Аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Алины Герасимовой стала лауреаткой конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций. Научная работа исследовательницы посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объём.

«Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава ― HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов.

Новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики», ― объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Константиновна Герасимова.

Конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей, 15 из них ― сотрудники Сибирского отделения РАН.

«Я пока ещё не думала о том, как я смогу использовать премию, я ещё не до конца поверила в то, что действительно ее получила», ― добавляет Алина Герасимова.

Алина работает в ИФП СО РАН с 2012 года, она неоднократно выступала на международных и российских конференциях, результаты ее совместных с коллегами исследований опубликованы в научных журналах: Materials Research Express, Nanotechnology, Advanced Electronic Materials и других. В 2019 году А. Герасимова стала стипендиаткой Правительства РФ. Сейчас молодая ученая планирует провести несколько экспериментов, связанных с электрофизическими измерениями выращенных соединений. Результаты всего комплекса работ лягут в основу кандидатской диссертации Алины.

Пресс-служба ИФП СО РАН
На фото Алина Герасимова, автор фото Евгения Цаценко