Доклады на конкурсе представил 21 человек ― 14 в младшей группе и 7 в старшей. Именные (повышенные) стипендии присуждены Владимиру Хорошилову, Денису Милахину и Алексею Гайдуку.

Директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев, приветствуя участников конкурса, отметил, что есть широкий спектр мер государственной поддержки для молодых ученых, руководство Института тоже прикладывает максимум усилий для привлечения и развития молодежи.

«Вам, молодым исследователям, важно заботиться о том, чтобы у вас появлялись собственные проекты. Представляя доклады на конкурс, вы двигаетесь в этом направлении», ― подчеркнул директор ИФП СО РАН.

Председатель конкурсной комиссии, старший научный сотрудник лаборатории низкоразмерных электронных систем доктор физико-математических наук Евгений Борисович Ольшанецкий рассказал, что уровень представленных докладов довольно высок: «Выступающие оставляют хорошее впечатление. Пожалуй, можно дать один небольшой совет для тех докладчиков, у кого мало опыта: я увидел, что многие детально останавливаются на плане исследований. Этот раздел можно намечать широкими мазками, лучше больше подробностей посвятить теме изложения ― все планы слушатели не запомнят, да и неизвестно, какие аспекты будут в конечном итоге реализованы».

Член конкурсной комиссии, старший научный сотрудник лаборатории физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур кандидат физико-математических наук Андрей Васильевич Васев добавил, что доклады интересные, плотные, хорошо раскрывают заявленные темы. Говоря о том, что стоит учитывать при подготовке к конкурсу, Андрей Васильевич подчеркнул: «Оценка доклада обычно состоит из трех компонентов: первый ― это непосредственно сам доклад, то, как человек рассказывает, как грамотно дополняет его рассказ подготовленный презентационный материал. Второй ― оценивается актуальность того, что предлагает докладчик, научная новизна, практическая значимость работы. Третий компонент ― то, как участник реагирует, когда задают вопросы по материалу. Это конкурс молодых ученых, и здесь стоит задача понять, как человек ориентируется в теме, читает ли статьи, есть ли у него представление о достижениях коллег в данной научной области как в нашей стране, так и за рубежом».

Стипендиаты в младшей группе:

• Залялов Тимур Маратович
• Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович
• Спирина Анна Александровна
• Хорошилов Владимир Сергеевич (повышенная стипендия имени А.В. Ржанова)
• Капогузов Кирилл Евгеньевич
• Пономарев Сергей Артемьевич
• Скворцов Илья Владимирович
• Краснова Ирина Андреевна
• Тарасов Андрей Сергеевич
• Суханов Максим Андреевич
• Кустов Данил Александрович

Стипендиаты в старшей группе:

• Милахин Денис Сергеевич (повышенная стипендия имени А.В. Ржанова)
• Гайдук Алексей Евгеньевич (повышенная стипендия имени К.К. Свиташева)
• Осинных Игорь Васильевич
• Петрушков Михаил Олегович
• Зайцева Эльза Гайнуллаевна

Результаты голосования конкурсной комиссии по присуждению стипендий будут окончательно утверждены Ученым советом Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Желаем всем победителям и участникам конкурса дальнейших успехов!

Пресс-служба ИФП СО РАН
Фото В. Трифутина