| 10:45 - 11:05 | А.В. Войцеховский1, Н.Х. Талипов2
Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe (приглашенный доклад)
1Томский государственный университет, Томск
2Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва
|
| 11:05 - 11:20 | Е.А. Емельянов1, А.В. Васев1, М.А. Путято1, И.Б. Чистохин1, В.В. Румянцев2, С.В. Морозов2, Б.Р. Семягин1, А.П. Василенко1, А.К. Гутаковский1, В.В. Преображенский
1
Влияние температуры роста на структурные и оптические свойства сверхрешеток GaSb/InAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1ИФП СО РАН, Новосибирск
2ИФМ РАН, Нижний Новгород
|
| 11:20 - 11:35 | Л.К. Орлов, Н.С. Волкова, М.Л. Орлов, Т.О. Мишенко
Туннельная спектроскопия электронных состояний в гетерокомпозициях InAs/GaAs с массивами квантовых точек
ИФМ РАН, ННГУ, НГТУ, Н.Новгород
|
| 11:35 - 11:50 | И.И. Ижнин1,2, Е.И. Фицич1, А.В. Войцеховский2, А.Г. Коротаев2, А.Ю. Бончик3, Г.В. Савицкий3, В.С. Варавин4, С.А. Дворецкий4, Н.Н. Михайлов4, М.В. Якушев4, К.Д. Мынбаев5,6
Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+–n–структур, сформированных ионным травлением
1Научно-производственное предприятие “Карат”, Львов
2Национальный исследовательский Томский государственный
университет, Томск
3ИППММ им. Я.С. Пидстригача НАН Украины, Львов
4ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
5ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
6Университет ИТМО С.-Петербург
|
| 11:50 - 12:05 | И.Е. Тысченко1, Л.Л. Дзюбина1, А.Г. Черков2, В.А. Володин1,2, В.П. Попов1
Ионно-лучевой синтез и свойства нанокристаллов InSb в структурах кремний-на-изоляторе
1Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| 12:05 - 12:20 | В.А. Швец1,2, Е.В. Спесивцев1, И.А. Азаров1, С.В. Рыхлицкий1, Н.Н. Михайлов1, М.В. Якушев1, В.Д. Кузьмин1, Ю.Г. Сидоров1, С.А. Дворецкий1,3
Метод эллипсометрии в технологии процессов молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Томский государственный университет, Томск
|
| 12:20 - 12:35 | Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев, А.В. Колесников, М.В. Якушев
Дислокации в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках ориентации (013) и возможности снижения их плотности
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
|