Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах
|
26 |
А.C. Перин, В.Ю. Рябчёнок, В.М. Шандаров
Влияние пироэлектрического эффекта на характеристики линейной и нелинейной дифракции световых пучков в кристалле ниобата лития
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск |
27 |
А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, Д.В. Брунёв, А.В. Зверев, С.А. Дворецкий
Определение объёмной и локальных длин диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных ИК-приёмников фотодиодного типа на основе материала кадмий-ртуть-теллур
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской
академии наук, Новосибирск |
28 |
Е.В. Богданов, Е.П. Кубашевский, Н.Я. Минина
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs при внешних напряжениях
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва
|
29 |
М.В. Боев1, В.М. Ковалев1,2, А.В. Чаплик1,3
Генерация акустических волн двумерным экситонным газом
1Институт Физики Полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН, Новосибирск
2НГТУ, Новосибирск
3НГУ, Новосибирск
|
30 |
В.С. Варавин, Д.В. Марин, М.В. Якушев
Рекомбинация носителей заряда в структурах Cd0,3Hg0,7Te/Si(013)
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск |
31 |
Т.В. Малин1, А.М. Гилинский1, В.Г. Мансуров1, Д.Ю. Протасов1, А.В. Кожухов1, Е.Б. Якимов2, О.В. Кибис3, К.С. Журавлев1
Возрастание диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1-xN (x=0...0,1), выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
1ИФП СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, Новосибирск
2ИПТМ РАН, Черноголовка
3НГТУ, Новосибирск
|
32 |
В.В. Атучин1,2, В.Н. Кручинин1, С.В. Рыхлицкий1, В.А. Кочубей1,2, Л.Д. Покровский1,2, C.V. Ramana3
Оптические свойства высокоупорядоченных тонких пленок V2O5
1ИФП СО РАН, Новосибирск
2НГУ, Новосибирск
3Department of Mechanical Engineering, University of Texas at El Paso, El Paso, Texas, USA
|
33 |
В.В. Малютина-Бронская1, А.В. Семченко2, В.Б. Залесский1
Фотоэлектрические свойства пленок оксида цинка легированные редкоземельными
металлами
1Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Беларусь, Минск
2Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель
|
34 |
С.Г. Нефёдов, В.В. Павлов, Р.В. Писарев
Анизотропия сверхбыстрого оптического эффекта Керра в GaAs
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург |
35 |
Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев
Матричные элементы электрон-фотонного взаимодействия в кристаллической решетке конечной длины
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск |
36 |
К.М. Румынин, Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев
Энергетическое строение квантовых точек, сформированных в гетеросистеме InSb/AlAs
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
37 |
О.А. Шегай, О.Р. Баютова, А.К. Бакаров
Возникновение плато в фотопроводимости 2DEG AlGaAs/GaAs мезаструктур зигзагообразной формы
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск |
38 |
Д. Мелебаев
Фоточувствительность наноструктур Au-окисел-n-GaAs0.6P0.4 в УФ области спектра
Институт солнечной энергии Академии Наук Туркменистана, Ашхабад |
Фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки) |
39 |
И.И. Ли, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин
Об оптимизации конструктивных параметров ИК микроскопа
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
40 |
Д.В. Марин, М.В. Якушев
О путях снижения плотности V-дефектов в гетероструктурах CdxHg1-xTe выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на
подложках из Si(310)
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
41 |
А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев, Д.В. Марин, А.В. Царенко, М.В. Якушев
Пассивация поверхности HgCdTe тонкими слоями CdTe
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
42 |
Д.В. Бородин2, Д.В. Брунев1, В.С. Варавин1, В.В. Васильев1, А.В. Вишняков1, С.А. Дворецкий1, А.В. Предеин1, И.В. Сабинина1, Г.Ю. Сидоров1, А.О. Сусляков1, М.В. Якушев1
Сверхдлинноволновые линейчатые фотоприемники для дистанционного зондирования Земли
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2ООО "РТК Инпекс", Мытищи
|
43 |
А.К. Бакаров, Н.А. Валишева, К.С. Журавлев, А.П. Ковчавцев, А.Е. Настовьяк, А.И. Торопов, А.В. Царенко
Характеристика слоев InAlSb для ИК фотоприемников, полученных методом МЛЭ
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
44 |
I. Yahniuk1, G. Grabecki2, M. Majewicz2, J. Wróbel2, T. Dietl2, G. Cywiński1, C. Skierbiszewski1, S.S. Krishtopenko3, S.A. Dvoretsky5, N.N. Mikhailov5, F. Teppe4, W. Knap1,4
Pressure-driven transition from topological insulator into band insulator phase in HgTe quantum well
1Institute of High Pressure Physics PAS, 29/37 Sokołowska, Warsaw, Poland
2Institute of Physics PAS, al. Lotników, Warsaw, Poland
3Institute for Physics of Microstructures RAS, GSP-105, 603950, N. Novgorod, Russia
4Laboratory Charles Coulomb, Montpellier University & CNRS, Montpellier, France
5Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB of RAS, 630090 Novosibirsk, Russia
|
45 |
А.В. Войцеховский1,2, С.Н. Несмелов1,2, С.М. Дзядух1,2, В.С. Варавин3, С.А. Дворецкий1,3, Н.Н. Михайлов3, М.В. Якушев3, Ю.Г. Сидоров3, Г.Ю. Сидоров3
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1Национальный исследовательсий Томский государственный университет, Томск
2Сибирский физико-технический институт НИ ТГУ, Томск
3Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
|
46 |
Н.М. Куляхтина1,2, А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, Н.И. Яковлева1
Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоёв InGaAsP
1МФТИ (ГУ), Долгопрудный
2АО «НПО «Орион», Москва
|
47 |
А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1,3, Н.И. Яковлева1
Исследование спектральных характеристик многослойных гетероэпитаксиальных структур ИК- и УФ-диапазонов
1АО «НПО «Орион», Москва
2МФТИ (ГУ), Долгопрудный, МО
3МГТУ МИРЭА, Москва
|
48 |
Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, А.П. Ковчавцев, А.Е. Настовьяк, А.В. Царенко
Пассивация поверхности HgCdTe тонкими пленками Al2O3 полученными методом атомно-слоевого осаждения из ТМА
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
49 |
Н.Х. Талипов1, А.В. Войцеховский2
Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино
2Томский государственный университет, Томск
|
50 |
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский
Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей
ИФП СО РАН, Новосибирск
|
51 |
А.В. Шевлягин1, Н.Г. Галкин1, Д.Л. Горошко1, А.К. Гутаковский2
Кремний-силицидные нанокомпозитные фотодетекторы ближнего инфракрасного диапазона
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
52 |
П.П. Добровольский, Л.С. Марченко, П.А. Алдохин
Исследования поглощающих покрытий холодных диафрагм в фотоприёмных устройствах ИК диапазона
Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск
|
Физические основы элементной базы радиофотоники |
53 |
Е.А. Колосовский
Анализ тонких оптических эффектов с помощью метода линий для интерферометра Маха-Цендера на основе Y-разветвителей
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
54 |
А.А. Лямкина, С.П. Мощенко
Влияние формы металлической частицы на экситон-плазмонное взаимодействие с точечным диполем
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
55 |
А.Э. Симанчук1, С.Н. Атутов1, Н.А. Валишева2, С.Л. Микерин1, А.И. Плеханов1, В.А. Сорокин1, А.В. Якиманский3
Нелинейно-оптические свойства хромофорсодержащих полиимидов и электрооптические устройства на их основе
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
3Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург
|
56 |
И.О. Парм, А.В. Предеин, В.С. Варавин, В.В. Васильев
Плазмохимический оксинитрид в реакторе с плазмой индукционного типа для пассивации гетероэпитаксиальных структур КРТ выращенных методом МЛЭ
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
57 |
Р.М. Тазиев1, И.В. Юнусов2
Численное исследование полимерного электрооптического модулятора на микрополосковой линии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2ЗАО «НПФ «Микран», Томск
|
58 |
М.Ю. Барабаненков1,2, А.Г. Итальянцев2
Узкополосные спектральные фильтры на основе нитяных дифракционных решеток и фотонных структур
1ИПТМ РАН, Черноголовка
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Москва, Зеленоград
|
59 |
М.Ю. Барабаненков1,2, А.Г. Итальянцев2
Магнитный отклик кластера немагнитных наночастиц при рассеянии электромагнитного излучения
1ИПТМ РАН, Черноголовка
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Москва, Зеленоград
|
|