| Методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона
|
| 1 |
С.В. Рыхлицкий, Е.В. Спесивцев, В.А. Швец, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов
Методы и средства эллипсометрической диагностики материалов и структур нанофотоэлектроники Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
|
| 2 |
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, А.А. Команов, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, В.В. Преображенский
Получение гетероструктур InAsSb методом МЛЭ с применением различных молекулярных форм As
ИФП СО РАН, Новосибирск |
| 3 |
А.К. Бакаров1,2, К.С. Журавлев2, А.И. Торопов1, Т.А. Левцова1, Н.А. Валишева1, А.С. Кожухов1,2, Д.В. Щеглов1,2
ДБЭО исследования начальных стадий роста слоев InSb при МЛЭ
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| 4 |
М.А. Василенко1,2, И.Г. Неизвестный 1,2, Н.Л. Шварц 1,2
Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского Отделения РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск
|
| 5 |
А.Е. Гайдук, С.Н. Речкунов, В.А. Селезнёв, В.Я. Принц
Нанорешеточный световой фильтр большой площади, изготовленный с помощью наноимринт-литографии Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
| 6 |
Д.В. Дмитриев, А.М. Гилинский, А.И. Торопов, К.С. Журавлёв
Синтез гетероструктур InAlAs согласованных с подложкой InP методом МЛЭ для высокочувствительных фотодиодов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск |
| 7 |
А.Ю. Игуменов1, А.С. Паршин1, Ю.Л. Михлин2, О.П. Пчеляков3, В.С. Жигалов4
Электронная спектроскопия дисилицида железа 1СибГАУ им. М.Ф. Решетнева, Красноярск
2ИХХТ СО РАН, Красноярск
3ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4ИФ им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск
|
| 8 |
В.А. Пилипович, В.Б. Залесский, А.И. Конойко, В.М. Кравченко
Термооптический преобразователь на базе микрорезонатора Фабри-Перо Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Беларусь, Минск
|
| 9 |
А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой
Зависимость критической толщины перехода по Странскому–Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава
Томский государственный университет, Томск |
| 10 |
И.А. Милёхин1, Е.Е. Родякина1,2, А.В. Латышев1,2, С.А. Кузнецов2, Л.Л. Свешникова1, А.Г. Милёхин1,2
Локализованные поверхностные плазмоны в массивах наноантенн Au
1ИФП СО РАН, Новосибирск
2НГУ, Новосибирск
|
| 11 |
С.В. Рыхлицкий, Е.В. Спесивцев, С.А. Дулин
Спектральный рефлектометрический комплекс для технологического контроля оптических материалов фотоники по параметру объёмного рассеяния
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
|
| 12 |
О.И. Подкопаев1, Т.О. Павлюк1, А.Ф. Шиманский2, Н.О. Голубовская2
Выращивание малодислокационных монокристаллов германия 1АО «Германий», Красноярск
2Сибирский федеральный университет, Красноярск
|
| 13 |
В.А. Швец1,2, В.Г. Ремесник1, Н.Н. Михайлов1, В.С. Варавин1, П.Л. Смирнов1,
С.А. Дворецкий1,3
Исследование оптическими методами слоёв КРТ, имплантированных ионами B+
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Томский государственный университет, Томск
|
| 14 |
А.В. Артамонов1, В.П. Астахов1, И.Б. Варлашов2, В.В. Карпов1, П.В. Митасов2
Химический состав анодных окисных пленок InAs и электрофизические параметры МДП-структур на их основе
1ОАО «Швабе–Фотосистемы», Москва
2Национальный исследовательский университет «МЭИ», Москва
|
| 15 |
А.Х. Мухамметоразова
Электрические свойства наноструктурированных барьеров Шоттки Pt-окисел-n-GaAs
Институт солнечной энергии Академии Наук Туркменистана, Ашхабад |
| 16 |
К.А. Конфедератова1,2, Е.Е. Родякина1,2
Формирование однородных по размеру наноструктур методом электронно-лучевой литографии: методы коррекции эффектов близости
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
|
| 17 |
Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, Ю.Г. Сидоров
Влияние защитного покрытия CdTe на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок CdХHg1-ХTe
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
| 18 |
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский
Структуры n-i-n, p-i-p, n-i-p на основе эпитаксиальных плёнок PbSnTe:In: изготовление и свойства
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
| Терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели
|
| 19 |
П.С. Загубисало1, А.Г. Паулиш1, С.А. Кузнецов2
Моделирование теплофизических процессов в конвертере субтерагерцового излучения в инфракрасное
1Филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной
микроэлектроники», Новосибирск
2НГУ, Новосибирск
|
| 20 |
А.Г. Паулиш, П.С. Загубисало
Оптимизация свойств фотоупругого элемента для пьезооптических датчиков деформаций
Филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной
микроэлектроники», Новосибирск
|
| 21 |
С.Л. Микерин1, А.И. Плеханов1, А.Э. Симанчук1, А.В. Якиманский2
Полингованные нелинейно-оптические полимеры для генерации широкополосного терагерцового излучения
1ИАиЭ СО РАН, Новосибирск
2Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург |
| 22 |
М.А. Демьяненко1, Д.Г. Есаев1, А.И. Козлов1, А.Р. Новоселов2, В.Н. Овсюк1
Мозаичные инфракрасные и терагерцовые фотоприемники обзорно-панорамного формата: системный подход
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Филиал ИФП СО РАН “КТИПМ”, Новосибирск
|
| 23 |
А.А. Алтухов1, Ю.В. Гуляев2, Н.Х. Талипов2, В.С. Фещенко1, В.А. Шепелев1, Г.В. Чучева2
Комплексированный ИК+УФ интегральный матричный фотоприёмник на основе микроболометров и SiC
1ООО ПТЦ “УралАлмазИнвест”, Москва
2Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино
|
| 24 |
А.А. Алтухов1, Ю.В. Гуляев2, Н.Х. Талипов2, Г.В. Чучева2
Высокочувствительный планарный матричный фотоприемник на основе алмаза для УФ-канала комплексированной инфракрасной оптико-электронной системы
1ООО ПТЦ “УралАлмазИнвест”, Москва
2Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино
|
| 25 |
И.А. Азаров1,3, В.А. Швец1,3, Б.А. Князев2,3, Ю.Ю. Чопорова2,3, С. В. Рыхлицкий1, В.Ю. Прокопьев1,3
Эллипсометрический комплекс терагерцового диапазона
1ИФП СО РАН, Новосибирск
2ИЯФ СО РАН, Новосибирск
3НГУ, Новосибирск
|
|