Колосовский Данил Антонович
| Дата рождения: | 1997 |
| Вуз (дата окончания): | НГУ (2021) |
| 2021 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Формирование низкоразмерных гетероструктур на основе соединений In-Ga-Al-As |
| Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., в.н.с. Журавлев Константин Сергеевич |
| Лаборатория: | Лаборатория №37 молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Dmitriev D.V., Kolosovsky D.A., Gavrilova T.A., Gutakovskii A.K., Toropov A.I., Zhuravlev K.S. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux // Surface Science. 2021. Vol. 710, 121861. | |
| Дмитриев Д.В., Колосовский Д.А., Федосенко Е.В., Торопов А.И., Журавлев К.С. Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка // ФТП. 2021. Т. 55, № 10, С. 877-881. |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Dmitriev D.V., Mitrofanov I.A., Kolosovsky D.A., Toropov A.I., Zhuravlev K.S. Removal of Oxides from the Surface (001)InP in Ultra-High Vacuum in an Arsenic Flux // 020 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2020, pp. 5-8. | ||
| D. Kolosovsky, D. Dmitriev, T. Gavrilova, A. Toropov, A. Kozhukhov and K. Zhuravlev. InAs Islands Formation on the InP(001) During High- Temperature Annealing in an As Flux // 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 2021, pp. 17-21. |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, С.А. Пономарев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев , Формирования InAs островков на поверхности InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка , Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2021, Новосибирск, 4-8 октября 2021, стендовый доклад |
Участие в грантах:
- 1) 20-42-540009 р_а_Новосибирск 2) 20-02-00516 А 3) 18-32-00548 мол_а 4) 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)