14-16 декабря, ИФП СО РАН

Новосибирск 2020
Стендовая сессия
Новости
11.11.2020 В связи со сложной эпидемиологической обстановкой в регионе постановление правительства Новосибирской области № 72-п «О введении режима повышенной готовности на территории Новосибирской области» ограничивает проведение научных мероприятий. По этой причине Оргкомитет принял решение об организации Школы в on line формате на базе программного обеспечения Zoom.
21.10.2020 Добро пожаловать на сайт школы молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»!

СТЕНДОВАЯ СЕССИЯ

1. Влияние фтора на плотность состояний на границе раздела собственный (анодный) оксид/In0.53Ga0.47As
Аксенов Максим Сергеевич, Ковчавцев А.П., Валишева Н.А.
Доклад
2. Возможности ВРЭМ в анализе атомного строения и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов, полученных с применением технологии Ленгмюра-Блоджетт
Бацанов Степан Анатольевич, Гутаковский А.К.
Доклад
3. Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух Станислав Михайлович, Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В.
Доклад
4. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух Станислав Михайлович, Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М.
Доклад
5. Влияние температуры отжига в формовочном газе на параметры Ti/In0.52Al0.48As барьеров Шоттки
Гензе Илья Юрьевич, Аксёнов М.С., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В.
Доклад
6. Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si
Дирко Владимир Владиславович, Лозовой К.А., Коханенко А.П., Кукенов О.И.
Доклад
7. Условия сравнения подвижности в тонкопленочных структурах
Зайцева Эльза Гайнуллаевна, Наумова О.В.
Доклад
8. Влияние дефектов на сегнетоэлектрические свойства HfO2:La
Залялов Тимур Маратович, Исламов Д.Р., Орлов О.М., Гриценко В.А.
Доклад
9. Молекулярно-динамическое моделирование поверхности Si (100)-2×1
Игошкин Антон Михайлович, Рогило Д.И.
Доклад
10. Мемристорный эффект структур Si/SiOx/Ni на основе термического SiO2, обработанного в ЭЦР плазме
Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович, Воронковский В.А.
Доклад
11. Моделирование и изучение резистивного переключателя на основе нанокристалла VO2 с золотыми конусообразными контактами
Капогузов Кирилл Евгеньевич, Мутилин С.В., Принц В.Я.
Доклад
12. Радиационно-стимулированный рост эпитаксиальных пленок CaSi2
Кацюба Алексей Владимирович, Двуреченский А.В., Камаев Г.Н., Володин А.В.
Доклад
13. МЛЭ рост слоев InAlAs на подложке InP (001) для приборов радиофотоники
Колосовский Данил Антонович, Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Гаврилова Т.А., Кожухов А.С., Журавлев К.С.
Доклад
14. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера
Коханенко А.П., Лозовой Кирилл Александрович, Дирко В.В., Войцеховский А.В.
Доклад
15. Исследование электрофизических свойств границы раздела CdHgTe и Al2O3, выращенного при разных температурах
Краснова Ирина Андреевна, Горшков Д.В., Сидоров Г.Ю., Марин Д.В., Сабинина И.В.
Доклад
16. Механизмы формирования квантовых точек GaN в матрице AlN методом аммиачной МЛЭ
Майдэбура Ян Евгеньевич, Малин Т.В., Милахин Д.С., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С.
17. Характеристики фазового перехода в пленках VO2 синтезированных на плоских и наноструктурированных подложках
Манцуров Никита Дмитриевич, Мутилин С.В., Принц В.Я., Яковкина Л.В.
Доклад
18. Исследование оптических свойств гетероструктур InGaAlAs/InAlAs на подложке фосфида индия для электрооптического модулятора на основе эффекта Штарка
Назаров Никита Андреевич, Гуляев Д.В., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С.
19. Влияние материала подложки на подвижность носителей заряда в пленках CVD мультиграфена
Небогатикова Надежда Александровна, Антонова И.В.
Доклад
20. Расчёт концентраций дефектов и установление элементного состава центров фотолюминесценции в видимом диапазоне в сильнолегированных слоях AlGaN:Si
Осинных Игорь Васильевич, Александров И.А., Журавлёв К.С.
Доклад
21. Перераспределение атомных ступеней на поверхности Si(111) при структурных переходах, индуцированных адсорбцией и десорбцией Sn
Петров Алексей Сергеевич, Рогило Д.И.
Доклад
22. Слоистый In2Se3 на поверхности Si(111) c гистерезисами температурной зависимости сопротивления
Пономарев Сергей Артемьевич, Миронов А.Ю., Рогило Д.И.
Доклад
23. Межканальное взаимодействие в квантовых точечных контактах
Похабов Дмитрий Александрович, Погосов А.Г., Жданов Е.Ю., Бакаров А.К., Шкляев А.А.
Доклад
24. Эшелонирование ступеней на поверхности GaAs(111)А при ленгмюровском испарении
Спирина Анна Александровна, Шварц Н.Л.
Доклад
25. Получение поликристаллических алмазных пленок и их свойства на различных подложках
Тарков Сергей Михайлович, Антонов В.А., Емельянов А.А., Ребров А.К., Попов В.П., Тимошенко Н.И., Юдин И.Б.
Доклад
26. Исследование гистерезиса сток-затворных характеристик FeFET
Тихоненко Фёдор Вячеславович, Попов В.П.
Доклад
27. Методика формирования упорядоченных частиц Ge и Si на поверхности SiO2
Уткин Дмитрий Евгеньевич, Шкляев А.А.
Доклад
 
© ИФП СО РАН, 2020. webmaster@isp.nsc.ru