Перечень публикаций в рецензируемых периодических журналах за 5 лет:

1. Базовкин В.М., Варавин В.С., Васильев В.В., Глухов А.В., Горшков Д.В., Дворецкий С.А., Ковчавцев А.П., Макаров Ю.С., Марин Д.В., Мжельский И.В., Половинкин В.Г., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю., Строганов А.С., Царенко А.В., Якушев М.В., Латышев А.В., Мегапиксельное матричное фотоприёмное устройство среднего ИК-диапазона, Успехи прикладной физики, 2018
2. Деребезов И.А., Гайслер А.В., Гайслер В.А., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Кожухов А.С., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л., Спектроскопия одиночных квантовых точек AlInAs, Автометрия, 2018
3. Астанкова К.Н., Кожухов А.С., Азаров И.А., Горохов Е.Б., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе, Физика твердого тела, 2018
4. Е. Е. Родякина, С. В. Ситников, Д.И. Рогило, А. В. Латышев , Перераспределение атомных ступеней на поверхности кремния (001) при сублимации в условиях нагрева постоянным электрическим током, Сибирский физический журнал, 2018
5. Родякина Е.Е., Ситников С.В., Рогило Д.И., Латышев А.В., Управление рельефом подложки Si(001) при термическом отжиге в вакуумной камере, Микроэлектроника, 2018
6. Зверев А.В., Сусляков А.О., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В., Кузьмин В.Д., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Макаров Ю.С., Предеин А.В., Горшков Д.В., Дворецкий С.А., Васильев В.В., Сидоров Ю.Г., Латышев А.В., Кремис И.И. , Матричные фотоприемные устройства формата 384x288 элементов для ИК-диапазона 8–10 мкм, Успехи прикладной физики, 2018
7. Горохов Е.Б., Астанкова К.Н., Володин В.А., Кравцова А.Ю., Латышев А.В., Формирование слоёв пористого германия и их исследование оптическими методами, Сибирский физический журнал, 2018
8. Rahaman M., Milekhin A.G., Mukherjee A., Rodyakina E.E., Latyshev A., Dzhagan V., Zahn D.R.T., The Role of a Plasmonic Substrate on the Enhancement and Spatial Resolution of Tip-enhanced Raman Scattering, FARADAY DISCUSSIONS, 2018
9. Milekhin I.A., Kuznetsov S.A., Milekhin A.G., Duda T.A., Cherkasova O.P., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Surface enhanced IR absorption by cortisol molecules, Journal of Physics: Conference Series, 2018
10. Minaev V.L., Levin G.G., Latyshev A.V., Shcheglov D.V. , Measurement of the Profile of the Surface of Monoatomic Multilayer Silicon Nanostructures by an Interference Method, Измерительная техника, 2018
11. Rogilo D.I., Fedina L.I., Kosolobov S.S., Latyshev A.V., On the role of mobile nanoclusters in 2D island nucleation on Si(111)-(7 × 7) surface, Surface Science, 2018
12. Milekhin A.G., Rahaman M., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T. , Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS 2monolayers on Au nanocluster arrays , Nanoscale , 2018
13. Kozhukhov A.S., Scheglov D.V., Fedina L.I., Latyshev A.V. , The initial stages of atomic force microscope based local anodic oxidation of silicon, AIP Advances, 2018
14. Gorokhov E.B., Astankova K.N., Azarov I.A., Volodin V.A., Latyshev A.V., New method of porous Ge layer fabrication: structure and optical properties, Физика и техника полупроводников, 2018
15. Kazantsev D.M., Akhundov I.O., Alperovich V.L., Shwartz N.L., Kozhukhov A.S., Latyshev A.V., Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation, Физика и техника полупроводников, 2018
16. Otteneder M., Kvon Z.D., Tkachenko O.A., Tkachenko V.A., Jaroshevich A.S., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Ganichev S.D., Giant Terahertz Photoconductance of Quantum Point Contacts in the Tunneling Regime, Physical Review Applied, 2018
17. Chepurov A., Sonin V., Shcheglov D., Latyshev A., Filatov E., Yelisseyev A., A highly porous surface of synthetic monocrystalline diamond: Effect of etching by Fe nanoparticles in hydrogen atmosphere, INTERNATIONAL JOURNAL OF REFRACTORY METALS & HARD MATERIALS, 2018
18. Milekhin A.G., Kuznetsov S.A., Milekhin I.A., Sveshnikova L.L., Duda T.A., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Nanoantenna structures for the detection of phonons in nanocrystals, Beilstein Journal of Nanotechnology, 2018
19. Ivanov Yu.D., Malsagova K.A., Pleshakova T.O., Galiullin R.A., Kozlov A.F., Shumov I.D., Ivanova I.A., Archakov A.I., Popov V.P., Latyshev A.V., Rudenko K.V., Glukhov A.V., Ultrasensitive Detection of 2,4-Dinitrophenol Using Nanowire Biosensor, Journal of Nanotechnology, 2018
20. D. Utkin, A. Shklyev, A. Tsarev, A. Latyshev, D. Nasimov, Formation of periodic structures (2D-PhCs) by scanning electron lithography , Physics Procedia, 2017
21. И.И. Рябцев, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.Г. Неизвестный, А.В. Латышев, А.Л. Асеев , Элементная база квантовой информатики I: кубиты квантового компьютера на основе одиночных атомов в оптических ловушках, Микроэлектроника, 2017
22. И.И. Рябцев, Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, В.М. Энтин, И.Г. Неизвестный, А.В. Латышев, А.Л. Асеев , Элементная база квантовой информатики II: квантовые коммуникации с одиночными фотонами, Микроэлектроника, 2017
23. И.И. Рябцев, Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, В.М. Энтин, И.Г. Неизвестный, А.В. Латышев, А.Л. Асеев , Элементная база квантовой информатики II: квантовые коммуникации с одиночными фотонами, Микроэлектроника, 2017
24. А.А. Чепуров, С.С. Косолобов, Д.В. Щеглов, В.М. Сонин, А.И. Чепуров, А.В. Латышев, Наноскульптуры на округлых поверхностях природных алмазов, Геология рудных месторождений, 2017
25. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте, Физика и техника полупроводников, 2017
26. А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа, Физика и техника полупроводников, 2017
27. А.В. Гайслер, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Квантовые точки AlInAs, Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017
28. D.I. Rogilo, L.I. Fedina, .S.S. Kosolobov, B.S. Ranguelov, A.V. Latyshev, 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth, Journal of Crystal Growth, 2017
29. S.V. Sitnikov, A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov, Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface, Journal of Crystal Growth, 2017
30. A.D. Levin, S.A. Mikhailov, G.M. Gusev, Z.D. Kvon, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Giant microwave-inducedB -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact , Physical Review B, 2017
31. A.G. Milekhin, S.A. Kuznetsov, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, I.A. Milekhin, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn, Surface-Enhanced Infrared Absorption by Optical Phonons in Nanocrystal Monolayers on Au Nanoantenna Arrays, Journal of Physical Chemistry C (Nanomaterials, Interfaces, and Hard Matter), 2017
32. A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, S.A. Balagan, S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, N.G. Galkin, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, M. Iinuma, Y. Terai, A room-temperature-operated Si LED withβ-FeSi 2nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5μ m , Journal of Applied Physics, 2017
33. A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov, and A.V. Latyshev , Conductive indium nanowires deposited on silicon surface by dip-pen nanolithography, Journal of Physics: Conference Series, 2017
34. D.E. Utkin, A.A. Shklyev, A.V. Tsarev and A.V. Latyshev, Formation of 2D-PhCs with missing holes based on Si-layers by EBL, Journal of Physics: Conference Series, 2017
35. E. Sysoev, S. Kosolobov, R. Kulikov, A. Latyshev, S. Sitnikov, I. Vykhristyuk, Interferometric Surface Relief Measurements with Subnano/Picometer Height Resolution, Measurement Science Review, 2017
36. K.N. Astankova, E.B. Gorokhov, I.A. Azarov, V.A. Volodin, A.V. Latyshev, Local anodic oxidation of solid GeO films: The nanopatterning possibilities, Surfaces and Interfaces , 2017
37. I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing, Applied Surface Science, 2017
38. L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, A.B. Talochkin, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, A.V. Latyshev., Resonant Reflectance in Silicon Nanorods Arrays, Solid State Phenomena, 2016
39. Д.И. Рогило, Н.Е. Рыбин, С.С. Косолобов, Л.И. Федина, А.В. Латышев, Зарождение двумерных островков Si вблизи моноатомной ступени на атомно-чистой поверхности Si(111)- (7 x 7), Автометрия, 2016
40. В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Интроскопия в наномезоскопике, Автометрия, 2016
41. Д.И. Рогило, Н.Е. Рыбин, Л.И. Федина, А.В. Латышев, Распределение концентрации адатомов на экстраширокой террасе поверхности Si(111) в условиях сублимации, Автометрия, 2016
42. Д.Е. Уткин, А.А. Шкляев, Ф.Н. Дульцев, А.В. Латышев, Формирование «прореженных» двумерных фотонных кристаллов в кремнии, Сибирский физический журнал, 2016
43. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Формирование двумерных отрицательных островков при быстром охлаждении ультраплоской поверхности Si(111), Сибирский физический журнал, 2016
44. К.Н. Астанкова, Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, И.А. Азаров, А.В. Латышев. , Люминесценция в пленках GeOx, содержащих нанокластеры германия. , Российские нанотехнологии, 2016
45. С.В. Ситников, А.В. Латышев, С.С. Косолобов, Атомные ступени на ультра-плоской поверхности Si(111) при сублимации., Физика и техника полупроводников, 2016
46. А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния, Физика и техника полупроводников, 2016
47. A.A. Bykov, I.S. Strygin, A.V. Goran, A.K. Kalagin, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Microwave-induced zero-resistance state in two-dimensional electron systems with unidirectional periodic modulation, Applied Physics Letters, 2016
48. A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, E.E. Rodyakina, V.M. Dzhagan, E. Sheremet, O.D. Gordan, C. Himcinschi, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant surface-enhanced Raman scattering by optical phonons in a monolayer of CdSe nanocrystals on Au nanocluster arrays, Applied Surface Science, 2016
49. I.A. Milekhin, S.A. Kuznetsov, E.E. Rodyakina, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Localized surface plasmons in structures with linear Au nanoantennas on a SiO2/Si surface, Beilstein Journal of Nanotechnology, 2016
50. V.V. Kaichev, D. Teschner, A.A. Saraev, S.S. Kosolobov, A.Yu. Gladky, I.P. Prosvirin, N.A. Rudina, A.B. Ayupov, R. Blume, M. Hävecker, A. Knop-Gericke, R. Schlögl, A.V. Latyshev, V.I. Bukhtiyarov, Evolution of self-sustained kinetic oscillations in the catalytic oxidation of propane over a nickel foil, Journal of Catalysis, 2016
51. A.А. Shklyaev, А.V. Latyshev, Formation of lateral nanowires by Ge deposition on Si(111) at high temperatures, Journal of Crystal Growth, 2016
52. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev, Surface Morphology Transformation Under High-Temperature Annealing of Ge Layers Deposited on Si(100), Nanoscale Research Letters , 2016
53. A. Lagarkov, I. Budashov, V. Chistyaev, A. Ezhov, A. Fedyanin, A. Ivanov, I. Kurochkin, S. Kosolobov, A. Latyshev, D. Nasimov, I. Ryzhikov, M. Shcherbakov, D. Vaskin, and A.K. Sarychev , SERS-active dielectric metamaterials based on periodic nanostructures , Optics Express, 2016
54. A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, N.A. Yeryukov, E.E. Rodyakina, A.K. Gutakovskii, S.A. Batsanov, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Surface-enhanced Raman spectroscopy of semiconductor nanostructures, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2016
55. I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation, Scripta Materialia, 2016
56. И.И. Рябцев, А.В. Тайченачев, П.Л. Чаповский, А.Н. Гончаров, В.И. Юдин, Л.В. Ильичев, A.Э. Бонерт, Д.В. Бражников, И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.Г. Неизвестный, А.В. Латышев, С.Н. Багаев, А.Л. Асеев, Лазерное охлаждение атомов для применений в квантовой информатике и метрологии, Вестник Российского фонда фундаментальных исследований, 2015
57. В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев , Неклассические излучатели на основе квантовых точек, Вестник Российского фонда фундаментальных исследований, 2015
58. С.А. Лященко, З.И. Попов, С.Н. Варнаков, Е.А.Попов, М.С. Молокеев, И.А. Яковлев, А.А. Кузубов, С.Г. Овчинников, Т.С. Шамирзаев, А.В.Латышев, А.А. Саранин , Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии, Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2015
59. Л.С. Голобокова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов, Физика и техника полупроводников, 2015
60. Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев, Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+-Si/НК beta-FeSi2/n-Si, Физика и техника полупроводников, 2015
61. В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов, Физика и техника полупроводников, 2015
62. K.A. Malsagova, Y.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.L. Kaysheva, I.D. Shumov, A.F. Kozlov, A.I. Archakov, V.P. Popov, B.I. Fomin, A.V. Latyshev, A SOI-nanowire biosensor for the multiple detection of D-NFATc1 protein in the serum, Analytical Methods, 2015
63. O.E. Tereshchenko, V.A. Golyashov, S.V. Eremeev, I. Maurin, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, M.S. Aksenov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, S.E. Khandarkhaeva, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.I. Bukhtiyarov, A.V. Latyshev, Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications, Applied Physics Letters, 2015
64. A.D. Levin, G.M. Gusev, Z.D. Kvon, A.K. Bakarov, N.A. Savostianova, S.A. Mikhailov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Giant microwave photo-conductance of a tunnel point contact with a bridged gate, Applied Physics Letters, 2015
65. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): Experiment and Monte Carlo simulation, Applied Surface Science, 2015
66. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions, Applied Surface Science, 2015
67. A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, E.E. Rodyakina, V.M. Dzhagan, O.D. Gordan, S.L. Veber, C. Himcinschi, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Surface-enhanced Raman scattering by colloidal CdSe nanocrystal submonolayers fabricated by the Langmuir–Blodgett technique, Beilstein Journal of Nanotechnology, 2015
68. A. Kozhukhov, A. Klimenko, D. Shcheglov, V. Volodin, N. Karnaeva, A. Latyshev, Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip-pen nanolithography, Journal of Applied Physics, 2015
69. O.A. Vinogradova, A.A. Lomzov, G.Yu. Shevelev, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, D.A. Stetsenko, D.V. Pyshnyi, Nanorings from Concatemeric DNA: Chemical Modification Drives Nanostructure Formation, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2015
70. S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev, Attachment–detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures, Surface Science, 2015
71. А.В. Латышев, Сибирский путь от научной идеи до внедрения, В мире науки, 2015
72. N.A. Yeryukov, A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, L.D. Pokrovsky, A.K. Gutakovsky, S.A. Batsanov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn, Synthesis and Characterization of Cu x S ( x = 1–2) Nanocrystals Formed by the Langmuir–Blodgett Technique , Journal of Physical Chemistry C (Nanomaterials, Interfaces, and Hard Matter), 2014
73. L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, F.N. Dultsev, D.V. Gulyaev, A.B. Talochkin, A.V. Latyshev, Fabrication and optical properties of silicon nanopillars, Journal of Physics: Conference Series, 2014
74. Evgeniya Sheremet, Raul D. Rodriguez, Dietrich R. T. Zahn, Alexander G. Milekhin, Ekaterina E. Rodyakina, Alexander V. Latyshev, Surface-enhanced Raman scattering and gap-mode tip-enhanced Raman scattering investigations of phthalocyanine molecules on gold nanostructured substrates, Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 2014
75. S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev, Attachment-detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures, Surface Science, 2014
76. Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Атомная структура протяжённых дефектов в имплантированных бором слоях кремния, Автометрия, 2014
77. Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Формирование двумерных островков на поверхности Si(111) при гомоэпитаксиальном росте , Сибирский физический журнал, 2014
78. В.А. Володин, М.П. Синюков, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Е.В. Федосенко, Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений, Физика и техника полупроводников, 2014

Перечень докладов на конференциях за 5 лет:

A. Latyshev, D. Rogilo, S. Sitnikov, L. Fedina. Two-dimensional nucleation and morphology transformations on Si(111) surface studied by in situ reflection electron microscopy // The 3rd Asia-Pacific Symposium on Solid Surfaces & Cross-Strait Symposium on Solid Surfaces (APSSS-3), Pohang, South Korea, 21–23.08.2018, invited report. Book of abstracts, Institute for Basic Science, p. 56–57.
А.В.Латышев, Д.И.Рогило, С.В.Ситников, С.С.Косолобов, Л.И.Федина, Д.В.Щеглов, А.К.Гутаковский. Атомные процессы, технологии и свойства полупроводниковых наноструктур. Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2015г., Нижний Новгород, том.1, с. 272-275.

Перечень монографий и учебников:

PREFACE. Nadykto A.B., Uvarova L., Latyshev A.V. В книге: Mathematical Models of Non-linear Phenomena, Processes and Systems: From Molecular Scale to Planetary Atmosphere 2013. С. xi-xvii.
SKIN EFFECT PROBLEM WITH DIFFUSION BOUNDARY CONDITIONS IN MAXWELL PLASMA. Alabina Y.F., Latyshev A.V., Yushkanov A.A. В книге: Mathematical Models of Non-linear Phenomena, Processes and Systems: From Molecular Scale to Planetary Atmosphere 2013. С. 193-205.
ANALYTICAL SOLUTION OF SPHERE ROTATION PROBLEM IN THE ISOTHERMAL RAREFIED GAS. Latyshev A.V., Yushkanov A.A., Popov V.N. В книге: Mathematical Models of Non-linear Phenomena, Processes and Systems: From Molecular Scale to Planetary Atmosphere 2013. С. 207-216.
MATHEMATICAL MODELS OF NON-LINEAR PHENOMENA, PROCESSES AND SYSTEMS: FROM MOLECULAR SCALE TO PLANETARY ATMOSPHERE. Nadykto A.B., Uvarova L., Latyshev A.V. В книге: Mathematical Models of Non-linear Phenomena, Processes and Systems: From Molecular Scale to Planetary Atmosphere 2013. С. 1-479.
NONLINEARITY. New York, 2017. Том 1 Problems, solutions and applications
UNIVERSALITY OF THE (113) HABIT PLANE IN SI FOR MIXED AGGREGATION OF VACANCIES AND SELF-INTERSTITIAL ATOMS PROVIDED BY TOPOLOGICAL BOND DEFECT FORMATION. Fedina L.I., Gutakovskii A.K., Latyshev A.V., Aseev A.L. В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 383-407.
SURFACE MORPHOLOGIES OBTAINED BY GE DEPOSITION ON BARE AND OXIDIZED SILICON SURFACES AT DIFFERENT TEMPERATURES. Shklyaev A.A., Romanyuk K.N., Kosolobov S.S., Latyshev A.V. В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 325-344.
MOLECULAR BEAM EPITAXY OF CDXHG1-XTE. Sidorov Y., Anciferov A.P., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sabinina I.V., Remesnik V.G., Ikusov D.G., Uzhakov I.N., Sidorov G., Kuzmin V.D., Rihlicky S.V., Shvets V.A., Mardezov A.S., Spesivcev E.V., Gutakovskii A.K., Latyshev A.V. В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 297-323.
ADVANCES IN SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES: GROWTH, CHARACTERIZATION, PROPERTIES AND APPLICATIONS. Latyshev A.V., Dvurechenskii A.V., Aseev A.L. В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 1-527.
FORMATION OF GAAS STEP-TERRACED SURFACES BY ANNEALING IN EQUILIBRIUM CONDITIONS. Alperovich V.L., Akhundov I.O., Kazantsev D.M., Rudaya N.S., Rodyakina E.E., Kozhukhov A.S., Sheglov D.V., Karpov A.N., Shwartz N.L., Terekhov A.S., Latyshev A.V. В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 255-277.
PREFACE. Latyshev A.V., Dvurechenskii A.V., Aseev A.L., В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. xxiii-xxiv.
SUPERMINIATURE RADIATION SOURCES BASED ON SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES. Haisler V.A., Haisler A.V., Derebezov I.A., Yaroshevich A.S., Bakarov A.K., Dmitriev D.V., Kalagin A.K., Toropov A.I., Kachanova M.M., Zhivodkov Y., Gavrilova T.A., Medvedev A.S., Nenasheva L.A., Semenova O.I., Grachev K.V., Sandyrev V.K., Kozhukhov A.S., Sheglov D.V., Tretyakov D.B., Beterov I.I. et al., В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 437-461.
NONLINEARITY, New York, 2017. Том 2 Problems, solutions and applications
ATOMIC PROCESSES ON THE SILICON SURFACE, Latyshev A.V., Fedina L.I., Kosolobov S.S., Sitnikov S.V., Rogilo D.I., Rodyakina E.E., Nasimov D.A., Sheglov D.V., Aseev A.L., В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 189-221.
ATOMIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR LOW-DIMENSIONAL HETEROSYSTEMS, Gutakovskii A.K., Latyshev A.V., Aseev A.L., В книге: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications 2016. С. 223-253.
НЕЛИНЕЙНЫЙ ПРОДОЛЬНЫЙ ТОК В КВАНТОВОЙ ПЛАЗМЕ, ГЕНЕРИРУЕМЫЙ N ПОПЕРЕЧНЫМИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМИ ВОЛНАМИ. Латышев А.В., Аскерова В.И., В сборнике: Актуальные проблемы математики, физики и математического образования Сборник трудов кафедры математического анализа и геометрии. Под редакцией Г.В. Кондратьевой, Е.А. Бедриковой, Д.А. Графова. Москва, 2018. С. 14-20.

Патенты:

«Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного эталона и ступенчатый высотный калибровочный эталон», авторы – Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В., заявка № 2017104978 от 15.02.2017, Решение о выдаче от 08.02.2018.
«Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии», авторы - Родякина Е. Е., Щеглов Д. В., Косолобов С. С., Латышев А. В., патент РФ № 2540000, заявка 2013144213/28, приоритет 01.10.2013.

Награды:

2014 г. Директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев и заместитель директора по научной работе член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский стали лауреатами премии Правительства РФ в области образования за разработку системы подготовки высококвалифицированных кадров в области оптоэлектроники
2014 г. директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев награжден Почётной грамотой РАН и Профсоюза работников РАН за многолетний добросовестный труд и в связи с 290-летием основания Российской академии наук
2014. директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев удостоен премии Томского Университета, награжден диплом Лауреата городского дня науки в номинации «Учёный и научный руководитель года».
2014 г. В рамках торжественных мероприятий, приуроченных к 50-летию со дня образования Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН директор Института член-корреспондент РАН А.В. Латышев был награжден почётной грамотой Губернатора Новосибирской области, а также Почётной грамотой Новосибирского государственного университета
2013 г. А.В. Латышев, директор Института, член-корреспондент РАН награждён Дипломом Лауреата городского дня науки в номинации «Учёный и научный руководитель года»
А.В. Латышев награжден почетными грамотами РАН, Министерства образования и науки РФ, Президиума СО РАН и Президиума РАН, Фонда содействия отечественной науке.

Проекты:

Грант РНФ 14-22-00143 «In situ и ex situ высокоразрешающая аналитическая электронная микроскопия для изучения атомных процессов на поверхности, границах раздела и в объеме твердотельных низкоразмерных наносистем», руководитель А.В. Латышев.
Грант Президента РФ по государственной поддержке ведущих научных школ: НШ-10211.2016.8 «Атомные процессы на поверхности полупроводников и электронные явления в литографически наноструктурированных полупроводниковых и металлических системах», руководители А.В. Латышев, А.Л. Асеев.
Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН: «Особенности атомного строения многокомпонентных твердотельных и полупроводниковых нано-гетеросистем», руководитель - член-корр. РАН А.В. Латышев;
Проект междисциплинарных интеграционных фундаментальных исследований СО РАН: "Разработка и комплексные исследования твердотельных низкоразмерных систем для нано- и биоматериалов" (№133), научный руководитель - член-корреспондент РАН А.В.Латышев.
Госконтракт №14.621.21.0004 «Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием "НАНОСТРУКТУРЫ" в области индустрии наносистем, информационно-телекоммуникационных систем; транспортных и космических систем», научный руководитель – член-корр. РАН А.В. Латышев. 2015
Госконтракт №14.621.21.0004 «Поддержка и развитие центра коллективного пользования научным оборудованием "НАНОСТРУКТУРЫ" в области индустрии наносистем, информационно-телекоммуникационных систем; транспортных и космических систем», научный руководитель – член-корр. РАН А.В. Латышев. 2014
Госконтракт №16.552.11.7091 «Обеспечение центром коллективного пользования научным оборудованием «Наноструктуры» комплексных исследований в индустрии наносистем и науках о жизни», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Латышев. 2013
Грант РФФИ 16-02-00518 «Атомные процессы формирования функциональных наноразмерных германий-кремниевых структур на ультра-гладких поверхностях кремния», руководитель Латышев А. В.
Грант РФФИ 16-29-03240 «Фундаментальные аспекты формирования нанокристаллов прямозонных и квазипрямозонных полупроводников в матрице кремния для интегральной кремниевой фотоники», руководитель Латышев А. В.
Грант РФФИ 17-02-20450 «Проект организации Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2017 », руководитель Латышев А. В.