| 11:00 - 11:20 |
О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, М.А. Путято, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.К. Гутаковский, Е.М. Труханов, Н.А. Паханов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарёв, Д.И. Феклин, В.М. Владимиров*, А.С. Паршин**
Проблемы создания высокоэффективных солнечных преобразователей для космических аппаратов (приглашенный доклад)
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
* НПФ «Электрон»
**СибГАУ, Красноярск
|
| 11:20 - 11:35 |
Н.Г. Галкин1, К.Н. Галкин1, И.М. Чернев1, А.В. Шевлягин1, Radek Fajgar2, The Ha Stuchlikova3, Jiri Stuchlik3, Zdenek Remes3,4
Новый подход к формированию солнечных батарей на основе аморфного гидрогенизированного кремния и полупроводниковых силицидов
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
2Institute of Chemical Process Fundamentals of the ASCR, Praha, Czech Republic
3Institute of Physics of the ASCR, Praha, Czech Republic
4Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering, Kladno, Czech Republic
|
| 11:35 - 11:50 |
П.Н. Брунков1,2, Н.Д. Ильинская1, С.А. Карандашев1, Н.Г. Карпухина3, А.А. Лавров1, Б.А. Матвеев1, М.А. Ременный1, Н.М. Стусь1, А.А. Усикова1
Фотодиоды на основе ДГС InAs/InAsSb0.1/InAsSbP (λ0.1=5.2 мкм), работающие в температурном диапазоне 50-300 К
1ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПБ
2Национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург
3ООО «ИоффеЛЕД», СПБ
|
| 11:50 - 12:05 | А.Н. Бельтюков1, Р.Г. Валеев1, А.И. Чукавин1, Д.И. Петухов2, В.М. Ветошкин1
Разработка электролюминесцентных излучателей оптического диапазона на базе полупроводниковых нанокомпозитов ZnS:Cu@Al2O3
1Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
2Московский государственный университет им. В.М. Ломоносова, Москва
|
| 12:05 - 12:20 | А.П. Ковчавцев, В.Г. Кеслер, A.А. Гузев, А.Е. Настовьяк, А.В. Царенко, З.В. Панова
Температурные зависимости адмиттанса InAs-MОП структур со сверхтонким окислом
ИФП СО РАН, Новосибирск
|
| 12:20 - 12:35 | В.В. Карпов, А.В. Филатов, Е.В. Сусов, Н.С. Кузнецов
Фоторезисторы из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe на спектральный диапазон 8-12 мкм
ОАО «Швабе–Фотосистемы»
|
|