новости науки

14.05.12
Зависимость деформационного состояния пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев

Обнаружен эффект зависимости деформационного состояния пленок GaAs толщиной 1 мкм, выращенных МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)-6° от способа зарождения первых монослоев.

Различие способов зарождения заключается в том, что послойная эпитаксия начиналась в одном случае с осаждения As на поверхность Si, а в другом с замещения атомами As верхнего монослоя кремния.

Самое яркое различие между образцами с разным способом зарождения заключается в том, что направление преимущественного поворота решетки пленки меняет знак. При мышьяковом зарождении без замещения отклонение от сингулярной ориентации в GaAs уменьшается, а при замещении кремния мышьяком - увеличивается. Величина поворота кристалла пленки относительно подложки составляет от 700 до 1700 угл. сек. И.Д.Лошкарев