| 15:00 - 15:20 | A.Piotrowski
Status of mid and long infrared detectors at Vigo System (приглашенный доклад)
VIGO System S.A., Ożarów Mazowiecki
|
| 15:20 - 15:35 | И.Д. Бурлаков1, К.О. Болтарь1, П.В. Власов1, А.А. Лопухин1, В.А. Соловьев2, А.Н. Семенов2, Б.Я. Мельцер2, Т.А. Комиссарова2, Т.В. Львова2, С.В. Иванов2
МФПУ на основе эпитаксиальных структур антимонида индия
1АО «НПО «Орион», Москва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
|
| 15:35 - 15:50 | Д.Г. Есаев, А.П. Савченко, В.А. Фатеев, И.В. Марчишин, М.А. Демьяненко, А.И. Торопов, А.К. Калагин, Н.А. Валишева, Н.Р. Вицина
Матричные фотоприемники на основе квантовых ям GaAs/AlGaAs форматом 384×288 и 640×512
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| 15:50 - 16:05 | В.М. Базовкин1, Н.А. Валишева1, В.С. Варавин1, В.В. Васильев1, В.М. Гайлес2, А.А. Гузев1, С.А. Дворецкий1, А.П. Ковчавцев1, И.И. Ли1, Д.В. Марин1, Ю.С. Макаров1, В.Г. Половинкин1, И.В. Сабинина1, Ю.Г. Сидоров1, Г.Ю. Сидоров1, Д.В. Фромичев2, А.В. Царенко1, М.В. Якушев1
Новое поколение ИК фотоприемников на основе КРТ, работающих при повышенных температурах
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2АО “НПП “Восток”, Новосибирск
|
| 16:05 - 16:20 | Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, Ю.Г. Сидоров, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, М.В. Якушев, В.М. Базовкин, В.Г. Половинкин
Создание матричных фотоприемников на основе ГЭС КРТ МЛЭ на длины волн 3-5 и 8-10 мкм форматом до 1024×1024
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
| 16:20 - 16:35 | O.I. Semenova1, N.A.Yeryukov1, Zhiyong Li2
Thin films of PECVD silicon nitride for nanophotonic application
1Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk
2Institute of Semiconductors CAS, Beijing, China
|
|