14-16 декабря, ИФП СО РАН

Новосибирск 2020
Приглашенные доклады
Новости
11.11.2020 В связи со сложной эпидемиологической обстановкой в регионе постановление правительства Новосибирской области № 72-п «О введении режима повышенной готовности на территории Новосибирской области» ограничивает проведение научных мероприятий. По этой причине Оргкомитет принял решение об организации Школы в on line формате на базе программного обеспечения Zoom.
21.10.2020 Добро пожаловать на сайт школы молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»!

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Атомные процессы при формировании наносистем
Латышев Александр Васильевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Физические явления в кремниевых квантово-размерных структурах для компонент наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники
Двуреченский Анатолий Васильевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Топологические изоляторы на основе HgTe
Квон Зе Дон (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Развитие молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН
Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Компьютерное моделирование формирования полупроводниковых наноструктур
Филимонов Сергей Николаевич (Томский государственный университет, г. Томск)
От вицинальных поверхностей к нитевидным нанокристаллам: динамика ступеней и развитие формы нанокристалла
Эрвье Юрий Юрьевич (Томский государственный университет, г. Томск)
Структура и оптические свойства дислокаций в кремнии
Федина Людмила Ивановна (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Применение цифровых методик для получения количественной информации при ВРЭМ исследованиях полупроводниковых наносистем
Гутаковский Антон Константинович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Молекулярно-лучевая эпитаксия напряженных наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы
Никифоров Александр Иванович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Перспективные приборы радиофотоники на основе фосфида индия
Журавлёв Константин Сергеевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Автоматизированные измерители удельного сопротивления «Рометр» и времени жизни неравновесных носителей заряда «Тауметр-2М» в кремнии
Владимиров Валерий Михайлович (Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр СО РАН», г. Красноярск)
Квантовые явления в малых проводниках: опыты и модели
Ткаченко Виталий Анатольевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Современное состояние CVD и ALD процессов
Игуменов Игорь Константинович (Институт неорганической химии СО РАН им. А.В. Николаева, г. Новосибирск)
Современные методы синтеза и отжига алмазных материалов при высоком давлении
Чепуров Алексей Анатольевич (Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск)
Кремниевая платформа квантового компьютера. Материаловедческие аспекты
Сенников Пётр Геннадьевич (Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, г. Нижний Новгород)
Управление спинами электронов кремниевых кубитов в квантовых точках Si/SiGe
Ежевский Александр Александрович (Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород)
Молекулярно-лучевая эпитаксия согласованных и метаморфных гетероструктур на основе соединений AIIIBV
Преображенский Валерий Владимирович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe
Войцеховский Александр Васильевич (Томский государственный университет, г. Томск)
Влияние поля сдвиговых напряжений на протекание процесса пластической релаксации.»
Труханов Евгений Михайдович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
 
© ИФП СО РАН, 2020. webmaster@isp.nsc.ru