Российская конференция и школа молодых ученых
по актуальным проблемам
полупроводниковой фотоэлектроники
(с участием иностранных ученых)
11-15 сентября 2017 г., Новосибирск
 
Общая информация
Новости
23.03.2017 Размещена информация об организационном взносе.
10.03.2017 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2017"!
06.03.2017 Информационное уведомление о конференции

«ФОТОНИКА-2017» является продолжением серии научных конференций, посвященных полупроводниковой фотоэлектронике. Это событие уже стало традиционным в Новосибирске, о чем говорит успешное проведение мероприятия в 2003, 2008, 2011 и 2015 годах. Опыт предыдущих конференций продемонстрировал плодотворность обсуждения смежных проблем фотоэлектроники в рамках одного мероприятия.

Благодаря высокому научному уровню конференция ФОТОНИКА имеет широкое признание в России и за рубежом. Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения.

На конференции будут представлены новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра, радиофотоники, рассмотрены вопросы внедрения инновационных технологий.

В рамках Школы для молодых ученых и студентов будут прочитаны лекции, призванные ознакомить будущих ученых с наиболее важными и интересными проблемами в области полупроводниковой фотоэлектроники.

Конференция будет проходить в курорт-отеле «Сосновка», расположенном в семи километрах от Новосибирского Академгородка, на берегу Бердского залива в живописном сосновом бору.

Основные направления:

  • методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
  • фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
  • фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
  • солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
  • полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
  • терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;
  • физические основы элементной базы радиофотоники;
  • приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
  • новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.
 
© ИФП СО РАН, 2017. webmaster@isp.nsc.ru