Вернуться к расписанию
Стендовая сессия
Дата:Среда, 14 октября
Время:14:00 - 15:00
Место:Малый зал Дома ученых СО РАН
Фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах
26
А.C. Перин, В.Ю. Рябчёнок, В.М. Шандаров
Влияние пироэлектрического эффекта на характеристики линейной и нелинейной дифракции световых пучков в кристалле ниобата лития
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск
27
А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, Д.В. Брунёв, А.В. Зверев, С.А. Дворецкий
Определение объёмной и локальных длин диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных ИК-приёмников фотодиодного типа на основе материала кадмий-ртуть-теллур
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск
28
Е.В. Богданов, Е.П. Кубашевский, Н.Я. Минина
Переключение поляризационных мод излучения лазерных диодов на основе n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs при внешних напряжениях
Физический факультет МГУ имени М.В. Ломоносова, Москва
29
М.В. Боев1, В.М. Ковалев1,2, А.В. Чаплик1,3
Генерация акустических волн двумерным экситонным газом
1Институт Физики Полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН, Новосибирск
2НГТУ, Новосибирск
3НГУ, Новосибирск
30
В.С. Варавин, Д.В. Марин, М.В. Якушев
Рекомбинация носителей заряда в структурах Cd0,3Hg0,7Te/Si(013)
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
31
Т.В. Малин1, А.М. Гилинский1, В.Г. Мансуров1, Д.Ю. Протасов1, А.В. Кожухов1, Е.Б. Якимов2, О.В. Кибис3, К.С. Журавлев1
Возрастание диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1-xN (x=0...0,1), выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
1ИФП СО РАН, пр. Академика Лаврентьева, Новосибирск
2ИПТМ РАН, Черноголовка
3НГТУ, Новосибирск
32
В.В. Атучин1,2, В.Н. Кручинин1, С.В. Рыхлицкий1, В.А. Кочубей1,2, Л.Д. Покровский1,2, C.V. Ramana3
Оптические свойства высокоупорядоченных тонких пленок V2O5
1ИФП СО РАН, Новосибирск
2НГУ, Новосибирск
3Department of Mechanical Engineering, University of Texas at El Paso, El Paso, Texas, USA
33
В.В. Малютина-Бронская1, А.В. Семченко2, В.Б. Залесский1
Фотоэлектрические свойства пленок оксида цинка легированные редкоземельными металлами
1Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Беларусь, Минск
2Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель
34
С.Г. Нефёдов, В.В. Павлов, Р.В. Писарев
Анизотропия сверхбыстрого оптического эффекта Керра в GaAs
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
35
Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев
Матричные элементы электрон-фотонного взаимодействия в кристаллической решетке конечной длины
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
36
К.М. Румынин, Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев
Энергетическое строение квантовых точек, сформированных в гетеросистеме InSb/AlAs
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
37
О.А. Шегай, О.Р. Баютова, А.К. Бакаров
Возникновение плато в фотопроводимости 2DEG AlGaAs/GaAs мезаструктур зигзагообразной формы
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
38
Д. Мелебаев
Фоточувствительность наноструктур Au-окисел-n-GaAs0.6P0.4 в УФ области спектра
Институт солнечной энергии Академии Наук Туркменистана, Ашхабад
Фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки)
39
И.И. Ли, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин
Об оптимизации конструктивных параметров ИК микроскопа
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
40
Д.В. Марин, М.В. Якушев
О путях снижения плотности V-дефектов в гетероструктурах CdxHg1-xTe выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si(310)
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
41
А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев, Д.В. Марин, А.В. Царенко, М.В. Якушев
Пассивация поверхности HgCdTe тонкими слоями CdTe
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
42
Д.В. Бородин2, Д.В. Брунев1, В.С. Варавин1, В.В. Васильев1, А.В. Вишняков1, С.А. Дворецкий1, А.В. Предеин1, И.В. Сабинина1, Г.Ю. Сидоров1, А.О. Сусляков1, М.В. Якушев1
Сверхдлинноволновые линейчатые фотоприемники для дистанционного зондирования Земли
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2ООО "РТК Инпекс", Мытищи
43
А.К. Бакаров, Н.А. Валишева, К.С. Журавлев, А.П. Ковчавцев, А.Е. Настовьяк, А.И. Торопов, А.В. Царенко
Характеристика слоев InAlSb для ИК фотоприемников, полученных методом МЛЭ
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
44
I. Yahniuk1, G. Grabecki2, M. Majewicz2, J. Wróbel2, T. Dietl2, G. Cywiński1, C. Skierbiszewski1, S.S. Krishtopenko3, S.A. Dvoretsky5, N.N. Mikhailov5, F. Teppe4, W. Knap1,4
Pressure-driven transition from topological insulator into band insulator phase in HgTe quantum well
1Institute of High Pressure Physics PAS, 29/37 Sokołowska, Warsaw, Poland
2Institute of Physics PAS, al. Lotników, Warsaw, Poland
3Institute for Physics of Microstructures RAS, GSP-105, 603950, N. Novgorod, Russia
4Laboratory Charles Coulomb, Montpellier University & CNRS, Montpellier, France
5Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB of RAS, 630090 Novosibirsk, Russia
45
А.В. Войцеховский1,2, С.Н. Несмелов1,2, С.М. Дзядух1,2, В.С. Варавин3, С.А. Дворецкий1,3, Н.Н. Михайлов3, М.В. Якушев3, Ю.Г. Сидоров3, Г.Ю. Сидоров3
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1Национальный исследовательсий Томский государственный университет, Томск
2Сибирский физико-технический институт НИ ТГУ, Томск
3Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
46
Н.М. Куляхтина1,2, А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, Н.И. Яковлева1
Исследование оптических характеристик эпитаксиальных слоёв InGaAsP
1МФТИ (ГУ), Долгопрудный
2АО «НПО «Орион», Москва
47
А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1,3, Н.И. Яковлева1
Исследование спектральных характеристик многослойных гетероэпитаксиальных структур ИК- и УФ-диапазонов
1АО «НПО «Орион», Москва
2МФТИ (ГУ), Долгопрудный, МО
3МГТУ МИРЭА, Москва
48
Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, А.П. Ковчавцев, А.Е. Настовьяк, А.В. Царенко
Пассивация поверхности HgCdTe тонкими пленками Al2O3 полученными методом атомно-слоевого осаждения из ТМА
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
49
Н.Х. Талипов1, А.В. Войцеховский2
Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино
2Томский государственный университет, Томск
50
М.О. Петрушков, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Паханов, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский
Выращивание гетероструктур AIIIBV на подложках кремния методом МЛЭ для фотоэлектрических преобразователей
ИФП СО РАН, Новосибирск
51
А.В. Шевлягин1, Н.Г. Галкин1, Д.Л. Горошко1, А.К. Гутаковский2
Кремний-силицидные нанокомпозитные фотодетекторы ближнего инфракрасного диапазона
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
52
П.П. Добровольский, Л.С. Марченко, П.А. Алдохин
Исследования поглощающих покрытий холодных диафрагм в фотоприёмных устройствах ИК диапазона
Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск
Физические основы элементной базы радиофотоники
53
Е.А. Колосовский
Анализ тонких оптических эффектов с помощью метода линий для интерферометра Маха-Цендера на основе Y-разветвителей
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
54
А.А. Лямкина, С.П. Мощенко
Влияние формы металлической частицы на экситон-плазмонное взаимодействие с точечным диполем
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
55
А.Э. Симанчук1, С.Н. Атутов1, Н.А. Валишева2, С.Л. Микерин1, А.И. Плеханов1, В.А. Сорокин1, А.В. Якиманский3
Нелинейно-оптические свойства хромофорсодержащих полиимидов и электрооптические устройства на их основе
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
3Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург
56
И.О. Парм, А.В. Предеин, В.С. Варавин, В.В. Васильев
Плазмохимический оксинитрид в реакторе с плазмой индукционного типа для пассивации гетероэпитаксиальных структур КРТ выращенных методом МЛЭ
Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
57
Р.М. Тазиев1, И.В. Юнусов2
Численное исследование полимерного электрооптического модулятора на микрополосковой линии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2ЗАО «НПФ «Микран», Томск
58
М.Ю. Барабаненков1,2, А.Г. Итальянцев2
Узкополосные спектральные фильтры на основе нитяных дифракционных решеток и фотонных структур
1ИПТМ РАН, Черноголовка
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Москва, Зеленоград
59
М.Ю. Барабаненков1,2, А.Г. Итальянцев2
Магнитный отклик кластера немагнитных наночастиц при рассеянии электромагнитного излучения
1ИПТМ РАН, Черноголовка
2ОАО "НИИМЭ и Микрон", Москва, Зеленоград