Российская конференция и школа молодых ученых
по актуальным проблемам
полупроводниковой фотоэлектроники
(с участием иностранных ученых)
4-10 октября 2021 г., Новосибирск
 
Приглашенные доклады
Новости
30.04.2021 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2021"!

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Волоконные лазеры с распределенной обратной связью (РОС) на основе регулярных и случайных структур показателя преломления
Бабин Сергей Алексеевич
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
Методы усиления фототока ближнего инфракрасного диапазона в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge
Блошкин Алексей Александрович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Российские квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона
Гавриленко Владимир Изяславович,
Р.А.Хабибуллин
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур
Гайслер Владимир Александрович1,
И.А. Деребезов1,2, А.В. Гайслер1, Д.В. Дмитриев1, А.И. Торопов1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск
Перспективы коллоидной оптоэлектроники
Гапоненко Сергей Васильевич
Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
Экситоны и трионы в оптическом отклике двумерных кристаллов
Глазов Михаил Михайлович
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
Перспективные гетероструктуры на основе А3В5 полупроводников для фотоприемников ближнего и среднего ИК диапазонов спектра
Журавлев Константин Сергеевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Стимулированное излучение в диапазоне 10-31 мкм в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe / CdHgTe с диэлектрическим и «фононным» волноводами
Морозов Сергей Вячеславович
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Предварительное название «Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах»,
Новиков Алексей Витальевич
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Конструкция и особенности изготовления однофотонного лавинного фотодиода InP/InGaAs/InP для квантовых коммуникаций
Преображенский Валерий Владимирович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Полный цикл разработки и производства современных охлаждаемых ИК ФПУ на основе КРТ в ИФП СО РАН
Сидоров Георгий Юрьевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Фотокатоды с эффективным отрицательным электронным сродством для научных и специальных применений
Терехов Александр Сергеевич
В.В. Бакин, Ю.Б. Болховитянов, С.Н. Косолобов , С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Новая концепция пировидикона на основе пироэлектрического электронно- оптического преобразователя диапазона 1-12 мкм
Терещенко Олег Евгеньевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Нелокальная киральная терагерцовая фотопроводимость в гетероструктурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe
Хохлов Дмитрий Ремович1,4),
А.В.Галеева1), А.С.Казаков1), А.И.Артамкин1), А.В.Иконников1), Л.И.Рябова2), С.А.Дворецкий3), Н.Н.Михайлов3), М.И.Банников4), С.Н.Данилов5)
1Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
2Химический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
5University of Regensburg, Regensburg, Germany
Резонансные оптические покрытия, состоящие из массивов частиц SiGe и Ge на подложках Si
Шкляев Александр Андреевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Исследования энергетического спектра квазидвумерных структур HgTe/CdHgTe магнитотранспортными методами
Якунин Михаил Викторович,1,*
С.М. Подгорных,1 А.В. Суслов,2 С.С. Криштопенко,3 B. Jouault,3 W. Desrat,3 F. Teppe,3 В.Н. Неверов,1 М.Р. Попов,1 Н.Н. Михайлов4 и С.А. Дворецкий4
1 Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург
2 National High Magnetic Field Laboratory, Florida State University, Tallahassee, Florida
3 Laboratoire Charles Coulomb, Centre National de la Recherch- Scientifique, University of Montpellier, Montpellier, France
4 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
 
© ИФП СО РАН, 2021. webmaster@isp.nsc.ru