| 09:00 - 09:20 |
С.Г. Тиходеев
Оптические свойства кирально-модулированных фотонных структур (приглашенный доклад)
Институт общей физики им. А.М. Прохорова, Москва
|
| 09:20 - 09:40 |
Н.В. Волков1, А.С. Тарасов1, М.В. Рауцкий1, А.В. Лукьяненко1,2, С.Н. Варнаков1,2, С.Г. Овчинников1
Эффекты гигантского магнитосопротивления в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник, индуцированные оптическим излучением (приглашенный доклад)
1ИФ СО РАН, Красноярск
2СибГАУ, Красноярск
|
| 09:40 - 10:00 |
А.Г. Милёхин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякина1,2, С.А. Кузнецов2, V.M. Dzhagan3, А.В. Латышев1,2, D.R.T. Zahn3
Комбинационное рассеяние света и инфракрасное поглощение полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах (приглашенный доклад)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
2Новосибирский Государственный университет, Новосибирск
3Semiconductor Physics, Technische Universität Chemnitz, D-09107, Chemnitz
|
| 10:00 - 10:15 | А.Г. Журавлев1,2, А.С. Романов1,2, В.Л. Альперович1,2
Эмиссия горячих и термализованных фотоэлектронов из p-GaAs(Cs,O) с положительным и отрицательным сродством
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
|
| 10:15 - 10:30 | А.В. Трифанов1, Д.Ю. Протасов2, В.Я. Костюченко3, С.А. Дворецкий2
Определение подвижности неосновных электронов в p-Cd0.22Hg0.78Te при температуре жидкого азота
1Сибирский государственный университет геосистем и технологий, Новосибирск
2Институт физики полупроводников им. Академика А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
|
| 10:30 - 10:45 | А.А. Гисматулин1, В.А. Володин1,2, Г.Н. Камаев1, С.Г. Черкова1, А.Г. Черков2
Формирование и оптические свойства многослойных наноструктур Si\SiO2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
|