Электронная и ионная литография: наноструктурирование |
А.Л.Асеев, А.В.Латышев |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Ионно-стимулированная молекулярно-лучевая эпитаксия.Импульсный отжиг наноструктур. |
А.В.Двуреченский |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Алмазные структуры для оптоэлектроники и квантовых компьютеров: ионная имплантация и отжиг под давлением |
В.П.Попов, Л.Н.Сафронов |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Методы управления реакциями с участием радиационных дефектов в Si при ионной имплантации |
В.Н.Мордкович |
ИПТМ РАН, Черноголовка |
Ионный синтез наносилицидов |
Н.Н.Герасименко |
МИЭТ, Зеленоград |
Дефекты, аморфизация и диффузия при ионной имплантации |
Д.И.Тетельбаум |
ННГУ, Нижний Новгород |
Модифицирование полупроводников пучками протонов |
В.В.Козловский |
СПбГПУ, Санкт-Петербург |
Инженерия структурных дефектов и люминесцентных центров в имплантационной технологии Si светодиодов |
Н.А.Соболев |
ФТИ, Санкт-Петербург |
Ионная имплантация в КРТ |
А.В.Войцеховский |
ТГУ, Томск |
Модификация металлических нанокристаллов быстрыми тяжелыми ионами
|
Ф.Джурабекова
|
Университет, Хельсинки
|
Сфокусированные ионные пучки для формирования <алмазных> наноструктур
|
С.Рубанов
|
Университет, Мельбурн |
Radiation Effects in Si-Ge Quantum Size Structures
|
N.A.Sobolev |
Университет Авейро, Португалия |
Геммологические аспекты ионной имплантации в минералы и их синтетические
аналоги
|
Р.И.Хайбуллин, В.И.Нуждин, О.Н.Лопатин, А.Г.Николаев |
ФТИ, Казань |
Быстрые термические обработки в кремниевой микроэлектронике |
Р.М.Баязитов |
КФТИ КазНЦ РАН, Казань |
Direct mapping of strain depth distributions with a nanometer spatial resolution in ion implanted Si using Dark-Field Electron Holohraphy |
N.Cherkashin1, S.Reboh1, A.Lubk1, P.Pochet2, A.Claverie1 and M.J.Hÿtch1
|
1CEMES-CNRS, Toulouse, France
2CEA-INAC, Grenoble, France
|
Изменение свойств GaN при облучении ускоренными ионами |
П.А.Карасёв |
Кафедра физической электроники, СПбГПУ, Санкт-Петербург
|
Ионные источники и ускорители для ядерного легирования и
бор-нейтронозахватной терапии |
А.А.Иванов, А.В.Бурдаков, В.И.Давыденко |
ИЯФ СО РАН, Новосибирск |
Primary state of damage in irradiated Si and GaN nanowires |
K.Nordlund, R.Wei, E.Holmstram, F.Djurabekova and A.Kuronen |
Department of Physics, University of Helsinki
|
Эволюция электронной подсистемы неметаллических материалов под воздействием
жесткой радиации: электронные свойства облученных полупроводников
|
В.Н.Брудный |
ТГУ, Томск |
Наноструктурирование титана и ионная имплантация |
Ю.П.Шаркеев |
ИФПМ СО РАН, Томск |
Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников А3В5 в кремнии и диоксиде кремния |
Ф.Ф.Комаров |
НИИПФП им. А.Н.Севченко БГУ, Минск |
Формирование сверхузких p-n переходов в кремнии ионной имплантацией |
А.Ф.Вяткин |
ИПТМ РАН, Черноголовка |
Плазменно-иммерсионная ионная имплантация и ее перспективные применения в технологиях наноэлектроники и наноструктур
|
К.В.Руденко, В.Ф.Лукичев, А.А.Орликовский |
ФТИАН, Москва |
Список приглашенных докладов будет дополняться.