| 09:00 - 09:20 | С.Г. Егорова1, А.В. Галеева1, В.И. Черничкин1, Л.И. Рябова2, Е.П. Скипетров1, М.Е. Тамм2, Л.В. Яшина2, С.Н. Данилов3, С.Д. Ганичев3, Д.Р. Хохлов1,4
Терагерцовое зондирование поверхностных состояний в топологических изоляторах (приглашенный доклад)
1Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, Москва
2Химический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Faculty of Physics, University of Regensburg, Regensburg, Germany
4Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, Москва
|
| 09:20 - 09:40 | К. Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов1, Н.Н. Михайлов3, М.В. Якушев3, В.С. Варавин3, С.А. Дворецкий3
Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe (приглашенный доклад)
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург
3ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
| 09:40 - 10:00 | В.А. Володин1,2, М.П. Гамбарян1,3, Г.К. Кривякин1,3, Г.Н. Камаев1, С.А. Кочубей1, А.Г. Черков1,3, В.И. Вдовин1,3, M. Vergnat4, J. Stuchlik5, А.В. Двуреченский1,2
Светоизлучающие нанокристаллы Si, Ge и GeSi в различных матрицах: формирование, структурные и оптические свойства (приглашенный доклад)
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
4Université de Lorraine, Institut Jean Lamour, Vandœuvre-lés-Nancy Cedex, France
5Institute of Physics ASCR, Praha, Czech Republic
|
| 10:00 - 10:15 | А.А. Блошкин1,2, А.И. Якимов1, В.В. Кириенко1, В.А. Тимофеев1, В.А. Армбристер1, А.В. Двуреченский1,2, А.И. Никифоров1
Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для фотоприемников среднего ИК-диапазона
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
| 10:15 - 10:30 | А.Е. Гайдук, С.Н. Речкунов, В.А. Селезнёв, Е.А. Злобина, В.Я. Принц
Многослойные поляризаторы ИК-диапазона большой площади
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
|
|