| 16:50 - 17:10 | Ю.Н. Вольхин
Радиофотоника: прошлое, настоящее, будущее (приглашенный доклад)
ОАО ”ЦКБА”, Россия, Омск
|
| 17:10 - 17:30 | С.А. Малышев1, А.Л. Чиж1, К.Б. Микитчук1, А.А. Тептеев2, А.С. Шуленков2
Мощный высокоскоростной фотодиод Шоттки для устройств и систем радиофотоники (приглашенный доклад)
1Институт физики НАН Беларуси, Минск
2ОАО «Минский НИИ радиоматериалов», Минск
|
| 17:30 - 17:50 | А.И. Плеханов
Высокоскоростные оптические модуляторы на основе нелинейно-оптических полимеров (приглашенный доклад)
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск
|
| 17:50 - 18:05 | И.М. Гаджиев, М.С. Буяло, Е.Л. Портной
Увеличение мощности модуляции добротности в лазерах с квантовыми ямами под воздействием эффекта Штарка
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
|
| 18:05 - 18:20 | М.Г. Кистенева1, М.В. Бородин1, В.В. Щербина1, С.М. Шандаров1, В.М. Шандаров1, А.С. Акрестина1, Е.С. Худякова1, В.М. Лисицын2, С.А. Степанов2, А.А. Колегов3
Волноводные и оптические характеристики эпитаксиальных структур GaN/InGaN - сапфир
1Томский государственный университет систем управления и
радиоэлектроники, Томск
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск
3Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. У.И. Забабахина, Снежинск
|
| 18:20 - 18:35 | М.Д. Шарков1, М.Е. Бойко1, А.В. Бобыль1, А.М. Бойко1, Е.М. Ершенко1, Я.В. Зубавичус2, С.Г. Конников1
Изучение структуры и фазового состава синтезированных образцов фосфата лития-железа и титаната лития – материалов для литий-ионных аккумуляторов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
2НИЦ «Курчатовский институт», Москва
|
|