05-11:30С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Физические границы технических характеристик фотоприёмников на основе фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством.
11:30-11:45В.М.Белоконев, В.Г.Волков.Приборы ночного видения с использованием фотоприемных устройств на основе соединения InGaAs.
11:45-12:00Е.В.Костюков, А.М.Маклаков, А.С.Скрылёв. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью с временной задержкой и накоплением заряда.
12:00-12:15В.А.Войтов, Е.В.Дегтярев, П.А.Сысоев. Особенности испытаний нового поколения средств ночного видения на основе ЭОП 5-го поколения.
12:15-12:30А.Г.Журавлев, В.Л. Альперович, К.В.Торопецкий, А.С.Терехов. Атомная структура, электронные свойства и эмиссионные характеристики фотокатодов на основе GaAs:Sb(Cs,O).
12:30-12:45В.Н. Федоринин, А.Г. Паулиш. Оптический метод считывания с многоэлементной структуры механических резонансных элементов.
12:45-14:00ОБЕД
14:00-15:00Стендовая сессия (доклады 26-53)
15:00-18:30Экскурсия
Пятница, 22 августа
9-е заседание Председатель – В.Н.Овсюк
09:00-09:25В.А.Гайслер. Сверхбыстродействующие лазеры и излучатели одиночных фотонов с вертикальным резонатором.
09:25-09:40К.С.Журавлев, В.Г.Мансуров, С.Гриняев, Г.Караваев, Р.Tronc. ИК фотоприемники на межподзонных переходах в GaN/AlGaN квантовых точках.
09:40-09:55С.А.Тарасенко, P.Olbrich, С.Д.Ганичев, З.Д.Квон. Циркулярный фотогальванический эффект в МДП структурах.
09:55-10:10Р.В.Лёвин, В.В.Евстропов, С.В.Сорокина, В.С. Калиновский, Б.В. Пушный, О.А.Хвостикова, В.М. Андреев. Особенности токопрохождения в GaSb p-n переходах, легированных Zn или Si.
10:10-10:25Е.В.Андреева, В.В.Васильев, Ж.В.Гуменюк-Сычевская, С.А.Дворецкий, В.В.Забудский, И.А.Лысюк, Н.Н.Михайлов, Ф.Ф.Сизов. Сравнение токовых характеристик фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ и ЖФЭ спектрального диапазона 8-12 мкм.
ПЕРЕРЫВ 15 мин.
10-е заседание Председатель – Е.В. Дегтярев
10:40-11:05П.В. Журавлев, В.А.Войтов, Е.В.Дегтярев, В.А.Моисеев, Л.К.Попов, Е.А.Терешин, К.П.Шатунов. Оценка областей эффективного применения тепловизионных приборов на основе матричных и субматричных ФПУ на предельных дальностях действия.
11:05-11:30Г.Н.Попов. Систематизация оптико-электронных приборов прицеливания, наведения, разведки и наблюдения для сухопутных войск РФ.
11:30-11:45Л.И.Горелик, Д.Ю.Тренин. Синтез изображения в двухдиапазонной тепловизионной системе.
11:45-12:00П.А.Алдохин, П.В.Журавлев, Л.К.Попов, А.В.Турбин, С.М.Чурилов Современные телевизионные камеры для наблюдения слабо освещенных объектов.
12:00-12:15А.Н. Галянтич, И.С. Гибин, К.М. Ермошин, В.В. Золотцев, М.В. Киселев. Модульная архитектура построения тракта обработки сигнала в тепловизионной и теплопеленгационной аппаратуре.
12:14-12:30С.С.Милосердов, А.А.Солодков. Метод автоматизированного определения температурно-частотной характеристики тепловизионного канала.
12:30-14:00ОБЕД
14:00-15:00Стендовая сессия (доклады 54-86)
11-е заседание Председатель – И.Г.Неизвестный
15:00-15:25А.В.Войцеховский. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.
15:25-15:40Д.В. Чесноков, В.В. Чесноков. Лазерное формирование наноразмерных структур.
15:40-15:55А.А.Шкляев, Ё.Накамура, Ф.Н.Дульцев, М.Ичикава. Электролюминесценция наноструктурированного кремния в диапазоне 1.4-1.7 µм при комнатной температуре.
15:55-16:10Г.С. Мельников, Н.А. Клишо, В.М. Самков, Ю.И. Солдатов, Э.Д.Панков, В.В.Коротаев. Метод реализации режима сверх разрешения на двух диапазонных QWIP матрицах.
16:10-16:25В.П.Рева, Ф.Ф.Сизов. Схемы считывания информации с охлаждаемых ИК фотоприемников.
16:25-16:40В.П.Рева, Ф.Ф.Сизов, С.Е.Духнин, В.В.Забудский, А.С.Станиславский, А.Г.Голенков, С.В.Коринец. Стенд для измерения параметров ИСС различных форматов и ФПУ.
16:40-16:55А.В.Голицын, П.В.Журавлев, Г.Е.Журов, А.В. Корякин, А.П. Чихонадских, В.Б.Шлишевский, Т.В.Яшина. Псевдобинокулярный многоканальный прибор обнаружения.
16:55-17:10А.Г.Клименко, Т.Н.Недосекина, Н.В.Карнаева, И.В.Марчишин, А.Р.Новоселов, В.Н.Овсюк, Д.Г.Есаев. Принципы сборки крупноформатных модулей на индиевых микростолбах.
ПЕРЕРЫВ 15 мин.
17:25-18:45Круглый стол Председатель – А.Л.Асеев
18:45ЗАКРЫТИЕ СОВЕЩАНИЯ
Суббота, 23 августа
Экскурсия в ИФП СО РАН и КТИ ПМ СО РАН

 

С Т Е Н Д О В Ы Е    Д О К Л А Д Ы

    Методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона.
  1. В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров. Встраивание мышьяка и его электрическая активность в пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом МЛЭ.
  2. Н.В.Прудников, В.В.Чесноков, Д.В.Чесноков, С.Л.Шергин, В.Б.Шлишевский. Использование термоиндуцированных наноразмерных поверхностных деформаций для защиты от поражающего лазерного излучения.
  3. Д.В.Чесноков, В.В.Чесноков, Д.С.Михайлова. Лазерное формирование пленочных наноструктурированных элементов.
  4. К.Ю.Погребицкий, М.Д.Шарков. Концептуальные методы неразрушающей диагностики современной фотоэлектроники.
  5. В.А.Швец, М.В.Якушев, Е.В.Спесивцев, С.В.Рыхлицкий, Ю.Г.Сидоров. Эллипсометрический контроль при выращивании буферных слоев CdZnTe.
  6. Л.В. Арапкина, В.А.Юрьев, В.М. Шевлюга. Низкотемпературная очистка поверхности Si(001) от пленки естественного окисла для процессов молекулярно-лучевой эпитаксии.
  7. Л.В. Арапкина, К.В.Чиж, В.А.Юрьев. Начальная стадия роста квантовых точек Ge на поверхности Si(001) при низких температурах.
  8. Ю.Ц.Батомункуев, Н.А.Мещеряков. Внеосевые объемные голограммные элементы для ИК диапазона спектра.
  9. А.Б.Беркин, И.А.Филиппович. Особенности электронной тренировки МКП.
  10. К.О.Болтарь, Н.И.Яковлева. Исследование характеристик эпитаксиальных слоев КРТ по спектрам пропускания.
  11. Д.В.Брунев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков, М.В.Якушев. Стабильность параметров ГЭС КРТ МЛЭ и фоторезисторов на их основе при воздействии повышенной температуры.
  12. А.В. Войцеховский, Д.В.Григорьев, А.П.Коханенко, А.Г. Коротаев, В.С.Волков, В.Г.Средин, Н.Х.Талипов, И.И.Ижнин. Исследования влияния ионной имплантации бора и ионно-лучевого травления варизонных структур МЛЭ КРТ при формировании n-p-переходов.
  13. С.Ф.Девятова, О.И.Семёнова, Н.А.Валишева, Г.Л.Курышев. ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ ВИСЯЩИХ КОНСТРУКЦИЙ.
  14. В.Б.Анзин, А.А.Волков, Ю.Г.Гончаров, Б.П.Горшунов, Г.А.Гусев, Е.С.Жукова, С.П.Лебедев, Г.А.Командин, О.Е.Породинков, А.С.Прохоров, И.Е.Спектор. Быстродействующий двухкоординатный сканирующий ТГц-спектрометр для исследования неоднородностей в полупроводниковых планарных структурах.
  15. А.А.Гузев, В.Г.Кеслер, А.П.Ковчавцев, З.В.Панова, В.В.Южаков. Пассивация поверхности InAs методом сухого окисления в плазме тлеющего разряда.
  16. А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, В.А.Тимофеев, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский. Переход 2D-3D в процессе роста напряженных гетероструктурах GeSi методом МЛЭ.
  17. В.М.Базовкин, Н.А.Валишева, А.А.Гузев, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, И.П.Михайловский, З.В.Панова. Пассивация поверхности InAs с подзатворными диэлектриками SiO2 и Si3N4.
  18. С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, Н.Н.Михайлов, В.И.Ободников, Р.Н.Смирнов, В.А.Швец. In situ эллипсометрический контроль уровня легирования мышьяком при МЛЭ Cd0,2Hg0,8Te.
  19. А.Е.Афанасьев, П.Н.Мелентьев, В.И.Балыкин. Метод создания наноструктур на поверхности на основе квантовой адсорбции атомов, индуцированной лазерным излучением.
  20. И.А.Денисов, Н.А.Смирнова, Н.И.Шматов, А.А.Шленский. Изготовление подложек на основе CdZnTe, используемых при эпитаксиальном выращивании наноструктуированных материалов для изготовления фотоприемников ИК-диапазона.
  21. И.А.Денисов, А.А.Коновалов, Н.А.Смирнова, Н.И.Шматов, А.А.Шленский. Выращивание кристаллов CdZnTe с однородными электрофизическими и оптическими свойствами методом вертикальной направленной кристаллизации.
  22. Д.В.Креопалов, А.М.Савченко, Е.М.Савченко. Критическая температура магнитных сверхпроводников.
  23. И.И.Ижнин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин, К.Д.Мынбаев, М.Поцяск. Использование ионного травления для исследования дефектной структуры МЛЭ гетероэпитаксиальных структур CdxHg1-xTe.
  24. П.Д.Алтухов, Е.Г.Кузьминов. Прямое доказательство самокомпрессии электронно-дырочной плазмы в кремнии.
  25. К.К.Абгарян, В.Р.Хачатуров, В.И.Жунь, М.М.Рогаткин. Применение методов математического моделирования для расчета устойчивых кристаллических структур и их свойств.

    26. Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах
  26. А.В.Филатов, А.В.Гусаров, В.В.Карпов, В.В.Крапухин, Е.В.Сусов. Влияние методов выделения фоточувствительных элементов на параметры фоторезисторов из КРТ диапазона 8 -12 мкм.
  27. А.С.Сырнева, В.В.Чесноков, Е.Н.Чесноков, Д.В.Чесноков, А.И.Волохов. Фильтры излучения терагерцового диапазона, использующие полное внутреннее отражение.
  28. А.Г.Козлов. Математические модели процессов в микроэлектронных тепловых приемниках излучения.
  29. Е.В.Богданов, Х.Киссель, Н.Я.Минина, С.С.Широков, А.Э.Юнович. Электролюминесценция в гетероструктурах p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs при одноосном сжатии.
  30. В.В.Васильев, Ю.П.Машуков. Фоточувствительность и токи утечки МДП-структур на основе МЛЭ CdTe - CdxHg1-xTe (n-типа).
  31. А.В.Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М.Дзядух, В.В. Васильев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г.Сидоров, Ю.П.Машуков, М.В.Якушев. Исследование электрофизических и фотоэлектрических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ.
  32. Ф.С.Габибов. Особенности распределения фоточувствительности по спектру в GaAs при изменении температурного режима освещения.
  33. А.А.Гузев, Г.Л.Курышев. Фотоэлектрические характеристики МДП ПЗИ-элемента на InSb при малых временах накопления заряда.
  34. Б.П.Горшунов, Е.С.Жукова, А.С.Прохоров, И.Е.Спектор, Г.Н.Михайлова, Л.В.Арапкина, В.П.Калинушкин, В.А.Чапнин, К.В.Чиж, В.А.Юрьев. Диэлектрические измерения полупроводниковых материалов и структур на терагерцовых и субтерагерцовых частотах.
  35. А.Ф.Комаров, Ф.Ф.Комаров, О.В.Мильчанин, А.В.Мудрый, Л.А.Власукова, Д.В. Поздняков. Структурные и оптические свойства нанокластеров InAs в кремнии, сформированных ионной имплантацией и последующей термообработкой.
  36. В.Я.Костюченко, Д.Ю.Протасов. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках p-CdxHg1-xTe с x≈0.2, выращенных методами ЖФЭ и МЛЭ.
  37. Д.Мелебаев. Фоточувствительность структур Au-окисел-n-GaP0.4As0.6 в УФ области спектра.
  38. А.Р.Новоселов, А.В.Предеин, И.Г.Косулина, В.В.Васильев. Влияние температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных фотоприёмников на изменения вольт-амперных зависимостей n-p переходов МЛЭ КРТ.
  39. Д.Ю.Протасов, В.Я.Костюченко, А.В.Павлов, В.В.Васильев. Нормальная и латеральная компоненты обратного тока n-p фотодиодов на основе ГЭС МЛЭ КРТ.
  40. Д.Ю.Протасов, В.Я.Костюченко, В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов. Концентрация рекомбинационных центров в вакансионно-легированных ГЭС МЛЭ p-КРТ.
  41. Р.С.Мадатов, Т.Б.Тагиев, Т.М.Аббасова, Ф.П.Аббасов. Изменение фотоэлектрических свойств твердых ростворов S0.85Se0.15: Er облученных γ - квантами.
  42. О.А.Шегай, В.И.Машанов, H.-H.Cheng. Латеральная фотопроводимость при межзонной подсветке структур с Si/SiGe сверхрешетками и Si/Ge квантовыми ямами.
  43. М.М.Махмудиан, М.В.Энтин. Электронные явления в системах с локальными высокочастотными полями.

    44. Фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и низкоразмерных квантовых структур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки)

  44. Ю.Н.Долганин, В.В.Карпов, В.П.Корольков, М.А.Савченко, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров. Фоторезисторы из наногетероэпитаксиальных структур КРТ МЛЭ диапазона 3÷5 мкм различной топологии с термоэлектрическим охладителем.
  45. М.В.Якушев, В.В.Васильев. С.А.Дворецкий, А.И.Козлов, Ю.Г.Сидоров, Б.И.Фомин, А.Л.Асеев. HgCdTe монолитный фотоприемник.
  46. В.В.Васильев, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, Н.Н.Михайлов, А.В.Предеин, В.Г.Ремесник, А.О.Сусляков. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным отрезающим фильтром.
  47. Ф.С.Габибов, Е.М.Зобов, М.А.Ризаханов. Неохлаждаемые детекторы ближнего и среднего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6.
  48. В.Д.Анцыгин, А.А.Мамрашев, О.И.Потатуркин. Перспективы создания и применения портативных терагерцовых систем диагностик.
  49. А.Ю.Никифоров, В.В.Карпов, С.И.Ляпунов, А.М.Белин, В.И.Золотарев, А.Д.Попов. Тепловизионная матрица на основе PtSi изготовленная по КМОП технологии.
  50. А.Ю.Никифоров, В.П.Астахов, Ю.Н.Долганин, В.В.Карпов, Н.С.Кузнецов, С.И.Ляпунов, А.М.Белин, В.И.Золотарев, А.Д.Попов. Субматричные ФПУ формата 288х4 на основе InSb.
  51. А.В.Гельфанд, А.Г.Паулиш, В.Н.Федоринин. Матрица ячеек Голея для неохлаждаемого ИК детектора с оптической системой считывания.
  52. А.А.Гузев, В.М.Ефимов, В.М.Базовкин, З.В.Панова, И.И.Ли. Исследование усталости индиевых соединений в матричных фотоприемниках при температурных циклированиях.
  53. Д.А.Гиндин, В.П.Ежов, В.В.Карпов, В.П.Астахов, Ю.Н.Долганин, Н.С.Кузнецов, А.Ю.Никифоров, Ю.С.Пронин. Разработка многоспектрального субматричного ФПУ на основе фотодиодов из антимонида индия и ГЭС КРТ МЛЭ.

    Приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики

  54. Ю.А.Синицын, Г.Н.Попов. Вопросы унификации в ходе поступательного развития приборов ночного видения.
  55. Е.А.Чудовская. Коэффициент вторичной эмиссии поверхности канала микроканальной пластины.
  56. Г.Э. Шайблер, А.С.Ярошевич, С.Н.Косолобов, А.С.Терехов, А.Ю.Андреев, К.Ю.Телегин, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк. Новая методика измерения диффузионной длины и скорости интерфейсной рекомбинации неравновесных электронов в гетероструктурах для GaAs – фотокатодов.
  57. С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Терехов. Вклад фотогенерации электронов в буферном слое GaAs-фотокатода в формирование коротковолнового крыла его чувствительности.
  58. М.Ф. Носков, В.Б. Шлишевский. Псевдоцветной окуляр для прицелов ночного видения.

    59. Полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов

  59. А.А.Востриков, А.В.Шишкин, О.Н.Федяева, М.Я.Сокол. Фотолюминесценция в наноструктурированном ZnO, полученном при окислении массивных образцов цинка в суб- и сверхкритических H2O и смеси H2O–CO2.
  60. А.А.Величко, В.А.Илюшин, Ю.Г.Пейсахович, А.А.Штыгашев. Инжекционное излучательное устройство.
  61. В.И.Донин. Мощный высокоэффективный источник непрерывного дальнего ВУФ излучения для обработки п/п материалов.
  62. Н.Н.Ильичев, В.П.Данилов, В.П.Калинушкин, М.И.Студеникин, П.В.Шапкин, В.П.Поливко, В.Ф. Шереметов. ИК-лазер на основе кристалла ZnSe:Fe2+ (λ~4.6 мкм) как источник подсветки современных матричных приемников среднего ИК-диапазона.
  63. В.И.Иванов-Омский, Н.Л.Баженов, К.Д.Мынбаев, В.А.Смирнов, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, Г.Ю.Сидоров. Люминесцентная характеризация твердых растворов CdxHg1-xTe, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией.

    64. Новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения

  64. В.А.Войтов, А.В.Голицын, Е.В.Дегтярев, П.В.Журавлев, Г.Е.Журов, В.Б.Шлишевский. Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюдения.
  65. А.В.Голицын. Способ повышения эффективности лазерного обнаружителя оптических систем.
  66. С.В.Олейник. Исследование базовых двухлинзовых компонентов светосильных объективов, предназначенных для работы с современными ОЭП.
  67. Ю.Н.Коронин, Г.Н.Попов. Вопросы унификации в ходе поступательного развития стрелковых прицелов ночного видения.
  68. Е.А.Терешин. Афокальные модули для малогабаритных сканирующих тепловизоров.
  69. И.Б.Южик, Г.Н.Попов. Вопросы унификации в ходе поступательного развития приборов для обнаружения и подавления оптических и оптико–электронных средств.
  70. Е.В.Ефашкин, Ю.Н.Коронин, Г.Н.Попов. Вопросы унификации в ходе поступательного развития тепловизионных приборов.
  71. В. М.Ефимов. Исследование температурной зависимости деформации индиевых микроконтактов в гибридных матричных ФПУ.
  72. В.М.Ефимов. Механизм разрушения микроконтактов в гибридных матричных ФПУ при многократных термоциклированиях . Пути решения проблемы.
  73. Г.И.Косолапов, Т.Н.Хацевич. Лазерный осветитель с тремя полями подсвета для активно-импульсных систем.
  74. Г.И.Косолапов, Т.Н.Хацевич. Активно-импульсная локальная система охраны объектов по прямому наблюдению.
  75. И.И.Ли, В.Г.Половинкин, Д.Д.Карнаушенко. Анализ системы фотодиод-прямоинжекционное устройство считывания для многоэлементных ИК ФПУ.
  76. Н.Н.Мордвин, Г.Н.Попов. Концепция построения оптико-электронных приборов наблюдения универсального назначения.
  77. В.В.Чесноков, Д.В.Чесноков, Д.М.Никулин. Мультиплекс-светофильтр с перестраиваемой полосой пропускания.
  78. Д.В.Чесноков, В.В. Чесноков, Д.М.Никулин. Микромеханический двумерный транспарант, управляемый упругими бегущими волнами.
  79. Г.А.Бадальян, Л.В.Парко. Новые схемы в любительском телескопостроении и их реализация в серийном производстве.
  80. В.В.Потелов, Б.Н.Сенник. Разработка и исследование оптических систем для двухспектральных тепловизионных приборов (3.0 – 5.0 мкм, 8.0 – 12.5 мкм).

    81. Электронные системы обработки оптической информации

  81. Л.В.Максимов. Определение траектории движения объектов на основе анализа гистограмм тепловизионных изображений.
  82. Р.М.Алеев, В.Б.Фофанов. К вопросу автоматизации дешифрирования многоспектральных изображений.
  83. С.М.Борзов, В.И.Козик, О.И.Потатуркин. Коррекция тепловизионных изображений на основе статистической обработки реальных данных.
  84. В.В.Малинин, Г.Н.Попов. Разработка пакета программ моделирования серии приборов наблюдения.
  85. В.П.Рева. Некоторые проблемы выбора технологии для изготовления схем считывания информации с ИК фотоприемников.
  86. С.И.Чикичев. Карманный эллипсометр.
[главная] [регистрация] [тезисы][оргвзнос][программа] [транспорт]