на базе лаборатории физики и технологии гетероструктур
| Административный корпус | 26 июня 2019 г. |
| Конференц-зал | Среда, 10 часов |
Голяшов Владимир Алексеевич
Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы
Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук
Специальность: 01.04.10 - физика полупроводников
Научный руководитель - доктор физико-математических наук, профессор РАН Терещенко Олег Евгеньевич
Рецензент – кандидат физико-математических наук Козлов Дмитрий Андреевич