Перечень публикаций в рецензируемых периодических журналах за 5 лет:

1.  I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Kinetics of atomic smoothing GaAs(001) surface in equilibrium conditions. Appl. Surf. Sci., 2013, v. 269, p. 2-6. DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.09.150.
2.  А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из p-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия. Письма в ЖЭТФ, 2013, т. 98, вып. 8, с. 513-517.
3. A.G. Zhuravlev, A.S. Romanov, V.L. Alperovich, Photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs with nonequilibrium Cs overlayers, Appl. Phys. Lett., v. 105, No. 25, 251602 (2014). DOI: 10.1063/1.4904986
4. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 333, p. 141-146. DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.01.226
5. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379. DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.10.074
6. I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation, Scripta Materialia, 2016, v.114, p. 125-128. DOI: 10.1016/j.scriptamat.2015.12.017
7.  A.G. Zhuravlev, V.L. Alperovich, Temperature dependence of photon-enhanced thermionic emission from GaAs with nonequilibrium Cs overlayers, Appl. Surf. Sci. V. 395, p. 3-8 (2017). DOI : 10.1016/j.apsusc.2016.05.057
8.  I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Thermal roughening of GaAs surface by dislocation-induced step-flow sublimation, J. Phys. Conf. Ser. 2016, v.741, p. 012042. http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/741/1/012042/meta
9.  D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L.Alperovich, Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs, J. Phys. Conf. Ser. 816 (2017) 012008 (Scopus).
10. I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing, Appl. Surf. Sci. 2017, v. 406, p. 307-311. DOI : 10.1016/j.apsusc.2017.02.062 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.02.062
11.  А.Г. Журавлев, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Эмиссия электронов из Cs/GaAs(001) и (Cs,О)/GaAs(001) с положительным и отрицательным электронным сродством, Письма ЖЭТФ 2017, т. 105, в. 10, с. 645-650.
12.  I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhukhov, V.L.Alperovich, Optimization of GaAs surface thermal smoothing conditions, J. Phys. Conf. Ser., 2018, v. 993, p. 012010.
13.  A.G. Zhuravlev, D.M. Kazantsev, V.S. Khoroshilov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers J. Phys. Conf. Ser., 2018, v. 993, p. 012007.
14.  D. M. Kazantsev, I. O. Akhundov, V. L. Alperovich, N. L. Shwartz, A. S. Kozhukhov, A. V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation, ФТП, 2018, т. 52, вып. 5, с. 514-517.
15. A.G. Zhuravlev, V.L. Alperovich, Relaxational kinetics of photoemission and photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers, Appl. Surf. Sci., 2018, v. 461, p. 10-16. DOI : 10.1016/j.apsusc.2018.06.157

Перечень докладов на конференциях за 5 лет:

1. В.Л. Альперевич, А.Г. Журавлев, Перенос электронов через границу полупроводник-вакуум: фотоэмиссия из GaAs(Cs,O), XXII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников (UIWSPS-2018), Екатеринбург, Россия, 18-23.02.2018, приглашённый.
2. V.L. Alperovich, D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation, 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2017, p. 256–258. (приглашенный доклад)
3. A.G. Zhuravlev, V.S. Khoroshilov, and V.L. Alperovich, Photoemission from GaAs(Cs,O) with positive and negative electron affinities Abstracts of the International Conference Progress in Applied Surface, Interface, and Thin Film Science, Florence, Italy, November, 20.11-23.11.2015. (приглашенный доклад)
4. А.Г. Журавлев, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Эмиссия электронов из р-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 02-06 октября 2017, с. 71 (устный доклад).
5. В.Л. Альперович, Переход электронов через границу кристалла с вакуумом: спин-зависимая фотоэмиссия и фотонно-усиленная термоэлектронная эмиссия из GaAs(Cs,O). Совещание по теории полупроводников, Санкт-Петербург, 19-21 апреля 2016 г. (приглашенный доклад).
6. А.Г. Журавлев, А.С. Романов, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из GaAs с неравновесными слоями цезия, Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015, с. 17 (приглашенный доклад).
7. В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из полупроводников: проблемы физики поверхности и практические приложения, Международная зимняя школа по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27 февраля – 3 марта 2015 (приглашенная лекция).
8. В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из полупроводников: проблемы физики поверхности и практические приложения, Международная зимняя школа по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27 февраля – 3 марта 2015 (приглашенная лекция).

Перечень монографий и учебников:

1. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, Н.С. Рудая, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях, Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (1964-2014), г. Новосибирск, изд. «Параллель», ISBN 978-5-98901-144-5, с. 221-240, 2014.
2. А.В. Ненашев, В.Л. Альперович, Колебания кристаллической решетки. Учебное пособие. ISBN 978-5-4437-0417-3, РИЦ НГУ, Новосибирск, 2015, 99 с.
3. V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions, in Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, Elsevier, 2017, pp. 255-277.