На торжественном заседании, посвященном 65-летию Сибирского отделения РАН, академик Национальной академии наук Беларуси Петр Александрович Витязь вручил награды НАНБ ученым СО РАН. Почетную грамоту НАНБ получил директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев.

«Эта награда символизирует давнее и прочное сотрудничество нашего Института с научными организациями Беларуси. Мы ведем совместную исследовательскую работу в области радиофотоники, плазмоники, материаловедения. Ученые ИФП СО РАН вместе с коллегами из Беларуси дважды удостаивались премии имени академика В.А. Коптюга, присуждаемой НАНБ и СО РАН. В этом году лауреатами стали К.С. Журавлев, А.М. Гилинский (ИФП СО РАН), А.Л. Чиж, К. Б. Микитчук (НАНБ) за цикл работ “Мощные сверхвысокочастотные фотодиоды на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 для систем радиофотоники”. А в 2016 году ― А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина (ИФП СО РАН), А.В. Мудрый, В.Д. Живулько (НАНБ) за цикл работ “Оптическая спектроскопия и электронная структура наноструктур Ge/Si с молекулами из квантовых точек Ge”. В 2014 году академик Александр Леонидович Асеев избран иностранным членом Национальной академии наук Беларуси», ― сказал Александр Латышев, комментируя получение Почетной грамоты.

К награждению Почетной грамотой НАНБ представляются руководители и работники организаций иной ведомственной подчиненности за достижения выдающихся результатов при проведении совместных с учеными НАНБ исследований, имеющих важное значение для науки и практики.

Партнерские отношения у ИФП СО РАН установлены с Институтом физики им. Б.И.Степанова НАНБ, Государственным научно-производственным объединением «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника» НАНБ, Государственным НПО «Научно-практический центр по материаловедению» НАНБ, Белорусским национальным техническим университетом, Гомельским государственным университетом им. Франциска Скорины.

В числе недавних совместных проектов:
― «Усиление эмиссии света магнитными плазмонными частицами», под руководством молодой ученой ИФП СО РАН м.н.с. лаборатории № 9 Н.Н. Курусь,
― «Разработка физических подходов к получению светоизлучающих структур на основе двумерных слоев Si и Ge, встроенных в диэлектрическую матрицу», руководитель к.ф.-м.н. научный сотрудник лаборатории № 24 В.А. Зиновьев,
― «Светоизлучающие структуры на основе SiGe квантовых точек, формируемых при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков», руководитель член-корреспондент РАН заведующий лабораторией № 24 ИФП СО РАН А.В. Двуреченский,
― «Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры», под руководством д.ф.-м.н. заведующего лабораторией № 37 ИФП СО РАН К.С. Журавлева.

Пресс-служба ИФП СО РАН