| 09:00 - 09:20 | В.И. Гавриленко
Лазеры дальнего ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников и гетероструктур с квантовыми ямами (приглашенный доклад)
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
|
| 09:20 - 09:40 | В. А. Гайслер1,2,3
Разработка неклассических излучателей на основе полупроводниковых квантовых точек (приглашенный доклад)
1Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| 09:40 - 09:55 | Н.В. Крыжановская1, Ю.В. Кудашова1, Э.И. Моисеев1, А.Е. Жуков1,3, М.В. Максимов1,2,3, М.М. Кулагина2, С.И. Трошков2, Ю.М. Задиранов2, А.А. Липовский1,3
Инжекционные микродисковые лазеры с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие до 100°С
1Академический университет, Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
3Санкт-Петербургский политехнический университет им. Петра Великого, Санкт-Петербург
|
| 09:55 - 10:10 | А.В. Шевлягин1, Н.Г. Галкин1, А.К. Гутаковский2, Т.С. Шамирзаев2
Высокоэффективный Si ИК светодиод со встроенными нанокристаллитами β-FeSi2, работающий при комнатной температуре
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| 10:10 - 10:25 | С.В. Морозов1,2, В.В. Румянцев1, А.А. Дубинов1,2, В.Я. Алёшкин1,2, А.М. Кадыков1,2, М.А. Фадеев1,2, Н.Н. Михайлов3, С.А. Дворецкий3, В.И. Гавриленко1,2
Длинноволновая фотолюминесценция и стимулированное излучение в структурах на основе твердых растворов HgCdTe
1ИФМ РАН, Нижний Новгород
2ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Н.Новгород
3ИФП СО РАН, Новосибирск
|
|