| Модификация активного слоя органических фотовольтаических ячеек углеродными нанотрубками |
| Кулик Леонид Викторович, профессор РАН, д.ф.-м.н., Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского СО РАН (Новосибирск) |
|
| Гибридные материалы на основе фталоцианинов металлов в качестве активных адсорбционно-резистивных газовых сенсоров |
| Басова Тамара Валерьевна профессор РАН, д.х.н., зав. лаб., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирск) |
|
| Необходимость, достоинства и "подводные камни" формирования нанотолщинных материалов для электроники методом атомно-слоевого осаждения |
| Васильев Владислав Юрьевич, д.х.н., доцент, профессор, Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск) |
|
| Тестирование активности нервной системы человека сенсором на основе графена |
| Антонова Ирина Вениаминовна, д.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) |
|
| Эволюция кремнийорганических прекурсоров для изготовления Low k диэлектриков |
| Косинова Марина Леонидовна, к.х.н., зав. лаб., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирск) |
|
| Метод Лэнгмюра-Блоджетт для синтеза полупроводниковых наночастиц |
| Семенова Ольга Ивановна, к.х.н., зав. лаб., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) |
|
| Электриды: разновидности, получение, свойства и применение |
| Гейдт Павел Викторович, к.ф.-м.н., зав. лаб., Новосибирский национальный исследовательский государственный университет (Новосибирск) |
|
| Металл-индуцированная кристаллизация тонких пленок аморфных полупроводников |
| Баранов Евгений Александрович, к.ф.-м.н., Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск) |
|
| Атомно слоевое осаждение: от прекурсора к практическому приложению |
| Доровских Светлана Игоревна, к.х.н., Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирск) |
|
| Перспективные материалы и методы для металлизации интегральных микросхем |
| Исламов Дамир Ревинирович, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) |
|
| Развития методов эпитаксии слоистых материалов для устройств гибкой электроники |
| Рогило Дмитрий Игоревич, к.ф.-м.н., Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск) |
|