Nitrogen atoms and vacancies in diamond: Detection and emission of high-frequency microwave radiation |
Joerg Debus |
TU Dortmund University, Dortmund, Germany |
|
Блох и Ванье-Штарк ТГц излучения в сверхрешетке в области положительной статической дифференциальной проводимости |
А.А.Андронов, А.В.Иконников, К.В.Маремьянин, Ю.Н.Ноздрин, В.И.Позднякова1, А.А.Мармалюк, А.А.Падалица, М.А.Ладугин2, В.А.Беляков, И.В.Ладенков, Г.Фефелов3 |
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород,
2Сигм-Плюс, Москва,
3OAO “Салют”, Нижний Новгород |
|
Электромагнитные материалы на основе резонансных наночастиц |
М.Ю. Барабаненков1,2, Ю.Н. Барабаненков3 |
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,
2АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Москва, Зеленоград;
3ФГБУН «Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова» РАН |
|
Лазеры терагерцового диапазона на основе узкозонных полупроводников |
В.И.Гавриленко |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
|
Управление модовой структурой лазерных резонаторов и микрорезонаторов |
А.Е. Жуков1, Н.В. Крыжановская1, Н.Ю. Гордеев1,2, А.В. Савельев1, В.В. Коренев1, Ю.С. Полубавкина1, Э.И. Моисеев1, М.В. Максимов1,2, Ф.И. Зубов1 |
1Санкт-Петербургский Академический университет, Санкт-Петербург,
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург |
|
Инжекционные лазерные конвертеры видимого диапазона 530-590 нм на основе полупроводниковых гетероструктур А2В6 |
С.В. Иванов1, С.В. Сорокин1, А.Г. Вайнилович2, Е.В. Луценко2 |
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, 2Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Беларусь |
|
Лазеры среднего инфракрасного диапазона на основе кристаллов ZnSe: Fe2+ |
В.П. Калинушкин1, Н.Н. Ильичев1, Е.М. Гаврищук2, А.А. Гладилин1 |
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва,
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород |
|
Эффекты плазмонного усиления комбинационного рассеяния света и ИК поглощения полупроводниковыми нанокристаллами |
А.Г. Милёхин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякина1,2, С.А. Кузнецов2, И.А. Милёхин1,2, А.В. Латышев1,2, V.M. Dzhagan3, D.R.T. Zahn |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск,
2Новосибирский Государственный Университет,
3Chemnitz University of Technology, Germany |
|
Экспериментальная квантовая криптография с одиночными фотонами |
И.И. Рябцев1,2, Д.Б. Третьяков1,2, А.В. Коляко1,2,3, А.С. Плешков1,2,4, В.М. Энтин1,2, И.Г. Неизвестный1,5 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск,
3Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск,
4Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск,
5Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск |
|
Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для фотодетекторов среднего ИК-диапазона |
А.И. Якимов |
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск |
|
Гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, выращиваемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013), для перспективных ИК ФП |
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.В. Латышев, Д.В. Марин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров |
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск |
|
Фотоэлектроника коротковолнового ИК-диапазона |
К.О.Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1,3, Е.Л. Чепурнов1 |
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва,
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный,
3 МТУ (МИРЭА), Москва |
|
Частотно-селективная регистрация потока излучения в интервале 0.4-1.0 ТГц при его генерации в плазме сильноточным электронным пучком |
А.В. Аржанников1,2, А.И. Иванов1,2, С.А. Кузнецов1,2,3, М.А. Макаров1 |
1Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск,
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск,
3Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», Новосибирск |