Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон:
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке физико-химических основ технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев кадмий-ртуть-теллур на подложках из кремния и арсенида галлия;
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области явлений переноса, включая квантовый и классический электронный транспорт в полупроводниковых наноэлектромеханических системах;
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света полупроводниковых наноструктур и гибридных наноструктур полупроводник-металл;
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области исследования полупроводниковых материалов и структур с пониженной размерностью на основе соединений А3В5 методом фотолюминесценции;
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области формирования и исследования низкоразмерных гетеросистем (в частности кремний-на-изоляторе) и приборов на их основе;
- ведущего научного сотрудника по специальности 02.00.21 «химия твердого тела». Требования к кандидатам: опыт работы в области исследования физико-химических процессов на поверхности полупроводниковых материалов и диэлектриков, в том числе в области разработки процессов плазмохимического травления;
- старшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке полупроводниковых нанотехнологий, опыт руководства проектами;
- старшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке физико-химических основ технологии изготовления многоэлементных фотодиодных фотоприемников на основе кадмий-ртуть-теллур;
- старшего научного сотрудника по специальности 01.04.04 «физическая электроника». Требования к кандидатам: владение экспериментальными методами лазерной и микроволновой спектроскопии атомов в газовых ячейках, лазерного охлаждения атомов, квантовой электроники, стабилизации частот лазеров;
- старшего научного сотрудника по специальности 01.04.05 «оптика». Требования к кандидатам: владение экспериментальными и теоретическими методами лазерной и микроволновой спектроскопии ридберговских атомов, квантовых вычислений с нейтральными атомами, создания лазеров, стабилизации частот лазеров;
- научного сотрудника по специальности 01.04.05 «оптика». Требования к кандидатам: владение экспериментальными и теоретическими методами лазерной и микроволновой спектроскопии ридберговских атомов, квантовых вычислений с нейтральными атомами, вакуумной техники, стабилизации частот лазеров.
Квалификационные характеристики в соответствии с постановлением Президиума РАН №196 от 25.03.2008 г. Документы подавать по адресу: г. Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д. 13.
Дата проведения конкурса: по истечении 2-х месяцев со дня выхода объявления, на ближайшем заседании конкурсной комиссии.
Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН и Института (www.isp.nsc.ru).
Справки по тел.:
- 333-24-88 (ученый секретарь)