| Волоконные лазеры с распределенной обратной связью (РОС) на основе регулярных и случайных структур показателя преломления |
| Бабин Сергей Алексеевич1,2),
М.И.Скворцов1), А.А. Вольф1), А.В. Достовалов1), С.Р. Абдуллина1), А.А. Власов1)
|
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный университет, Новосибирск |
|
| Методы усиления фототока ближнего инфракрасного диапазона в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge |
Блошкин Алексей Александрович1,2),
А.И. Якимов1), В.В. Кириенко1), А.В. Двуреченский1,2), Д.Е. Уткин1,2)
|
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный университет, Новосибирск |
|
|
| Фотосенсорика коротковолнового ИК диапазона спектра |
Болтарь Константин Олегович1,2),
И.Д. Бурлаков1,3), А.В Полесский1,3), Н.И. Яковлева1) |
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва
2Московский физико-технический институт (ГУ), МО, Долгопрудный
3МТУ (МИРЭА), Москва |
|
| Российские квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона |
Гавриленко Владимир Изяславович1),
Р.А.Хабибуллин2) |
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова РАН, Москва |
|
| Опыт и перспективы перехода оптико-электронного приборостроения на отечественную элементную базу |
| Гаврилов Егор Валерьевич, Д.В. Брунёв, В.М. Тимофеев |
| АО «НПК ПЕЛЕНГАТОР», Санкт-Петербуг |
|
| Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур |
Гайслер Владимир Анатольевич1,
И.А. Деребезов1,2, А.В. Гайслер1, Д.В. Дмитриев1, А.И. Торопов1 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск |
|
| Перспективы коллоидной оптоэлектроники |
| Гапоненко Сергей Васильевич |
| Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь |
|
| Экситоны и трионы в оптическом отклике двумерных кристаллов |
| Глазов Михаил Михайлович |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург |
|
| Перспективные гетероструктуры на основе А3В5 полупроводников для фотоприемников ближнего и среднего ИК диапазонов спектра |
Журавлев Константин Сергеевич1),
А.С. Башкатов2), О.Н. Морозова2) |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2ФГУП «МНИИРИП», Мытищи МО |
| Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическим и «фононным» волноводами |
| Морозов Сергей Вячеславович |
| Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
|
| Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах |
Новиков Алексей Витальевич1),
М.В. Степихова1), С.А. Дьяков2), М.В. Шалеев1), Д.В. Юрасов1), Е.Е. Родякина3), А.Н. Яблонский1), В.А. Вербус1), М.И. Петров4), V. Rutckaia5), J. Schilling5), З.Ф. Красильник1) |
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
2Сколковский институт науки и технологий, Москва
3Институт физики полупроводников РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург
5Martin-Luther-University Halle-Wittenberg, Halle (Saale), Germany |
|
| Конструкция и особенности изготовления однофотонного лавинного фотодиода InP/InGaAs/InP для квантовых коммуникаций |
Преображенский Валерий Владимирович,
И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Н.А. Валишева, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев
|
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
|
| Полный цикл разработки и производства современных охлаждаемых ИК ФПУ на основе КРТ в ИФП СО РАН |
Сидоров Георгий Юрьевич1),
Ю.Г. Сидоров1), М.В. Якушев1), И.В. Сабинина1), В.В. Васильев1), Д.В. Марин1), С.А. Дворецкий1), Н.Н. Михайлов1), В.С. Варавин1), Д.Г. Икусов1), А.В. Зверев1), Ю.С. Макаров1), А.В. Предеин1), И.В. Марчишин1), А.В. Вишняков1), В.Г. Ремесник1), Д.В. Горшков1), А.В. Латышев1), П.А. Сысоев2), К.С. Лопаткин2)
|
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Филиал 46 ЦНИИ МО РФ, Мытищи МО |
|
| Краевые фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах |
| Тарасенко Сергей Анатольевич |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург |
|
| Фотокатоды с эффективным отрицательным электронным сродством для научных и специальных применений |
Терехов Александр Сергеевич1),
В.В. Бакин1), Ю.Б. Болховитянов1), С.Н. Косолобов1), С.А. Рожков1,2), Г.Э. Шайблер1,2) |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск |
|
| Новая концепция пировидикона на основе пироэлектрического электронно- оптического преобразователя диапазона 1-12 мкм |
Терещенко Олег Евгеньевич1,2),
C.В. Иванов3), Н.А. Половников1), А.А. Соколов3)), В.С. Русецкий1,4), В.А. Голяшов1,2), А.С. Ярошевич1), А.В. Миронов4), А.Ю. Дёмин4)
|
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
4ЗАО «ЭКРАН-ФЭП», Новосибирск
|
|
| Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe |
Хохлов Дмитрий Ремович1,4),
А.В.Галеева1), А.С.Казаков1), А.И.Артамкин1), А.В.Иконников1), Л.И.Рябова2), С.А.Дворецкий3), Н.Н.Михайлов3), М.И.Банников4), С.Н.Данилов5) |
1Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
2Химический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
5University of Regensburg, Regensburg, Germany |
|
| Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на подложках Si |
| Шкляев Александр Андреевич1,2) |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск |
|
| Исследования энергетического спектра квазидвумерных структур HgTe/CdHgTe магнитотранспортными методами |
Якунин Михаил Викторович,1,*
С.М. Подгорных,1 А.В. Суслов,2 С.С. Криштопенко,3 B. Jouault,3 W. Desrat,3 F. Teppe,3 В.Н. Неверов,1 М.Р. Попов,1 Н.Н. Михайлов4 и С.А. Дворецкий4 |
1 Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург
2 National High Magnetic Field Laboratory, Florida State University, Tallahassee, Florida
3 Laboratoire Charles Coulomb, Centre National de la Recherch- Scientifique, University of Montpellier, Montpellier, France
4 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
|