10:40 - 10:55 | О.Е. Терещенко1,2, В.А. Голяшов1,2, И.Б. Чистохин1, Т.С. Шамирзаев1,2, А.С. Ярошевич1, А.А. Родионов1, И.А. Деребезов1, В.А. Гайслер1, А.К. Бакаров1,2, Д.В. Дмитриев1, А.И. Торопов1, И.И. Мараховка3, А.В. Копотилов3, Н.В. Кислых3
Изучение инжекции спин-поляризованных электронов в гетероструктуры A3B5 методом поляризованной катодолюминесценции
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3ЗАО «ЭКРАН-ФЭП», Новосибирск
|
10:55 - 11:10 | Л.Н. Сафронов, В.А. Антонов, С.Н. Подлесный, В.П. Попов
Управление спектром излучения алмазов с NV центрами
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
|
11:10 - 11:25 | А.А. Лямкина1, С.П. Мощенко1, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, К. Шрамль2, М. Канибер2, Д. Финли2
Экситон-плазмонное взаимодействие в системе с InAs/AlGaAs КТ и литографическими анизотропными наноантеннами
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
2Институт Вальтера Шоттки, Технический Университет Мюнхена, Гархинг, Германия
|
11:25 - 11:40 | Д.С. Абрамкин1, К.М. Румынин1, А.К. Бакаров1, А.К. Гутаковский1, О.В. Кибис2, Т.С. Шамирзаев1
Кристаллическое строение и энергетический спектр III-Sb/AlAs самоорганизованных квантовых точек
1Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск
2НГТУ, Новосибирск
|
11:40 - 11:55 | Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, Д.В. Ледовских1, А.А. Ковалёв1, М.Н. Путято1, В.В. Преображенский1, Н.Н. Рубцова1, Б.Р. Семягин1, В.Е. Кисель3, А.С. Руденков3, Н.В. Кулешов3, А.А. Павлюк4
Полупроводниковые зеркала с насыщающимся поглощением для фемтосекундных лазеров ближнего инфракрасного диапазона
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3НИИ оптических материалов и технологий БНТУ, Минск, Беларусь
4Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
|
11:55 - 12:10 | А.В. Царев1,2
Интерферометр Маха-Цендера, слабо чувствительный к технологическим ошибкам изготовления
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
|
|